公开(公告)号：KR1020140014108A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：KR1020137018321

申请日：2012-01-13

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호징 야마나시다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토다카마사 ,  나루시마마사키 ,  하라겐이치

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C24/02 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 복수의 원소를 포함하는 박막을 피처리체의 표면에 형성하는 태양 전지용 박막 형성 방법에 있어서, 원소를 포함하는 원료 용액을 전계에 의해 미립자로서 처리 공간에 비산시키고, 비산된 상기 미립자를 피처리체의 표면에 부착시켜 박막을 형성하도록 한다. 이에 따라, 대기압 분위기하에 있어서도 결정성이 양호한 광전 변환 소자용 박막을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140016884A

公开(公告)日：2014-02-10

申请号：KR1020137019681

申请日：2012-01-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오 ,  미요시히데노리 ,  하라겐이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/317 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  C23F4/00 ,  H01J27/026 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/32136

Abstract: 피처리체(W)의 표면에 형성된 금속막(72)을 가스 클러스터 빔에 의해 가공하는 금속막의 가공 방법에 있어서, 금속막의 원소를 산화시켜 산화물을 형성하는 산화 가스와, 산화물과 반응하여 유기 금속 착체를 형성하는 착화 가스와, 희가스의 혼합 가스를 단열 팽창시켜 가스 클러스터 빔을 형성하고, 가스 클러스터 빔을 피처리체의 금속막에 충돌시킴으로써 금속막을 에칭 가공한다.

公开(公告)号：KR1020130091756A

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020137005296

申请日：2011-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라겐이치 ,  하야카와다카시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/76886 ,  C23F4/00 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 마스크재(102)가 형성된 구리막(101)의 주위를, 유기 화합물 가스(22) 분위기로 하는 공정과, 유기 화합물 가스(22) 분위기 중에서, 구리막(101)에, 마스크재(102)를 마스크로 이용하여 산소 이온(6)을 조사하여, 구리막(101)을 이방성 에칭하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020080039412A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：KR1020087003456

申请日：2007-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카다카시 ,  하라겐이치 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/288 ,  C23C18/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76849 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6723 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A CoWB film as a cap metal is formed on a Cu wiring by a process comprising a plating step for performing an electroless plating containing CoWB on the Cu wiring formed on a wafer W as the substrate, a post-cleaning step for cleaning the wafer W with a cleaning liquid after the plating step, and a step for repeating the plating step and the post-cleaning step a plurality of times.

Abstract translation: 通过包括用于在形成于晶片W上的Cu布线上进行包含CoWB的化学镀的电镀步骤的方法，在Cu布线上形成作为帽金属的CoWB膜作为基板;清洗步骤，用于清洗晶片W 在电镀步骤之后具有清洗液，以及重复电镀步骤和后清洗步骤多次的步骤。

公开(公告)号：KR1020140120276A

公开(公告)日：2014-10-13

申请号：KR1020140038768

申请日：2014-04-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라겐이치

IPC: H01L21/205 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161

Abstract: 저비용이며, 반도체 디바이스를 구성하는 다른 금속막에 영향을 주지 않고 귀금속막을 에칭할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, Ru막(39) 및 MTJ 소자(46)를 포함하는 MRAM을 제조할 때, 적층 구조(35)가 형성된 웨이퍼 W를 챔버(11) 내에 수용하고, Ru막(39)의 노출 부분을 제거할 때, 챔버(11) 내에 산소 플라즈마를 발생시킴과 함께, 웨이퍼 W에 바이어스 전압을 발생시킨다.

Abstract translation: 提供一种能够在不影响构成半导体器件的其它金属膜的情况下蚀刻贵金属膜的半导体器件的制造方法。 当在等离子体处理装置（10）中制造包括Ru膜（39）和MTJ元件（46）的MRAM时，在室（11）中设置具有堆叠结构（35）的晶片（11）。 当除去Ru膜（39）的暴露部分时，在室（11）中产生氧等离子体，并且在晶片（W）中产生偏置电压。

公开(公告)号：KR1020140063707A

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020147007142

申请日：2012-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라겐이치 ,  하야카와다카시 ,  오자와마리코

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 상의 오목부를 갖는 층간 절연막 상에 배리어막을 개재하여 오목부를 매립하도록 구리막을 형성한 구조체를 준비하는 공정과, 구조체의 구리막을 배리어막과의 계면까지 화학 기계 연마에 의해 제거하고, 오목부 내에 구리 배선을 형성하는 공정과, 구리 배선을 에칭하여 그 표면을 층간 절연막 표면보다도 후퇴시키는 공정과, 배리어막을 화학 기계 연마에 의해 제거하는 공정을 갖고, 구리 배선의 표면을 층간 절연막 표면보다도 후퇴시킬 때, 구조체를 진공 상태의 유기 화합물 분위기에 배치하여, 구조체의 구리 배선 표면을 포함하는 면에 산소 가스 클러스터 이온 빔을 조사하고, 그 중의 산소 가스 클러스터 이온에 의해, 구리 배선의 표면의 구리를 산화시켜 산화구리로 함과 함께, 산화구리와 유기 화합물을 반응시켜 구리 배선을 이방적으� � 에칭한다.

