公开(公告)号：KR1020100069560A

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020090094569

申请日：2009-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마코지 ,  히가시지마히로카즈 ,  오자키테츠시 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833

Abstract: PURPOSE: A semiconductor apparatus and a manufacturing method of t semiconductor apparatus are provided to improve a retention property by forming a blocking oxidation film of 2nd floor structure including an amorphous layer and a crystalline film. CONSTITUTION: A tunnel oxidation film(111) is formed on a silicon substrate(110). A charge trap film(112) is formed on the tunnel oxidation film. A blocking oxidation film(113) is formed on the charge trap film. A gate electrode(114) is formed on the blocking oxidation film. The blocking oxide film includes a crystalline film(113a) and an amorphous film(113b).

Abstract translation: 目的：提供半导体装置和半导体装置的制造方法，以通过形成包括非晶层和结晶膜的第二层结构的阻挡氧化膜来改善保持性。 构成：在硅衬底（110）上形成隧道氧化膜（111）。 在隧道氧化膜上形成电荷捕获膜（112）。 在电荷捕获膜上形成阻挡氧化膜（113）。 在阻挡氧化膜上形成栅电极（114）。 封闭氧化膜包括结晶膜（113a）和非晶膜（113b）。

公开(公告)号：KR1020110094245A

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：KR1020110011834

申请日：2011-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기카마에이지 ,  토이야마사타카 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4554

Abstract: PURPOSE: A film formation method, a film formation apparatus, and a method for using the film formation apparatus are provided to reduce the number of particles attached to an object by forming the film of a SiO2 on the object through a Si source gas and an oxide repeatedly. CONSTITUTION: In a film formation method, a film formation apparatus, and a method for using the film formation apparatus, a ceiling plate of quartz is installed in the top of a reaction container(1). A manifold(3) is mounted in a seal member in the lower opening part of the reaction chamber. A wafer(W) is supported by a groove which is formed in the pillar of a wafer board. A magnetic fluid seal(11) is formed in the penetration part of a rotary shaft. A Si source gas supply unit(15) supplies Si source gas to a reaction chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法，成膜装置和使用该成膜装置的方法，用于通过Si源气体在物体上形成SiO 2膜，从而减少附着到物体上的颗粒的数量， 反复氧化 构成：在成膜方法中，成膜装置和成膜装置的使用方法，石英顶板安装在反应容器（1）的顶部。 歧管（3）安装在反应室的下开口部分中的密封构件中。 晶片（W）由形成在晶片板的支柱中的槽支撑。 磁性流体密封件（11）形成在旋转轴的贯穿部分中。 Si源气体供给单元（15）向反应室供给Si源气体。

公开(公告)号：KR1020100008756A

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：KR1020090062024

申请日：2009-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카바야시하지메 ,  아카사카야스시 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  G11C16/00

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833

Abstract: PURPOSE: A memory device is provided to improve data erase speed by improving an electron injection suppression operation of a block oxide layer. CONSTITUTION: A gate insulation layer(5) is formed on a silicon substrate(1). A gate insulation layer includes a tunnel oxide layer(2), a charge trap layer(3), and a block oxide layer(4). The block oxide layer is comprised of a first block oxide layer(4a) and a second block oxide layer(4b). A dielectric material of a second block oxide layer has higher dielectric constant and electron affinity than the dielectric material of the first block oxide layer. The thickness of the first block oxide layer is thinner than the thickness of the second block oxide layer. A gate electrode(6) is formed on the gate insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过改善块状氧化物层的电子注入抑制操作来提高数据擦除速度的存储器件。 构成：在硅衬底（1）上形成栅绝缘层（5）。 栅极绝缘层包括隧道氧化物层（2），电荷陷阱层（3）和块状氧化物层（4）。 块状氧化物层由第一块状氧化物层（4a）和第二块状氧化物层（4b）构成。 第二块状氧化物层的介电材料具有比第一块状氧化物层的介电材料更高的介电常数和电子亲和力。 第一块状氧化物层的厚度比第二块状氧化物层的厚度薄。 栅电极（6）形成在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：KR101295174B1

公开(公告)日：2013-08-09

申请号：KR1020110011834

申请日：2011-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기카마에이지 ,  토이야마사타카 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4554

Abstract: 성막 방법은, 처리 용기 내에서 Si 소스 가스와 산화종(酸化種)을 이용하여 피(被)처리체의 표면에 SiO
2 막을 형성하는 성막 처리와, 상기 피처리체를 상기 처리 용기로부터 반출한 상태에서, 상기 처리 용기 내에 퇴적된 막을 제거하는 처리를 개재시키는 일 없이, 상기 처리 용기 내를 배기하면서 상기 퇴적된 막에 대하여 산화를 시행하는 산화 퍼지 처리를 교대로 복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR101119880B1

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020090094569

申请日：2009-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마코지 ,  히가시지마히로카즈 ,  오자키테츠시 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

Abstract: (과제) 윈도우 특성의 향상과 리텐션(retention) 특성의 향상을 동시에 도모할 수 있는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 실리콘 기판(110)상에, 터널 산화막(111), 차지 트랩막(112), 블록킹 산화막(113), 게이트 전극(114)이, 하측으로부터 이 순서로 형성된 적층 구조를 갖는 반도체 장치로서, 블록킹 산화막(113)이, 차지 트랩막(112)측에 형성된 결정질막(113a)과, 당해 결정질막(113a)의 상층에 형성된 어모퍼스막(113b)을 구비하고 있다.
터널 산화막, 차지 트랩막, 블록킹 산화막

公开(公告)号：KR101095313B1

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：KR1020090062024

申请日：2009-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카바야시하지메 ,  아카사카야스시 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  G11C16/00

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513

Abstract: (과제) 종래에 비해 블록 산화막의 전자 주입의 억제 작용을 향상시킬 수 있어, 데이터 소거 속도의 향상과 데이터 소거 동작의 확실성의 향상을 도모할 수 있는 메모리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 실리콘 기판(1)의 위에는, 터널 산화막(2), 전하 트랩막(3), 블록 산화막(4)의 3층을 적층하여 구성된 게이트 절연막(5)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 절연막(5)의 위에는, 게이트 전극(6)이 형성되어 있다. 블록 산화막(4)은, 제1 블록 산화막(4a)과 제2 블록 산화막(4b)을 적층하여 구성되어 있다. 게이트 전극(6)측의 제2 블록 산화막(4b)은, 제1 블록 산화막(4a)에 비해 보다 유전율이 높고, 전자 친화력이 큰 유전 재료로 구성되어 있다.
터널 산화막, 전하 트랩막, 블록 산화막