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公开(公告)号：KR1020140081702A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020130158156
申请日：2013-12-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/30 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45551 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: The present invention relates to a method for forming a layer using a layer forming apparatus to form a doped oxide layer including a first element and a second element on a plurality of substrates. The method includes a layer forming process of supplying a first reaction gas including the first element from a first gas supply unit, supplying an oxide gas from a second gas supply unit, and forming an oxide layer including the first element on a substrate; and a doping process of supplying a second reaction gas including the second element from one of the first gas supply unit and the second gas supply unit and supplying an inert gas from the other one of the first gas supply unit and the second gas supply unit to dope the second element on the oxide layer.
Abstract translation: 本发明涉及使用层形成装置形成层的方法，以在多个基板上形成包括第一元件和第二元件的掺杂氧化物层。 该方法包括：从第一气体供给单元供给包括第一元件的第一反应气体，从第二气体供给单元供给氧化物气体，在基板上形成包含第一元素的氧化物层的层形成工序; 以及从第一气体供给单元和第二气体供给单元之一供给包括第二元件的第二反应气体并从第一气体供给单元和第二气体供给单元中的另一个供给惰性气体的掺杂过程， 掺杂氧化层上的第二个元素。
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公开(公告)号：KR101704863B1
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020130158156
申请日：2013-12-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/30 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45551 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 성막장치를사용하여, 상기복수의기판상에, 제1 원소및 제2 원소를포함하는도프산화막을성막하는성막방법이며, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 원소를포함하는제1 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여, 상기기판상에상기제1 원소를포함하는산화막을성막하는성막공정과, 상기제1 가스공급부또는상기제2 가스공급부중 한쪽으로부터상기제2 원소를포함하는제2 반응가스를공급하고, 상기제1 가스공급부또는상기제2 가스공급부중 다른쪽으로부터불활성가스를공급하여, 상기산화막상에상기제2 원소를도프하는도프공정을포함한다.
Abstract translation: 一种沉积形成掺杂氧化物膜的膜的方法，该膜包括含有第一元素的第一氧化物膜，并且在安装在转台上的基板上掺杂有第二元素，所述基板包括通过旋转转盘预定匝而将第一氧化物膜沉积到基板上，同时 从第一气体供给部供给含有第一元素的第一反应气体，从第二气体供给部供给氧化气体，从分离气体供给部供给分离气体，并将第二氧化物膜与第二气体 从第一和第二气体供给部中的一个供给含有第二元素的第二反应气体，从另一个供给惰性气体，从分离气体供给部供给分离气体， 。
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公开(公告)号：KR101862907B1
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：KR1020150065193
申请日：2015-05-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/4584
Abstract: 기판(W) 상에 TiN의연속막을성막하는성막방법이며, 상기기판상에 TiO의연속막을성막하는공정과, 상기 TiO의연속막상에, 상기 TiO막보다도두꺼운 TiN의연속막을성막하는공정을갖는다.
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公开(公告)号：KR1020150129618A
公开(公告)日：2015-11-20
申请号：KR1020150065193
申请日：2015-05-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/4584
Abstract: 기판(W) 상에 TiN의연속막을성막하는성막방법이며, 상기기판상에 TiO의연속막을성막하는공정과, 상기 TiO의연속막상에, 상기 TiO막보다도두꺼운 TiN의연속막을성막하는공정을갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在基板（W）上形成TiN连续膜的成膜方法，该方法包括以下工序：在基板上形成连续的TiO_2膜; 并且在TiO_2的连续膜上形成比TiO_2膜更厚的TiN连续膜。 该方法缩短成膜延迟时间，并且即使在形成厚度为8nm或更薄的TiN膜时也可以形成连续膜。
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