公开(公告)号：KR101863992B1

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：KR1020150064666

申请日：2015-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로츠신 ,  이가라시요시키 ,  미와도모노리 ,  오카다히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 피에칭층에형성되는복수의개구의폭의차이를저감시킨다. 피에칭층을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 피에칭층상에형성된유기막으로이루어지는마스크층상에플라즈마반응생성물을퇴적시키는제1 공정과, (b) 제1 공정후에, 피에칭층을에칭하는제2 공정을포함한다. 마스크층은, 조영역및 밀영역을갖는다. 조영역에는복수의개구가형성되어있다. 밀영역은조영역을둘러싸고있고, 상기밀영역에는조영역보다마스크가조밀하게존재하고있다. 조영역은, 제1 영역, 및제2 영역을포함하고있다. 제2 영역은, 제1 영역보다밀영역에가까운영역이다. 이방법의제1 공정에서는, 제1 영역에서의개구의폭이, 제2 영역에서의개구의폭보다좁아진다.

公开(公告)号：KR1020150130920A

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：KR1020150064666

申请日：2015-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로츠신 ,  이가라시요시키 ,  미와도모노리 ,  오카다히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 피에칭층에형성되는복수의개구의폭의차이를저감시킨다. 피에칭층을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 피에칭층상에형성된유기막으로이루어지는마스크층상에플라즈마반응생성물을퇴적시키는제1 공정과, (b) 제1 공정후에, 피에칭층을에칭하는제2 공정을포함한다. 마스크층은, 조영역및 밀영역을갖는다. 조영역에는복수의개구가형성되어있다. 밀영역은조영역을둘러싸고있고, 상기밀영역에는조영역보다마스크가조밀하게존재하고있다. 조영역은, 제1 영역, 및제2 영역을포함하고있다. 제2 영역은, 제1 영역보다밀영역에가까운영역이다. 이방법의제1 공정에서는, 제1 영역에서의개구의폭이, 제2 영역에서의개구의폭보다좁아진다.

Abstract translation: 本发明涉及一种蚀刻目标蚀刻层的方法，能够减少形成在目标蚀刻层上的多个开口之间的差异。 该方法包括：在由形成在目标蚀刻层上的有机层形成的掩模层上沉积等离子体反应产物的第一步骤（a） 以及在第一步骤之后蚀刻目标蚀刻层的第二步骤（b）。 掩模层包括粗糙区域和细小区域。 在粗糙区域形成多个开口。 精细的区域围绕着粗糙的区域，并且在比粗糙区域更细的区域中更密集地存在。 粗糙区域包括第一和第二区域。 第二个区域比第一个区域更靠近精细区域。 在该方法的第一步骤中，第一区域中的开口的宽度变得比第二区域中的开口的宽度窄。

公开(公告)号：KR1020150146394A

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：KR1020150078977

申请日：2015-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시아키라 ,  나카야마게이 ,  이가라시요시키 ,  히로츠신

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802

Abstract: 본발명은절연막을에칭하는방법을제공하는것을목적으로한다. 일실시형태의방법은, (a) 제1 기간내에서, 플라즈마처리장치의처리용기내에공급된플루오로카본을포함하는처리가스를여기시키기위해서, 고주파전력의 ON과 OFF를주기적으로전환하는공정과, (b) 제1 기간에계속되는제2 기간으로서, 제1 기간내에있어서고주파전력이 ON으로되어있는기간보다도긴 상기제2 기간내에서, 처리용기내에공급된처리가스를여기시키기위해서, 고주파전력을연속적으로 ON으로설정하는공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明提供一种蚀刻绝缘膜的方法。 根据本发明的一个实施例，该方法包括以下过程：（a）周期性地切换高频功率的ON和OFF，以便激发包括提供给等离子体处理的处理容器内部的碳氟化合物的工艺气体 设备在第一时期内; 和（b）连续地设定高频电源接通，以便在比第一时段内的高频电力接通期间长的第二期间内激励供给到处理容器内部的处理气体，其中， 第二期是连续第一期。

公开(公告)号：KR101799149B1

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：KR1020150078977

申请日：2015-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시아키라 ,  나카야마게이 ,  이가라시요시키 ,  히로츠신

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802

Abstract: 본발명은절연막을에칭하는방법을제공하는것을목적으로한다. 일실시형태의방법은, (a) 제1 기간내에서, 플라즈마처리장치의처리용기내에공급된플루오로카본을포함하는처리가스를여기시키기위해서, 고주파전력의 ON과 OFF를주기적으로전환하는공정과, (b) 제1 기간에계속되는제2 기간으로서, 제1 기간내에있어서고주파전력이 ON으로되어있는기간보다도긴 상기제2 기간내에서, 처리용기내에공급된처리가스를여기시키기위해서, 고주파전력을연속적으로 ON으로설정하는공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种蚀刻绝缘膜的方法。

公开(公告)号：KR100894345B1

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：KR1020070019397

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로츠신 ,  나이토와카코 ,  스즈키요시노리

IPC: H01L21/3065

Abstract: 반사 방지막을 에칭할 때에, 플라즈마를 광범위하게 제어할 수 있고, 그것에 의해 에칭 특성의 분포를 제어하는 것에 의해, 그 후의 에칭 대상막의 에칭에 있어서 CD 분포를 제어할 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공하는 것.
피처리체(W)에 형성된 반사 방지막을 플라즈마 에칭하는 플라즈마 에칭 방법은, 제 1 전극(34) 및 제 2 전극(16)이 상하로 대향하여 마련된 처리 용기(10)내에 기판 상에 에칭 대상막, 반사 방지막 및 패턴화된 포토레지스트막이 순차적으로 형성된 피처리체를 배치하는 공정과, 처리용기(10)내에 처리 가스를 도입하는 공정과, 제 1 전극(34) 및 제 2 전극(16) 중 어느 것인가에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하는 공정과, 어느 하나의 전극에 직류 전압을 인가하는 공정을 가진다.

公开(公告)号：KR1020070089618A

公开(公告)日：2007-08-31

申请号：KR1020070019397

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로츠신 ,  나이토와카코 ,  스즈키요시노리

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: A plasma etching method and a computer readable storing medium are provided to control the distribution of CD(Critical Dimension) of an etch object layer by controlling the etching of an ARC(Anti-Reflective Coating) using a DC voltage applied to one of first and second electrodes. An etch object body(W) is loaded in a process chamber(10). The process chamber includes first and second electrodes opposite to each other in an inner space. An etch object layer, an ARC and a photoresist pattern are sequentially formed on the etch object body. A process gas is introduced into the process chamber. A plasma is formed in the process chamber by applying an RF power to one of the first and the second electrodes. A DC voltage is applied to one out of the first and second electrodes. The DC voltage is in the range of -200 to -1500 V.

Abstract translation: 提供了等离子体蚀刻方法和计算机可读存储介质，以通过使用施加到第一和第二和第二和第一和第二之一的DC电压来控制ARC（防反射涂层）的蚀刻来控制蚀刻对象层的CD（临界尺寸）的分布 第二电极。 将蚀刻物体（W）装载到处理室（10）中。 处理室包括在内部空间中彼此相对的第一和第二电极。 蚀刻对象层，ARC和光致抗蚀剂图案依次形成在蚀刻对象体上。 工艺气体被引入到处理室中。 通过向第一和第二电极之一施加RF功率，在处理室中形成等离子体。 对第一和​​第二电极中的一个施加DC电压。 直流电压在-200〜-1500V的范围内。