公开(公告)号：KR100959740B1

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：KR1020097018280

申请日：2003-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아와무라데쓰토시 ,  기바유키오 ,  다나카게이이치 ,  오쿠보다카히로 ,  니시키도슈이치

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/30 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225

Abstract: 린스 노즐(310a∼310e)은, 린스액(326)을 토출하면서 웨이퍼(W) 상을 이동한다. 이 때, 각각의 토출구(317a∼317e)와 웨이퍼(W)에 도포되어 있는 현상액(350) 또는 웨이퍼(W) 상의 린스액(326)이 접촉하고 있도록 한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 주는 충격을 완화시킬 수 있어, 패턴 무너짐을 피할 수 있다. 또한, 린스 노즐 (310a)의 앞면에 현상액(350)에 밀어낼 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050008643A

公开(公告)日：2005-01-21

申请号：KR1020047009165

申请日：2003-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아와무라데쓰토시 ,  기바유키오 ,  다나카게이이치 ,  오쿠보다카히로 ,  니시키도슈이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/30 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225 ,  G03F7/3057

Abstract: 린스 노즐(310a∼310e)은, 린스액(326)을 토출하면서 웨이퍼(W) 상을 이동한다. 이 때, 각각의 토출구(317a∼317e)와 웨이퍼(W)에 도포되어 있는 현상액(350) 또는 웨이퍼(W) 상의 린스액(326)이 접촉하고 있도록 한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 주는 충격을 완화시킬 수 있어, 패턴 무너짐을 피할 수 있다. 또한, 린스 노즐 (310a)의 앞면에 현상액(350)에 밀어낼 수 있다.

公开(公告)号：KR100935286B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020047009165

申请日：2003-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아와무라데쓰토시 ,  기바유키오 ,  다나카게이이치 ,  오쿠보다카히로 ,  니시키도슈이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/30 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225

Abstract: 린스 노즐(310a∼310e)은, 린스액(326)을 토출하면서 웨이퍼(W) 상을 이동한다. 이 때, 각각의 토출구(317a∼317e)와 웨이퍼(W)에 도포되어 있는 현상액(350) 또는 웨이퍼(W) 상의 린스액(326)이 접촉하고 있도록 한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 주는 충격을 완화시킬 수 있어, 패턴 무너짐을 피할 수 있다. 또한, 린스 노즐 (310a)의 앞면에 현상액(350)에 밀어낼 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090118945A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：KR1020097018280

申请日：2003-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아와무라데쓰토시 ,  기바유키오 ,  다나카게이이치 ,  오쿠보다카히로 ,  니시키도슈이치

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/30 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225

Abstract: A substrate processing device, wherein rinse nozzles (310a) to (310e) are moved over a wafer (W) while jetting rinse fluid (326) with jetting ports (317a) to (317e) brought into contact with developer (350) coated on the wafer (W) or the rinse fluid (326) on the wafer (W), whereby an impact on the wafer (W) can be relieved and a pattern falling can be avoided, and the developer (350) can be pushed by the front face of the rinse nozzle (310a).

Abstract translation: 一种衬底处理装置，其中冲洗喷嘴（310a）至（310e）在晶片（W）上方移动，同时用与涂覆在其上的显影剂（350）接触的喷射口（317a）至（317e）喷射冲洗流体（326） 晶片（W）或晶片（W）上的冲洗流体（326），从而可以减轻对晶片（W）的冲击，并且可以避免图案下落，并且显影剂（350）可被 冲洗喷嘴（310a）的前表面。