公开(公告)号：KR1020150033570A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：KR1020140126598

申请日：2014-09-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈아키타카 ,  오히시데츠야

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C14/3457 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/32137

Abstract: 높은종횡비의형상을높은에칭레이트로형성할수 있는피처리체의플라즈마처리방법을제공한다. 일실시형태에따른피처리체의플라즈마처리방법에있어서는, 상부전극과그 상부전극에대향하여배치되는하부전극의사이에서생성되는플라즈마에의해처리용기내에배치되는피처리체가처리된다. 이방법은, SF, ClF, 및 F중적어도어느하나를함유하는제 1 가스를처리용기내에공급하고, 상기제 1 가스의플라즈마를생성하여, 피처리체의피에칭층을에칭하는에칭공정과, 하이드로카본, 플루오로카본및 플루오로하이드로카본중 적어도어느하나를함유하는제 2 가스를처리용기내에공급하고, 상기제 2 가스의플라즈마를생성하여, 피에칭층의적어도일부에제 2 가스에서유래하는보호막을형성하는제 1 성막공정을포함한다. 에칭공정에있어서는, 처리용기내의압력이제 1 압력으로되고또한하부전극에제 1 바이어스전력이인가된다. 제 1 성막공정에있어서는, 처리용기내의압력이제 1 압력보다도낮은제 2 압력으로되고또한하부전극에제 1 바이어스전력보다도높은제 2 바이어스전력이인가된다. 그리고, 에칭공정및 제 1 성막공정을포함하는시퀀스가반복하여실행된다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理方法，该方法可以通过高蚀刻速率形成具有待处理的高纵横比的物体。 根据本发明的等离子体处理方法利用在处理处理容器中处理物体的相反侧的上电极和下电极之间产生的等离子体。 该方法将三种气体（包括SF6，ClF3或F2）中的任何一种提供给容器，同时产生第一气体的等离子体，以蚀刻待蚀刻的物体层。 它还向容器提供含有烃，碳氟化合物或氟代烃中的任何一种的第二气体，同时产生从要蚀刻的物体的一些物体上的第二气体等离子体产生的保护膜（1号膜形成工艺） 。 在蚀刻处理中，容器内的压力成为第一压力，第一偏压功率施加到下部电极。 在1号成膜工序中，容器内的压力成为比第一压力低的第二压力，第二压力比施加于下部电极的第二压力高。 包括蚀刻和1号膜形成过程的顺序反复进行。