公开(公告)号：KR100720777B1

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020060104499

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR101575395B1

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：KR1020130005859

申请日：2013-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  기쿠치히로유키 ,  구마가이다케시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0206

Abstract: 내부에, 절연물로형성되는동시에, 표면에기판적재부가설치된서셉터가회전가능하게설치되는진공용기로제1 가스를공급하는스텝과, 상기진공용기에대하여설치되는플라즈마발생원에대하여고주파를공급하고, 상기제1 가스로부터플라즈마를생성하는스텝과, 상기서셉터를회전하고, 상기기판적재부가노출된상태에서, 당해기판적재부를상기플라즈마에노출시키는스텝을포함하는, 파티클저감방법이다.

公开(公告)号：KR1020130075695A

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020120153211

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토오히토시 ,  다무라다츠야 ,  구마가이다케시

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C14/00 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/30 ,  H01L21/76224

Abstract: PURPOSE: A method for forming a film is provided to prevent the reaction of Si-contained gas and oxidation gas in a vacuum container and to accurately maintain airtightness between a ceiling plate and a frame member. CONSTITUTION: A method for forming a film is as follows: a step of controlling the adsorption distribution of a hydroxyl group in a depth direction of a recessed part (24) of a base plate; a step of supply first reaction gas on the base plate on which the hydroxyl group is adsorbed; and a step of supply second reaction gas on the base plate on which the first reaction gas is adsorbed. [Reference numerals] (100) Control unit; (101) Memory unit; (102) Medium; (AA,BB,CC,DD) N-2 gas

Abstract translation: 目的：提供一种形成膜的方法，以防止真空容器中的含Si气体和氧化气体的反应，并且能够精确地保持顶板和框架构件之间的气密性。 构成：形成膜的方法如下：控制基板的凹部（24）的深度方向的羟基的吸附分布的工序; 在其上吸附有羟基的基板上供应第一反应气体的步骤; 以及在其上吸附有第一反应气体的基板上供给第二反应气体的步骤。 （附图标记）（100）控制单元; （101）存储单元; （102）中等; （AA，BB，CC，DD）N-2气体

公开(公告)号：KR102198727B1

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：KR1020160175601

申请日：2016-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이다케시 ,  다카하시유타카 ,  흐시아오치이흐시앙 ,  엔도아츠시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/56 ,  H01L21/687

Abstract: 보호막형성방법이제공된다. 이방법에서는, 복수의오목형상이형성된기판의표면위에유기금속가스또는유기반금속가스를포함하는원료가스가공급되어, 상기기판의표면위에상기원료가스를흡착시킨다. 그리고, 상기복수의오목형상을포함하는상기기판의표면위에산화가스가공급되어, 상기기판의표면위에흡착된상기원료가스를산화하여, 상기복수의오목형상사이의평탄영역위에상기원료가스에포함되는유기금속또는유기반금속의산화막을성막한다. 상기원료가스흡착공정및 상기산화공정은, 1분간 90회이상 300회이하의반복주기로반복하여행하여진다.

公开(公告)号：KR1020170077047A

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：KR1020160175601

申请日：2016-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이다케시 ,  다카하시유타카 ,  흐시아오치이흐시앙 ,  엔도아츠시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/56 ,  H01L21/687

Abstract: 보호막형성방법이제공된다. 이방법에서는, 복수의오목형상이형성된기판의표면위에유기금속가스또는유기반금속가스를포함하는원료가스가공급되어, 상기기판의표면위에상기원료가스를흡착시킨다. 그리고, 상기복수의오목형상을포함하는상기기판의표면위에산화가스가공급되어, 상기기판의표면위에흡착된상기원료가스를산화하여, 상기복수의오목형상사이의평탄영역위에상기원료가스에포함되는유기금속또는유기반금속의산화막을성막한다. 상기원료가스흡착공정및 상기산화공정은, 1분간 90회이상 300회이하의반복주기로반복하여행하여진다.

Abstract translation: 提供了一种形成保护膜的方法。 在该方法中，将含有有机金属气体或油性金属气体的原料气体供给至形成有多个凹形状的基板的表面上，使原料气体吸附于基板的表面。 向包含多个凹形状的基板的表面供给氧化性气体，使吸附在基板表面上的原料气体氧化，以便在多个凹形状之间的平坦区域中包含在原料气体中 形成有机金属或油基金属的氧化物膜。 原料气体吸附工序和氧化工序以90次以上且300次以下的重复频率重复进行1分钟。

公开(公告)号：KR1020010107782A

公开(公告)日：2001-12-07

申请号：KR1020010029396

申请日：2001-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR102064640B1

公开(公告)日：2020-01-08

申请号：KR1020160170241

申请日：2016-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구마가이다케시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

公开(公告)号：KR101829951B1

公开(公告)日：2018-02-19

申请号：KR1020140121108

申请日：2014-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다무라다츠야 ,  구마가이다케시 ,  치바다카시

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228

Abstract: 본발명은실리콘산화막의제조방법을제공하는것이다. 상기방법에서는, 표면에금속막을갖는기판을반응용기내에설치하고, 상기기판을설치한후, 수소가스공급수단에의해, 상기반응용기내에수소가스의공급을개시한다. 수소가스의공급후, 산화가스공급수단에의해, 상기반응용기내에산화가스의공급을개시함과함께, 실리콘함유가스공급수단에의해, 상기반응용기내에실리콘함유가스의공급을개시한다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造氧化硅膜的方法。 在该方法中，将在其表面上具有金属膜的基板放置在反应容器中，并且在基板放置之后，通过氢气供应装置开始将氢气供应到反应容器中。 在供应氢气之后，通过氧化气体供应装置开始向反应容器供应氧化气体，并且通过含硅气体供应装置开始向反应容器供应含硅气体。

公开(公告)号：KR100809759B1

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：KR1020010029396

申请日：2001-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR100720778B1

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020060104505

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.