公开(公告)号：KR1020140060515A

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：KR1020147005999

申请日：2012-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마코지 ,  히가시지마히로카즈 ,  타무라치히로 ,  아오야마신타로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02318 ,  C23C14/083 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/405 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 피처리체 상에 제 1 고유전율 절연막을 성막하는 제 1 성막 공정과, 상기 제 1 고유전율 절연막을 650℃ 이상에서 60 초 미만 동안 열 처리하는 결정화 열 처리 공정과, 상기 제 1 고유전율 절연막 상에, 상기 제 1 고유전율 절연막의 금속 원소의 이온 반경보다 작은 이온 반경을 가지는 금속 원소를 가지고, 상기 제 1 고유전율 절연막보다 비유전율이 큰 제 2 고유전율 절연막을 성막하는 제 2 성막 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140046429A

公开(公告)日：2014-04-18

申请号：KR1020140033873

申请日：2014-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마고지 ,  히가시지마히로카즈 ,  다나카요시츠구 ,  아카사카야스시 ,  야마시타고지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/517

Abstract: The objective of the present invention is to provide a method for manufacturing a high integration semiconductor device which has a dielectric layer with high dielectric constant and low leakage current. The objective of the present invention is solved by providing a method for manufacturing a semiconductor device, which includes a layer formation process of forming a dielectric layer on a semiconductor substrate, a heat-treating process of heat-treating the dielectric layer, and an irradiation process of emitting an ionized gas cluster to the dielectric layer after the heat-treating process. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S102) Form a dielectric layer; (S104) Heat treatment; (S106) Emit a gas cluster

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有高介电常数和低泄漏电流的电介质层的高集成半导体器件的制造方法。 本发明的目的是通过提供一种半导体器件的制造方法来实现的，该半导体器件包括在半导体衬底上形成电介质层的层形成工艺，热处理介电层的热处理和照射 在热处理工序之后，将电离气体簇发射到电介质层的工序。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S102）形成介电层; （S104）热处理; （S106）发出气体簇

公开(公告)号：KR101119880B1

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020090094569

申请日：2009-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마코지 ,  히가시지마히로카즈 ,  오자키테츠시 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

Abstract: (과제) 윈도우 특성의 향상과 리텐션(retention) 특성의 향상을 동시에 도모할 수 있는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 실리콘 기판(110)상에, 터널 산화막(111), 차지 트랩막(112), 블록킹 산화막(113), 게이트 전극(114)이, 하측으로부터 이 순서로 형성된 적층 구조를 갖는 반도체 장치로서, 블록킹 산화막(113)이, 차지 트랩막(112)측에 형성된 결정질막(113a)과, 당해 결정질막(113a)의 상층에 형성된 어모퍼스막(113b)을 구비하고 있다.
터널 산화막, 차지 트랩막, 블록킹 산화막

公开(公告)号：KR101816960B1

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：KR1020140033873

申请日：2014-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마고지 ,  히가시지마히로카즈 ,  다나카요시츠구 ,  아카사카야스시 ,  야마시타고지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/517

Abstract: 본발명은높은유전율로누설전류가낮은유전체막을갖는고집적화가능한반도체장치의제조방법을제공하는것을과제로한다. 반도체기판상에유전체막을형성하는성막공정과, 상기유전체막을열처리하는열처리공정과, 상기열처리후의유전체막에이온화된가스클러스터를조사하는조사공정을포함하는것을특징으로하는반도체장치의제조방법을제공함으로써상기과제를해결한다.

Abstract translation: 本发明将是零，并且提供一种制造能够具有高介电常数的电介质膜的低漏电流的高度集成的半导体器件的方法。 提供一种制造半导体装置，其特征在于它包括照射在膜形成电介质膜的工序的半导体基板上形成的气体团簇离子化的照射步骤，和热处理后的热处理在电介质膜，电介质膜的热处理工序的方法 从而解决上述问题。

公开(公告)号：KR101708206B1

公开(公告)日：2017-02-20

申请号：KR1020147008939

申请日：2012-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카사카야스시 ,  아키야마코지 ,  히가시지마히로카즈

