公开(公告)号：KR1020140081702A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020130158156

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  이케가와히로아키 ,  와무라유 ,  오타니무네유키 ,  오가와준 ,  다카하시고스케

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention relates to a method for forming a layer using a layer forming apparatus to form a doped oxide layer including a first element and a second element on a plurality of substrates. The method includes a layer forming process of supplying a first reaction gas including the first element from a first gas supply unit, supplying an oxide gas from a second gas supply unit, and forming an oxide layer including the first element on a substrate; and a doping process of supplying a second reaction gas including the second element from one of the first gas supply unit and the second gas supply unit and supplying an inert gas from the other one of the first gas supply unit and the second gas supply unit to dope the second element on the oxide layer.

Abstract translation: 本发明涉及使用层形成装置形成层的方法，以在多个基板上形成包括第一元件和第二元件的掺杂氧化物层。 该方法包括：从第一气体供给单元供给包括第一元件的第一反应气体，从第二气体供给单元供给氧化物气体，在基板上形成包含第一元素的氧化物层的层形成工序; 以及从第一气体供给单元和第二气体供给单元之一供给包括第二元件的第二反应气体并从第一气体供给单元和第二气体供给单元中的另一个供给惰性气体的掺杂过程， 掺杂氧化层上的第二个元素。

公开(公告)号：KR1020140067915A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020130142181

申请日：2013-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키유 ,  오가와준

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: A film deposition method includes steps where a separation gas supplying part and a first gas supplying part supply a separation gas and a first reaction gas, and a rotary table rotates to a first angle; the second gas supplying part and the first gas supplying part supplies the separation gas and the first reaction gas, a second gas supplying part supplies a second reaction gas, and the rotary table rotates to a second angle; the separation gas supplying part and the first gas supplying part supply the separation gas and the first reaction gas, and the rotary table rotates to a third angle; and the separation gas supplying part and the first gas supplying part supply the separation gas and the first reaction gas, the second gas supplying part supplies a third reaction gas, and the rotary table rotates to a fourth angle.

Abstract translation: 成膜方法包括分离气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体的步骤，旋转台旋转到第一角度; 第二气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体，第二气体供给部供给第二反应气体，旋转台旋转至第二角度; 分离气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体，旋转台旋转到第三角度; 分离气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体，第二气体供给部供给第三反应气体，旋转台旋转至第四角度。

公开(公告)号：KR101917414B1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：KR1020150160348

申请日：2015-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  하야세후미아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키히로코 ,  사사키유

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/45578

Abstract: 유체를공급하기위한노즐이며, 내부에관로가형성되고, 상기관로의길이방향을따라복수의유체토출구멍이형성된유체토출면을갖는관상부와, 상기관로내에상기길이방향을따라연장되어설치되고, 상기관로를, 상기유체토출면을포함하는제1 영역과상기유체토출면을포함하지않는제2 영역으로구획하고, 상기길이방향에있어서상기복수의유체토출구멍보다도적은수의분산구멍이형성된구획판과, 상기제2 영역에연통하는유체도입로를갖는다.

公开(公告)号：KR101704863B1

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020130158156

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  이케가와히로아키 ,  와무라유 ,  오타니무네유키 ,  오가와준 ,  다카하시고스케

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 성막장치를사용하여, 상기복수의기판상에, 제1 원소및 제2 원소를포함하는도프산화막을성막하는성막방법이며, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 원소를포함하는제1 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여, 상기기판상에상기제1 원소를포함하는산화막을성막하는성막공정과, 상기제1 가스공급부또는상기제2 가스공급부중 한쪽으로부터상기제2 원소를포함하는제2 반응가스를공급하고, 상기제1 가스공급부또는상기제2 가스공급부중 다른쪽으로부터불활성가스를공급하여, 상기산화막상에상기제2 원소를도프하는도프공정을포함한다.

Abstract translation: 一种沉积形成掺杂氧化物膜的膜的方法，该膜包括含有第一元素的第一氧化物膜，并且在安装在转台上的基板上掺杂有第二元素，所述基板包括通过旋转转盘预定匝而将第一氧化物膜沉积到基板上，同时 从第一气体供给部供给含有第一元素的第一反应气体，从第二气体供给部供给氧化气体，从分离气体供给部供给分离气体，并将第二氧化物膜与第二气体 从第一和第二气体供给部中的一个供给含有第二元素的第二反应气体，从另一个供给惰性气体，从分离气体供给部供给分离气体， 。

公开(公告)号：KR1020140081701A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020130158152

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  고아쿠츠마사토 ,  오가와준

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention relates to a method for forming a layer by using a layer forming apparatus having a rotating table capable of loading a plurality of substrates thereon, a first gas supply unit, and a second gas supply unit. The method includes: a first process of rotating the rotating table by supplying an oxide gas from the first and second gas supply units; a second process of supplying a first reaction gas including a first element from the first gas supply unit, rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the second gas supply unit, and forming a first oxide layer including the first element on the substrate; a third process of rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the first and second gas supply units; and a fourth process of supplying a second reaction gas including a second element from the first gas supply unit, rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the second gas supply unit, and forming a second oxide layer including the second element on the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用具有能够在其上装载多个基板的旋转台的层形成装置，第一气体供应单元和第二气体供应单元来形成层的方法。 该方法包括：通过从第一和第二气体供应单元提供氧化物气体来旋转旋转台的第一过程; 从第一气体供应单元供应包括第一元件的第一反应气体的第二过程，通过从第二气体供应单元提供氧化物气体旋转旋转台，以及在基板上形成包括第一元素的第一氧化物层; 通过从第一和第二气体供应单元供应氧化物气体来旋转旋转台的第三过程; 以及从第一气体供给单元供给包括第二元件的第二反应气体的第四工序，通过从第二气体供给单元供给氧化物气体来旋转旋转台，在基板上形成包含第二元素的第二氧化物层 。

