公开(公告)号：KR1020140063707A

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020147007142

申请日：2012-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라겐이치 ,  하야카와다카시 ,  오자와마리코

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 상의 오목부를 갖는 층간 절연막 상에 배리어막을 개재하여 오목부를 매립하도록 구리막을 형성한 구조체를 준비하는 공정과, 구조체의 구리막을 배리어막과의 계면까지 화학 기계 연마에 의해 제거하고, 오목부 내에 구리 배선을 형성하는 공정과, 구리 배선을 에칭하여 그 표면을 층간 절연막 표면보다도 후퇴시키는 공정과, 배리어막을 화학 기계 연마에 의해 제거하는 공정을 갖고, 구리 배선의 표면을 층간 절연막 표면보다도 후퇴시킬 때, 구조체를 진공 상태의 유기 화합물 분위기에 배치하여, 구조체의 구리 배선 표면을 포함하는 면에 산소 가스 클러스터 이온 빔을 조사하고, 그 중의 산소 가스 클러스터 이온에 의해, 구리 배선의 표면의 구리를 산화시켜 산화구리로 함과 함께, 산화구리와 유기 화합물을 반응시켜 구리 배선을 이방적으� � 에칭한다.