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    플라즈마 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
    1.
    发明公开
    플라즈마 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
    等离子体处理方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020120005964A

    公开(公告)日：2012-01-17

    申请号：KR1020110067163

    申请日：2011-07-07

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다하라시게루 ,  니시무라에이이치 ,  야마시타후미코 ,  토미타히로시 ,  오이와토쿠히사 ,  오쿠치히사시 ,  오무라미츠히로

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

    CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing method and a semiconductor device manufacturing method are provided to suppress pattern thinning effects due to a side etching process, thereby effectively eliminating sediment including metal deposited on a lateral wall of a pattern. CONSTITUTION: A susceptor supporting table(4) for placing a wafer(W) within a vacuum processing chamber(2) is installed. A susceptor(5) comprising a lower electrode is installed on the upper part of the susceptor supporting table. A refrigerant chamber(7) is installed in the inside of the susceptor supporting table. A focus ring(15) is arranged in the upper end peripheral part of the susceptor. An upper electrode(21) is arranged in the upper part of the vacuum processing chamber while placing an insulating material(22) between the upper electrode and vacuum processing chamber. An exhaust pipe(31) is connected to the bottom part of the vacuum processing chamber.

    Abstract translation: 目的：提供等离子体处理方法和半导体器件制造方法，以抑制由于侧面蚀刻工艺引起的图案变薄效应，从而有效地消除沉积在图案的侧壁上的金属沉积物。 构成：安装用于将晶片（W）放置在真空处理室（2）内的基座支撑台（4）。 包括下电极的感受体（5）安装在基座支撑台的上部。 制冷剂室（7）安装在基座支撑台的内部。 在基座的上端部周边设有聚焦环（15）。 上电极（21）设置在真空处理室的上部，同时在上电极和真空处理室之间放置绝缘材料（22）。 排气管（31）连接到真空处理室的底部。

    플라즈마 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
    2.
    发明授权
    플라즈마 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
    半导体器件的等离子体处理方法和制造方法

    公开(公告)号：KR101787514B1

    公开(公告)日：2017-10-18

    申请号：KR1020110067163

    申请日：2011-07-07

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다하라시게루 ,  니시무라에이이치 ,  야마시타후미코 ,  토미타히로시 ,  오이와토쿠히사 ,  오쿠치히사시 ,  오무라미츠히로

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

    CPC classification number: H01L21/02071

    Abstract: (과제) 사이드에칭에의한패턴가늘어짐을억제하면서, 드라이처리에의해패턴측벽에퇴적된금속을포함하는퇴적물을효율좋게제거할수 있는플라즈마처리방법및 반도체장치의제조방법을제공한다. (해결수단) 기판에형성된금속층을플라즈마에칭하는공정을거쳐적층구조중에금속층을갖는패턴을형성한후, 금속층을구성하는금속을포함하여패턴의측벽부에퇴적된퇴적물을제거하는플라즈마처리방법으로서, 금속층의측벽부에당해금속의산화물또는염화물을형성하는보호층형성공정과, 불소원자를포함하는가스의플라즈마를작용시켜퇴적물을제거하는퇴적물제거공정과, 보호층형성공정및 퇴적물제거공정후, 수소를포함하는플라즈마를작용시켜금속의산화물또는염화물을환원하는환원공정을구비하고있다.

    Abstract translation: （任务），一种方法可有效地除去在所述等离子体处理的存款包括金属的图案侧壁上通过干法沉积和用于制造半导体装置，同时通过侧面蚀刻抑制负载图案更精细的方法。 [解决问题的手段]在通过这个过程被称为金属层以形成在衬底的等离子体，以形成具有在所述叠层结构的金属层的图案，在图案的侧壁除去积累沉积物，包括金属构成金属层的等离子体处理方法 然后，与形成保护层，以形成金属氧化物和金属层的过程的这样的侧壁部分的酰氯与含有氟原子沉淀以除去沉淀的过程中，保护层形成工序和所述沉积物移除步骤的气体的等离子体反应 以及通过施加包含氢的等离子体来还原金属的氧化物或氯化物的还原工艺。

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