公开(公告)号：KR1020070081108A

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：KR1020070013531

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠카타카히사 ,  시바타츠요시

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68771

Abstract: A heat treatment apparatus is provided to control a difference of process results like a dimension of a resist pattern between substrates by making uniform a thermal hysteresis of a substrate like a wafer by a heat treatment. A plurality of heat treatment portions separately perform a heat treatment on a substrate. A substrate transfer unit transfers a plurality of substrates to each heat treatment portion in regular order, capable of transferring the plurality of substrates in the plurality of heat treatment portions. The plurality of heat treatment portions perform a heat treatment on the substrates at the same temperature. The heat treatment portion can be a heat treatment plate(161a,161b,161c,161d) on which the substrate is disposed to perform a heat treatment.

Abstract translation: 提供一种热处理装置，通过热处理使晶片等基板的热滞后均匀，从而控制处理结果的差异，如基板之间的抗蚀剂图案的尺寸。 多个热处理部分分别在基板上进行热处理。 基板转印单元以规则的顺序将多个基板传送到每个热处理部分，能够在多个热处理部分中传送多个基板。 多个热处理部在同一温度对基板进行热处理。 热处理部可以是设置有基板以进行热处理的热处理板（161a，161b，161c，161d）。

公开(公告)号：KR101194976B1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：KR1020070013662

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠카타카히사 ,  시바타츠요시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68742

Abstract: 본 발명은 기판 처리시스템, 기판 처리방법 및 컴퓨터 독취가능한 기억매체에 관한 것으로서 도포 현상 처리 시스템의 가열 처리 장치의 기초대상에, 복수의 열처리판이 직선 형상으로 나열하여 설치된다. 가열 처리 장치에는, 서로 이웃이 되는 열처리판간의 각 구간의 기판의 반송을 실시하는 3개의 반송 부재군이 설치된다. 가열 처리 장치에 있어서 프리 베이킹 처리를 할 때에는 온도가 동일한 열처리판에 기판이 차례로 반송되어 각 열처리판에 있어서 열처리가 분할하여 행해진다. 본 발명에 의하면 각 기판이 같은 경로에서 열처리 되기 때문에 기판간에 열이력이 일정하게 되는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020170034331A

公开(公告)日：2017-03-28

申请号：KR1020160116639

申请日：2016-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키히로유키 ,  오츠카타카히사 ,  타테야마키요히사 ,  나카자와타카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/677

Abstract: 기판처리장치의처리챔버를구성하는벽체및 상기처리챔버내에마련된기기를포함하는세정대상부의표면을세정함에있어, 세정후의건조시간을단축한다. 처리챔버(20) 내에물을분사하여세정대상부(42, 20a, 53 등)의표면을물로적셔, 세정대상부의표면에부착된제거대상물을물로용해시키는세정공정을행한후, 처리챔버내에물보다휘발성이높은용제를분사하여, 세정대상부의표면에부착된물에용제를공급하는용제공급공정을행하고, 이후, 세정대상부의표면을건조시키는건조공정을행한다.

Abstract translation: 那里作为清洗包括在构成的基板处理装置和处理室的处理室的壁所提供的设备的表面清洁目标部分，以缩短洗涤后的干燥时间。 通过注入到处理室20中的水润湿用水清洁目标部（42，20A，53等）的表面上，然后附连到经受清洁工艺清洁对象的表面的除去对象物溶解在水中，在处理室 在比内喷射水高挥发性溶剂，进行供给溶剂，安装在清洁物体表面的水的溶剂供给步骤，之后进行干燥所述洗涤物表面部分的干燥步骤。

公开(公告)号：KR1020140064666A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：KR1020130140481

申请日：2013-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠카타카히사 ,  오가타노부히로 ,  마루모토히로시 ,  와키야마테루후미

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: The supply amount of a clean gas is reduced without deteriorating process performance. The amount of the clean gas (70) supplied from a clean gas supply apparatus (70,78) to the inner space of a housing (60) when a liquid process is performed on a substrate (W) is less than that of a clean gas (78) of low humidity supplied from the clean gas supply apparatus when a drying process is performed on the substrate. In addition, the amount of a gas discharged through a housing discharge path (64) when a liquid process is performed is less than that of a gas discharged through the housing discharge path when a drying process is performed.

Abstract translation: 清洁气体的供给量降低，而不会降低工艺性能。 当在基板（W）上执行液体处理时，从清洁气体供应装置（70,78）供应到壳体（60）的内部空间的清洁气体（70）的量小于清洁气体 在对基板进行干燥处理时，从清洁气体供给装置供给的低湿气体（78）。 此外，当执行液体处理时通过壳体排放路径（64）排出的气体的量小于当进行干燥处理时通过壳体排出路径排出的气体的量。

公开(公告)号：KR101949722B1

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：KR1020130140481

申请日：2013-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠카타카히사 ,  오가타노부히로 ,  마루모토히로시 ,  와키야마테루후미

IPC: H01L21/302

公开(公告)号：KR101287736B1

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：KR1020070013531

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠카타카히사 ,  시바타츠요시

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68771

Abstract: 본 발명은 열처리 장치, 열처리 방법 및 컴퓨터 독취가능한 기억매체에 관한 것으로서 가열 처리장치에 복수의 열처리부가 직선형상으로 나열하여 설치되고 또각 열처리부간에 기판을 반송하는 기판 반송 기구가 설치되고 있다. 이 배열차례로차례로 기판이 열처리되어 가고 전체적으로의 1개의 열처리가 복수의 열처리부로 분할하고 또한 연속하여 행해진다. 이것에 의해, 각 기판이 같은 경로에서 열처리되는 것과 동시에 각 기판간에서의 열이력이 일정하게 된다. 복수의 기판을 열처리 할 때, 병행 열처리의 경우와 비교하면 본 발명에 의하면 기판간의 열이력의 격차가 없는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020070081442A

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：KR1020070013662

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠카타카히사 ,  시바타츠요시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68742 ,  B05C11/10 ,  H01L21/67098

Abstract: A substrate processing system, a substrate processing method and a computer readable storing medium are provided to restrain the difference of CD(Critical Dimension) of a resist pattern between substrates. A substrate processing system(1) includes at least a coating treatment apparatus for coating a resist solution on a substrate; a development processing apparatus for performing a developing process on the substrate and a heat treatment apparatus for performing a thermal treatment on the substrate. One out of the coating treatment apparatus, the development processing apparatus and the heat treatment apparatus includes a plurality of processing portions.

Abstract translation: 提供基板处理系统，基板处理方法和计算机可读存储介质以限制基板之间的抗蚀剂图案的CD（临界尺寸）的差异。 基板处理系统（1）至少包括用于在基板上涂布抗蚀剂溶液的涂布处理装置; 用于对基板进行显影处理的显影处理装置和用于对基板进行热处理的热处理装置。 涂布处理装置中的一个，显影处理装置和热处理装置包括多个处理部。