公开(公告)号：KR101863992B1

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：KR1020150064666

申请日：2015-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로츠신 ,  이가라시요시키 ,  미와도모노리 ,  오카다히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 피에칭층에형성되는복수의개구의폭의차이를저감시킨다. 피에칭층을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 피에칭층상에형성된유기막으로이루어지는마스크층상에플라즈마반응생성물을퇴적시키는제1 공정과, (b) 제1 공정후에, 피에칭층을에칭하는제2 공정을포함한다. 마스크층은, 조영역및 밀영역을갖는다. 조영역에는복수의개구가형성되어있다. 밀영역은조영역을둘러싸고있고, 상기밀영역에는조영역보다마스크가조밀하게존재하고있다. 조영역은, 제1 영역, 및제2 영역을포함하고있다. 제2 영역은, 제1 영역보다밀영역에가까운영역이다. 이방법의제1 공정에서는, 제1 영역에서의개구의폭이, 제2 영역에서의개구의폭보다좁아진다.

公开(公告)号：KR1020150130920A

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：KR1020150064666

申请日：2015-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로츠신 ,  이가라시요시키 ,  미와도모노리 ,  오카다히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 피에칭층에형성되는복수의개구의폭의차이를저감시킨다. 피에칭층을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 피에칭층상에형성된유기막으로이루어지는마스크층상에플라즈마반응생성물을퇴적시키는제1 공정과, (b) 제1 공정후에, 피에칭층을에칭하는제2 공정을포함한다. 마스크층은, 조영역및 밀영역을갖는다. 조영역에는복수의개구가형성되어있다. 밀영역은조영역을둘러싸고있고, 상기밀영역에는조영역보다마스크가조밀하게존재하고있다. 조영역은, 제1 영역, 및제2 영역을포함하고있다. 제2 영역은, 제1 영역보다밀영역에가까운영역이다. 이방법의제1 공정에서는, 제1 영역에서의개구의폭이, 제2 영역에서의개구의폭보다좁아진다.

Abstract translation: 本发明涉及一种蚀刻目标蚀刻层的方法，能够减少形成在目标蚀刻层上的多个开口之间的差异。 该方法包括：在由形成在目标蚀刻层上的有机层形成的掩模层上沉积等离子体反应产物的第一步骤（a） 以及在第一步骤之后蚀刻目标蚀刻层的第二步骤（b）。 掩模层包括粗糙区域和细小区域。 在粗糙区域形成多个开口。 精细的区域围绕着粗糙的区域，并且在比粗糙区域更细的区域中更密集地存在。 粗糙区域包括第一和第二区域。 第二个区域比第一个区域更靠近精细区域。 在该方法的第一步骤中，第一区域中的开口的宽度变得比第二区域中的开口的宽度窄。