公开(公告)号：KR1020140043879A

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：KR1020130117950

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸

Inventor： 아즈모슈지 ,  가시와기유사쿠 ,  모로즈미유이치로 ,  와무라유 ,  하라다가츠시게 ,  다카하시고스케 ,  와타나베헤이지 ,  시무라다카요시 ,  호소이다쿠지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/401 ,  C23C16/303 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/044 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: [OBJETIVE] a film forming method capable of generating an AlON layer which is uniformly dispersed in the thickness direction of nitrogen even though the thickness of a layer is thick. [SOLUTION] after forming an AlN layer (23) on the SiC substrate (17) of a wafer (W), an AlON layer (25) which has a stack structure where an AlO layer (24) and an AlN layer (23) are alternately stacked by repeatedly forming the AlN layer (23) on the film-formed AlO layer (24) and the film forming layer of the AlO layer (24) is formed and then the AlON layer (25) having the stack structure is heat-treated.

Abstract translation: 即使层的厚度较厚，也能够产生均匀分散在氮的厚度方向上的AlON层的成膜方法。 在晶片（W）的SiC衬底（17）上形成AlN层（23）之后，具有AlO层（24）和AlN层（23）的堆叠结构的AlON层（25） 通过在膜形成的AlO层（24）上重复形成AlN层（23）而交替层叠，形成AlO层（24）的成膜层，然后具有堆叠结构的AlON层（25）为热 治疗过的。

公开(公告)号：KR102117127B1

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：KR1020130117950

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸

Inventor： 아즈모슈지 ,  가시와기유사쿠 ,  모로즈미유이치로 ,  와무라유 ,  하라다가츠시게 ,  다카하시고스케 ,  와타나베헤이지 ,  시무라다카요시 ,  호소이다쿠지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR101695511B1

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020130158152

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  고아쿠츠마사토 ,  오가와준

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 복수의기판을적재가능한회전테이블과, 제1 가스공급부와, 제2 가스공급부를구비하는성막장치를이용한성막방법으로서, 상기제1 및제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키는제1 공정과, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 원소를포함하는제1 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키고, 상기기판상에상기제1 원소를포함하는제1 산화막을성막하는제2 공정과, 상기제1 및제2 가스공급부로부터상기산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키는제3 공정과, 상기제1 가스공급부로부터상기제2 원소를포함하는제2 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터상기산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키고, 상기기판상에상기제2 원소를포함하는제2 산화막을성막하는제4 공정을포함한다.

Abstract translation: 一种使用包括转台安装基板的设备在基板上沉积薄膜的方法，设置有气体供应部分的转盘上表面上方的第一和第二处理区域，在第一和第二处理区域之间的分离气体供应部分和 分离区域，包括通过旋转转盘第一匝来沉积第一氧化物膜，同时供应第一反应气体，来自第二气体供应部分的氧化气体和分离气体; 在从第一气体供给部分和分离气体供应部分供应分离气体的同时旋转至少一圈，并且来自第二气体供应部分的氧化气体; 并且至少第二匝旋转以沉积第二氧化物膜，同时从第一气体供应部分提供第二反应气体，来自第二气体供应部分的氧化气体和分离气体。

公开(公告)号：KR1020160059968A

公开(公告)日：2016-05-27

申请号：KR1020150160348

申请日：2015-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  하야세후미아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키히로코 ,  사사키유

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/45578

Abstract: 유체를공급하기위한노즐이며, 내부에관로가형성되고, 상기관로의길이방향을따라복수의유체토출구멍이형성된유체토출면을갖는관상부와, 상기관로내에상기길이방향을따라연장되어설치되고, 상기관로를, 상기유체토출면을포함하는제1 영역과상기유체토출면을포함하지않는제2 영역으로구획하고, 상기길이방향에있어서상기복수의유체토출구멍보다도적은수의분산구멍이형성된구획판과, 상기제2 영역에연통하는유체도입로를갖는다.

Abstract translation: 设有用于供给流体的喷嘴。 喷嘴具有管状部分，其形成在管中，并且具有沿着管的长度方向形成的流体喷射孔的流体喷射表面，沿管道的长度方向延伸的分隔板，将管 进入包括流体喷射表面的第一区域和除了流体喷射表面之外的第二区域，并且具有分散孔。 分散孔的数量小于流体注入孔的数量。 因此，喷嘴可以防止原料气体的自分解并供应。

公开(公告)号：KR101658270B1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020130142181

申请日：2013-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키유 ,  오가와준

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551

Abstract: 분리가스공급부및 제1 가스공급부로부터분리가스및 제1 반응가스를공급하면서, 회전테이블을제1 각도까지회전시키고, 상기분리가스공급부및 상기제1 가스공급부로부터상기분리가스및 상기제1 반응가스를공급하면서, 제2 가스공급부로부터제2 반응가스를공급하고, 또한, 상기회전테이블을제2 각도까지회전시키고, 상기분리가스공급부및 상기제1 가스공급부로부터상기분리가스및 상기제1 반응가스를공급하면서, 상기회전테이블을제3 각도까지회전시키고, 상기분리가스공급부및 상기제1 가스공급부로부터상기분리가스및 상기제1 반응가스를공급하면서, 상기제2 가스공급부로부터제3 반응가스를공급하고, 또한, 상기회전테이블을제4 각도까지회전시키는, 성막방법.