公开(公告)号：KR1020130031805A

公开(公告)日：2013-03-29

申请号：KR1020120104990

申请日：2012-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  효고켄

Inventor： 하라겐이치 ,  야마다이사오 ,  도요다노리아키 ,  하야카와다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F4/02 ,  H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: An etching method, an etching apparatus, and a storage medium are provided to consecutively react Cu with organic compound by using oxygen gas cluster ion beam. CONSTITUTION: A substrate is arranged in a chamber. An insulating layer(102), a barrier film(103), a Cu film(104) and an etching mask are formed on the substrate. Organic compound is supplied into the chamber. Oxygen gas cluster ion beam is irradiated to the Cu film to form Cu oxide. [Reference numerals] (102) TEOS film; (103) Ta film; (104) Cu film; (AA) Oxygen atom; (BB) Oxidizing Cu; (CC) Copper atom; (DD) Heat

Abstract translation: 目的：提供蚀刻方法，蚀刻装置和存储介质，以通过使用氧气团簇离子束连续地使Cu与有机化合物反应。 构成：衬底布置在腔室中。 在基板上形成绝缘层（102），阻挡膜（103），Cu膜（104）和蚀刻掩模。 将有机化合物供入室内。 将氧气团簇离子束照射到Cu膜以形成Cu氧化物。 （102）TEOS膜; （103）Ta膜; （104）Cu膜; （AA）氧原子; （BB）氧化Cu; （CC）铜原子; （DD）热

公开(公告)号：KR1020130092570A

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：KR1020137004760

申请日：2011-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야카와다카시 ,  하라겐이치 ,  다나카다카시

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, Cu 배리어막(100) 상에 구리막(101)을 형성하는 공정과, 구리막(101) 상에 마스크재(102)를 형성하는 공정과, 마스크재(102)를 마스크로 이용하여, Cu 배리어막(100)이 노출되기까지 구리막(101)을 이방적으로 에칭하는 공정과, 마스크재(102)를 제거한 후, 이방적으로 에칭된 구리막(101) 상에, 구리막(101)에 대하여 촉매 작용이 있고, Cu 배리어막(100)에는 촉매 작용이 없는 선택 석출 현상을 이용한 무전해 도금법을 이용하여, 구리의 확산을 억제하는 물질을 포함하는 도금막(104)을 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100958557B1

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：KR1020087003455

申请日：2007-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카다카시 ,  하라겐이치 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76849 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6723 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 처리 방법은, 웨이퍼 (W) 에 형성된 Cu 배선에 CoWB 로 이루어지는 무전해 도금을 실시하는 공정과, 이 무전해 도금 공정에 의해 Cu 배선에 피복된 CoWB 막 표면의 부생성물이 석출되기 전에, 피처리 기판인 웨이퍼를 세정액에 의해 후세정 처리하는 공정을 포함한다.
기판 처리, 웨이퍼, Cu 배선, CoWB, 후세정, 무전해 도금

Abstract translation: 的基板处理方法，执行由形成在晶片（W）一个CoWB Cu布线的无电解镀敷的步骤之前，所述化学镀通过电镀工艺沉积的副产物涂层对Cu布线的CoWB膜表面，所述血 以及用清洁液后清洁作为处理基板的晶片的步骤。

公开(公告)号：KR1020080038159A

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：KR1020087003455

申请日：2007-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카다카시 ,  하라겐이치 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76849 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6723 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is a substrate processing method which comprises a step for performing an electroless CoWB plating on a Cu wiring provided on a wafer W, and a step for post-cleaning the wafer as a processed substrate with a cleaning liquid before a by-product is deposited on the surface of a CoWB film which is formed over the Cu wiring by the electroless plating step.

Abstract translation: 公开了一种基板处理方法，其包括在设置在晶片W上的Cu布线上执行无电解CoWB电镀的步骤，以及在沉积副产物之前用清洗液将晶片作为处理基板进行后清洗的步骤 在通过化学镀步骤在Cu布线上形成的CoWB膜的表面上。