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517

Abstract: 반도체기판상에유전체막을형성하는공정과, 상기유전체막을열처리하는공정과, 상기유전체막상의일부에전극을형성하는공정과, 상기전극이형성되어있지않은상기유전체막에이온화한가스클러스터를조사하는공정과, 상기조사공정후, 웨트에칭에의해, 상기이온화한가스클러스터가조사된영역에서의상기유전체막을제거하는공정을가지는반도체장치의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成电介质膜; 对电介质膜进行热处理; 在所述电介质膜的第一区域上形成电极; 将电离气体簇照射到未形成电极的电介质膜的第二区域; 以及在照射所述电离气体簇之后，通过湿式蚀刻去除所述电离气体簇照射所述电介质膜的所述第二区域。

公开(公告)号：KR1020140068149A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147008939

申请日：2012-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카사카야스시 ,  아키야마코지 ,  히가시지마히로카즈

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183

Abstract: 반도체 기판 상에 유전체막을 형성하는 공정과, 상기 유전체막을 열처리하는 공정과, 상기 유전체막 상의 일부에 전극을 형성하는 공정과, 상기 전극이 형성되어 있지 않은 상기 유전체막에 이온화한 가스 클러스터를 조사하는 공정과, 상기 조사 공정 후, 웨트 에칭에 의해, 상기 이온화한 가스 클러스터가 조사된 영역에서의 상기 유전체막을 제거하는 공정을 가지는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

Abstract translation: 半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成电介质膜; 对电介质膜进行热处理; 在所述电介质膜的第一区域上形成电极; 将电离气体簇照射到未形成电极的电介质膜的第二区域; 以及在照射所述电离气体簇之后，通过湿式蚀刻除去所述电离气体簇照射的所述电介质膜的所述第二区域。

公开(公告)号：KR1020120134011A

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：KR1020120051882

申请日：2012-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마고지 ,  히가시지마히로카즈 ,  다나카요시츠구 ,  아카사카야스시 ,  야마시타고지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/26566 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/517

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a semiconductor device is provided to produce a highly integrated semiconductor device by forming a dielectric film having a low leakage current without lowering a dielectric constant. CONSTITUTION: A dielectric film is formed on a semiconductor substrate(S102). A dielectric film is heat-treated(S104). An ionized gas cluster is irradiated on the dielectric film which is heat-treated(S106). A film thickness of the dielectric film is below 2nm. The gas cluster comprises a gas cluster comprising oxygen or nitrogen. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S102) Forming a dielectric film; (S104) Thermal treatment; (S106) Irradiating a gas cluster

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的制造方法，通过在不降低介电常数的情况下形成具有低漏电流的电介质膜来制造高度集成的半导体器件。 构成：在半导体基板上形成电介质膜（S102）。 对电介质膜进行热处理（S104）。 将电离气体簇照射在被热处理的电介质膜上（S106）。 电介质膜的膜厚度低于2nm。 气体簇包括包含氧或氮的气体团。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S102）形成介电膜; （S104）热处理; （S106）对气体簇进行照射

公开(公告)号：KR1020100069560A

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020090094569

申请日：2009-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마코지 ,  히가시지마히로카즈 ,  오자키테츠시 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833

Abstract: PURPOSE: A semiconductor apparatus and a manufacturing method of t semiconductor apparatus are provided to improve a retention property by forming a blocking oxidation film of 2nd floor structure including an amorphous layer and a crystalline film. CONSTITUTION: A tunnel oxidation film(111) is formed on a silicon substrate(110). A charge trap film(112) is formed on the tunnel oxidation film. A blocking oxidation film(113) is formed on the charge trap film. A gate electrode(114) is formed on the blocking oxidation film. The blocking oxide film includes a crystalline film(113a) and an amorphous film(113b).

Abstract translation: 目的：提供半导体装置和半导体装置的制造方法，以通过形成包括非晶层和结晶膜的第二层结构的阻挡氧化膜来改善保持性。 构成：在硅衬底（110）上形成隧道氧化膜（111）。 在隧道氧化膜上形成电荷捕获膜（112）。 在电荷捕获膜上形成阻挡氧化膜（113）。 在阻挡氧化膜上形成栅电极（114）。 封闭氧化膜包括结晶膜（113a）和非晶膜（113b）。