公开(公告)号：KR1020150130920A

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：KR1020150064666

申请日：2015-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로츠신 ,  이가라시요시키 ,  미와도모노리 ,  오카다히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 피에칭층에형성되는복수의개구의폭의차이를저감시킨다. 피에칭층을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 피에칭층상에형성된유기막으로이루어지는마스크층상에플라즈마반응생성물을퇴적시키는제1 공정과, (b) 제1 공정후에, 피에칭층을에칭하는제2 공정을포함한다. 마스크층은, 조영역및 밀영역을갖는다. 조영역에는복수의개구가형성되어있다. 밀영역은조영역을둘러싸고있고, 상기밀영역에는조영역보다마스크가조밀하게존재하고있다. 조영역은, 제1 영역, 및제2 영역을포함하고있다. 제2 영역은, 제1 영역보다밀영역에가까운영역이다. 이방법의제1 공정에서는, 제1 영역에서의개구의폭이, 제2 영역에서의개구의폭보다좁아진다.

Abstract translation: 本发明涉及一种蚀刻目标蚀刻层的方法，能够减少形成在目标蚀刻层上的多个开口之间的差异。 该方法包括：在由形成在目标蚀刻层上的有机层形成的掩模层上沉积等离子体反应产物的第一步骤（a） 以及在第一步骤之后蚀刻目标蚀刻层的第二步骤（b）。 掩模层包括粗糙区域和细小区域。 在粗糙区域形成多个开口。 精细的区域围绕着粗糙的区域，并且在比粗糙区域更细的区域中更密集地存在。 粗糙区域包括第一和第二区域。 第二个区域比第一个区域更靠近精细区域。 在该方法的第一步骤中，第一区域中的开口的宽度变得比第二区域中的开口的宽度窄。

公开(公告)号：KR101863992B1

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：KR1020150064666

申请日：2015-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로츠신 ,  이가라시요시키 ,  미와도모노리 ,  오카다히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 피에칭층에형성되는복수의개구의폭의차이를저감시킨다. 피에칭층을에칭하는방법이제공된다. 이방법은, (a) 피에칭층상에형성된유기막으로이루어지는마스크층상에플라즈마반응생성물을퇴적시키는제1 공정과, (b) 제1 공정후에, 피에칭층을에칭하는제2 공정을포함한다. 마스크층은, 조영역및 밀영역을갖는다. 조영역에는복수의개구가형성되어있다. 밀영역은조영역을둘러싸고있고, 상기밀영역에는조영역보다마스크가조밀하게존재하고있다. 조영역은, 제1 영역, 및제2 영역을포함하고있다. 제2 영역은, 제1 영역보다밀영역에가까운영역이다. 이방법의제1 공정에서는, 제1 영역에서의개구의폭이, 제2 영역에서의개구의폭보다좁아진다.

公开(公告)号：KR100576399B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020040070432

申请日：2004-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  다나카히데아키 ,  오카야마노부유키 ,  미야가와마사아키 ,  미즈카미순스케 ,  시미즈와타루 ,  히로세준 ,  와카키도시카츠 ,  미와도모노리 ,  오오야부준 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있음과 동시에 반도체 웨이퍼의 주연부 이면측에 대한 데포지션의 발생을 종래에 비교해서 저감할 수 있는 포커스 링 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
진공 챔버(1)내에는 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대(2)가 설치되어 있고, 이 탑재대(2)에 탑재된 반도체 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 포커스 링(8)이 설치되어 있다. 포커스 링(8)은 유전체로 이루어지는 링형상의 하측부재(9)와 이 하측부재(9)의 상부에 배치되고, 도전성 재료로 이루어지는 링형상의 상측부재(10)로 구성되어 있고, 상측부재(10)는 그 상면의 외주측이 반도체 웨이퍼(W)의 피처리면보다 높은 평탄부(10a)로 되고, 이 평탄부(10a)의 내주부가 외주측이 내주측보다 높아지도록 경사하는 경사부(10b)로 되어 있다.

公开(公告)号：KR1020050025079A

公开(公告)日：2005-03-11

申请号：KR1020040070432

申请日：2004-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  다나카히데아키 ,  오카야마노부유키 ,  미야가와마사아키 ,  미즈카미순스케 ,  시미즈와타루 ,  히로세준 ,  와카키도시카츠 ,  미와도모노리 ,  오오야부준 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642

Abstract: A focus ring and a plasma processing apparatus are provided to obtain the same uniform plasma processing of an edge as a center of wafer and to reduce a deposition in the back surface of edge. A focus ring includes a lower member and an upper member. The lower member(9) is formed with a dielectric. An upper member(10) made of a conductive material is formed on the top of the lower member. An inclined portion that an outer circumferential side thereof is higher than an inner circumferential side is formed on the top surface of the upper member. The position of end of the outer circumferential side in the inclined portion is higher than the position of a surface of the wafer(W) to be processed. The inner circumferential side of the upper member is spaced apart from a circumferential edge of the wafer by a predetermined distance.

Abstract translation: 提供聚焦环和等离子体处理装置以获得作为晶片中心的边缘的相同的均匀等离子体处理并减少边缘的后表面中的沉积。 聚焦环包括下部构件和上部构件。 下部构件（9）形成有电介质。 由导电材料制成的上部构件（10）形成在下部构件的顶部上。 在上部构件的上表面上形成有外周侧高于内周侧的倾斜部。 倾斜部分中的外周侧的端部的位置高于待处理的晶片（W）的表面的位置。 上部构件的内周侧与晶片的圆周边缘间隔预定距离。