公开(公告)号：KR1020100069560A

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020090094569

申请日：2009-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마코지 ,  히가시지마히로카즈 ,  오자키테츠시 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833

Abstract: PURPOSE: A semiconductor apparatus and a manufacturing method of t semiconductor apparatus are provided to improve a retention property by forming a blocking oxidation film of 2nd floor structure including an amorphous layer and a crystalline film. CONSTITUTION: A tunnel oxidation film(111) is formed on a silicon substrate(110). A charge trap film(112) is formed on the tunnel oxidation film. A blocking oxidation film(113) is formed on the charge trap film. A gate electrode(114) is formed on the blocking oxidation film. The blocking oxide film includes a crystalline film(113a) and an amorphous film(113b).

Abstract translation: 目的：提供半导体装置和半导体装置的制造方法，以通过形成包括非晶层和结晶膜的第二层结构的阻挡氧化膜来改善保持性。 构成：在硅衬底（110）上形成隧道氧化膜（111）。 在隧道氧化膜上形成电荷捕获膜（112）。 在电荷捕获膜上形成阻挡氧化膜（113）。 在阻挡氧化膜上形成栅电极（114）。 封闭氧化膜包括结晶膜（113a）和非晶膜（113b）。

公开(公告)号：KR101119880B1

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020090094569

申请日：2009-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마코지 ,  히가시지마히로카즈 ,  오자키테츠시 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

Abstract: (과제) 윈도우 특성의 향상과 리텐션(retention) 특성의 향상을 동시에 도모할 수 있는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 실리콘 기판(110)상에, 터널 산화막(111), 차지 트랩막(112), 블록킹 산화막(113), 게이트 전극(114)이, 하측으로부터 이 순서로 형성된 적층 구조를 갖는 반도체 장치로서, 블록킹 산화막(113)이, 차지 트랩막(112)측에 형성된 결정질막(113a)과, 당해 결정질막(113a)의 상층에 형성된 어모퍼스막(113b)을 구비하고 있다.
터널 산화막, 차지 트랩막, 블록킹 산화막