公开(公告)号：KR1020150083426A

公开(公告)日：2015-07-17

申请号：KR1020140193424

申请日：2014-12-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야츠다고이치 ,  츠노무라다카아키 ,  하야카와다카시 ,  모치키히로마사 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575

Abstract: 희생막과다른물질의막의적층구조를형성한후, 건식의제거수단에의해제거할수 있는희생막을이용한반도체장치의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 기판의한쪽면측에절연막을형성하는절연막형성공정과, 상기절연막형성공정에서형성된절연막상에카본막을형성하는카본막형성공정과, 상기절연막형성공정및 상기카본막형성공정을복수회반복하여, 상기기판의한쪽면측에상기절연막과상기카본막이교대로복수층적층된절연막-카본막적층체를형성하는절연막-카본막적층체형성공정과, 상기절연막-카본막적층체를구성하는상기카본막을제거하는카본막제거공정과, 상기카본막제거공정에서상기카본막이제거된영역에전극막을형성하고, 상기절연막과상기전극막이복수층적층된절연막-전극막적층체로하는전극막형성공정을 포함하는반도체장치의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种通过使用牺牲膜制造半导体器件的方法，该牺牲膜可以在形成其它材料的膜层状结构之后通过干燥去除装置除去。 一种制造半导体器件的方法包括：在基板的一个表面上形成绝缘体的绝缘膜形成工艺; 在绝缘膜形成工序中形成的绝缘膜上形成碳膜的碳膜形成工序; 绝缘膜 - 碳膜层叠体形成工艺，其中通过重复绝缘膜形成工艺和碳膜形成工艺，在绝缘膜 - 碳膜层压板上形成绝缘膜 - 碳膜层压体，其中绝缘膜和碳膜在衬底的一个表面上交替布置 处理; 去除形成绝缘膜 - 碳膜层压体的碳膜的碳膜去除工艺; 以及在除去碳膜的工序中在除去了碳膜的区域上形成电极膜的电极膜形成工序，其中绝缘膜 - 碳膜层叠体中绝缘膜和碳膜排列成一层 。

公开(公告)号：KR1020130092570A

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：KR1020137004760

申请日：2011-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야카와다카시 ,  하라겐이치 ,  다나카다카시

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, Cu 배리어막(100) 상에 구리막(101)을 형성하는 공정과, 구리막(101) 상에 마스크재(102)를 형성하는 공정과, 마스크재(102)를 마스크로 이용하여, Cu 배리어막(100)이 노출되기까지 구리막(101)을 이방적으로 에칭하는 공정과, 마스크재(102)를 제거한 후, 이방적으로 에칭된 구리막(101) 상에, 구리막(101)에 대하여 촉매 작용이 있고, Cu 배리어막(100)에는 촉매 작용이 없는 선택 석출 현상을 이용한 무전해 도금법을 이용하여, 구리의 확산을 억제하는 물질을 포함하는 도금막(104)을 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130091756A

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020137005296

申请日：2011-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라겐이치 ,  하야카와다카시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/76886 ,  C23F4/00 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 마스크재(102)가 형성된 구리막(101)의 주위를, 유기 화합물 가스(22) 분위기로 하는 공정과, 유기 화합물 가스(22) 분위기 중에서, 구리막(101)에, 마스크재(102)를 마스크로 이용하여 산소 이온(6)을 조사하여, 구리막(101)을 이방성 에칭하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020140063707A

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020147007142

申请日：2012-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라겐이치 ,  하야카와다카시 ,  오자와마리코

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 상의 오목부를 갖는 층간 절연막 상에 배리어막을 개재하여 오목부를 매립하도록 구리막을 형성한 구조체를 준비하는 공정과, 구조체의 구리막을 배리어막과의 계면까지 화학 기계 연마에 의해 제거하고, 오목부 내에 구리 배선을 형성하는 공정과, 구리 배선을 에칭하여 그 표면을 층간 절연막 표면보다도 후퇴시키는 공정과, 배리어막을 화학 기계 연마에 의해 제거하는 공정을 갖고, 구리 배선의 표면을 층간 절연막 표면보다도 후퇴시킬 때, 구조체를 진공 상태의 유기 화합물 분위기에 배치하여, 구조체의 구리 배선 표면을 포함하는 면에 산소 가스 클러스터 이온 빔을 조사하고, 그 중의 산소 가스 클러스터 이온에 의해, 구리 배선의 표면의 구리를 산화시켜 산화구리로 함과 함께, 산화구리와 유기 화합물을 반응시켜 구리 배선을 이방적으� � 에칭한다.

公开(公告)号：KR1020130031805A

公开(公告)日：2013-03-29

申请号：KR1020120104990

申请日：2012-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  효고켄

Inventor： 하라겐이치 ,  야마다이사오 ,  도요다노리아키 ,  하야카와다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F4/02 ,  H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: An etching method, an etching apparatus, and a storage medium are provided to consecutively react Cu with organic compound by using oxygen gas cluster ion beam. CONSTITUTION: A substrate is arranged in a chamber. An insulating layer(102), a barrier film(103), a Cu film(104) and an etching mask are formed on the substrate. Organic compound is supplied into the chamber. Oxygen gas cluster ion beam is irradiated to the Cu film to form Cu oxide. [Reference numerals] (102) TEOS film; (103) Ta film; (104) Cu film; (AA) Oxygen atom; (BB) Oxidizing Cu; (CC) Copper atom; (DD) Heat

Abstract translation: 目的：提供蚀刻方法，蚀刻装置和存储介质，以通过使用氧气团簇离子束连续地使Cu与有机化合物反应。 构成：衬底布置在腔室中。 在基板上形成绝缘层（102），阻挡膜（103），Cu膜（104）和蚀刻掩模。 将有机化合物供入室内。 将氧气团簇离子束照射到Cu膜以形成Cu氧化物。 （102）TEOS膜; （103）Ta膜; （104）Cu膜; （AA）氧原子; （BB）氧化Cu; （CC）铜原子; （DD）热