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公开(公告)号：KR1020090016425A
公开(公告)日：2009-02-13
申请号：KR1020080077961
申请日：2008-08-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: A method for removing impurities from quartz component of batch type heat processing apparatus is provided to remove metallic impurity emitting the metallic impurity from the quartz component by performing a bake processing of the quartz inner surface of the treatment basin. In a method for removing impurities from quartz component of batch type heat processing apparatus, a plurality of processed substrates is received into the treatment basin(2) in a vertical direction by a certain intervals. The treatment basin has the quartz inner surface exposed to the thermal process. A heater(23) heats up the processing inside of container. An exhaust system(21) discharges exhaust gas of the processing inside of container. A processing gas supply system(4) supplies a process gas to the treatment basin. A gas including the chlorine and steam is supplied to the treatment basin. A bake processing to the quartz inner surface is preformed by heating the quartz inner surface of the treatment basin. Through the bake processing, the metallic impurity is emitted from the quartz inner surface and is adhered to the dummy substrate.
Abstract translation: 提供了一种从间歇式热处理装置的石英成分除去杂质的方法，通过对处理池的石英内表面进行烘烤处理，除去从石英成分发出金属杂质的金属杂质。 在从间歇式热处理装置的石英成分除去杂质的方法中，多个处理过的基板沿垂直方向一定间隔地被收纳到处理池（2）中。 处理池具有暴露于热过程的石英内表面。 加热器（23）加热容器内部的处理。 排气系统（21）排出容器内的处理废气。 处理气体供给系统（4）向处理池供给处理气体。 将包括氯气和蒸汽的气体供应到处理池。 通过加热处理池的石英内表面，对石英内表面进行烘烤加工。 通过烘烤处理，金属杂质从石英内表面发射并附着在虚设基板上。
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公开(公告)号：KR101149100B1
公开(公告)日：2012-05-25
申请号：KR1020080077961
申请日：2008-08-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 배치식 열처리 장치에 있어서 석영제 구성 부품으로부터 금속 불순물을 제거하기 위한 방법은 제품용 피처리 기판을 수용하지 않은 처리 용기 내에 금속 불순물을 부착시키기 위한 복수의 더미 기판을 수용하는 공정과, 다음에, 처리 용기 내에 염소를 포함하는 가스와 수증기를 공급하면서 처리 용기의 석영제 내면을 처리 온도로 가열함으로써 상기 석영제 부분에 대해 베이크 처리를 실시하여 석영제 내면으로부터 금속 불순물을 방출시켜 더미 기판에 부착시키는 공정과, 다음에, 금속 불순물이 부착된 더미 기판을 반응 용기로부터 반출하는 공정을 구비한다.
배치식 열처리 장치, 더미 기판, 베이크 처리, 반응 용기, 웨이퍼 보트-
公开(公告)号：KR101131640B1
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：KR1020070122379
申请日：2007-11-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/316 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/31058 , H01L21/3125 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: 폴리실라잔막을 처리하는 방법은, 폴리실라잔의 도포막이 표면에 배치된 피처리 기판을 수납하는 반응 용기의 처리 영역을, 산소를 포함하고 또한 6.7 ㎪ 내지 26.7 ㎪의 제1 압력을 갖는 제1 분위기로 설정한 상태에서, 상기 처리 영역을 예열 온도로부터 소정 온도까지 변화시키는 승온을 행한다. 다음에 상기 처리 영역을, 산화 가스를 포함하고 또한 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력을 갖는 제2 분위기로 설정한 상태에서, 상기 소정 온도 이상의 제1 처리 온도에서 상기 도포막을 소성하여 실리콘 및 산소를 포함하는 절연막을 얻기 위해 제1 열처리를 행한다.
폴리실라잔막, 반응 용기, 피처리 기판, 승화 가스, 절연막-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080049644A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：KR1020070122379
申请日：2007-11-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/316 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/31058 , H01L21/3125 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: A method for processing a polysilazane layer is performed at a low temperature or at low speed or by using a cycle purge. A target substrate(W) having a polysilazane coating layer formed on a surface thereof is loaded into a processing region of a reaction receptacle. A temperature increasing process is performed to change the temperature of the processing region from the pre-heating temperature to the predetermined temperature while the processing region is set as the first atmosphere including oxygen and having the first pressure of 6.7kPa to 26.7kPa. A first thermal process is performed to obtain an insulating layer including silicon and oxygen by baking the polysilazane coating layer at the first processing temperature while the processing region is set as the second atmosphere including an oxidizing gas and having the second pressure higher than the first pressure.
Abstract translation: 在低温或低速下进行聚硅氮烷层的处理方法，或者使用循环吹扫法。 在其表面形成有聚硅氮烷涂层的目标基材（W）被装载到反应容器的处理区域中。 进行升温处理，将处理区域的温度从预热温度改变为规定温度，同时将处理区域设定为包含氧气且第一压力为6.7kPa〜26.7kPa的第一气氛。 进行第一热处理以通过在第一处理温度下烘烤聚硅氮烷涂层来获得包括硅和氧的绝缘层，同时将处理区域设置为包括氧化气体并且具有高于第一压力的第二压力的第二气氛 。
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公开(公告)号：KR1020050033469A
公开(公告)日：2005-04-12
申请号：KR1020040078885
申请日：2004-10-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3125 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02318 , H01L21/02337 , H01L21/76837 , H01L29/78
Abstract: A thermal processing method and apparatus are provided to form a polysilazane film having a good burying characteristic in a recessed portion, a high density and a good electrical characteristic or a high permittivity as a dielectric film by thermal processing a semiconductor substrate coated with a polysilazane film within a reaction vessel set at a predetermined temperature range. A semiconductor substrate(W) is heated by supplying a steam into a reaction vessel(3) that the temperature of a process area is set at the range of 390°C to 410°C. Next, the semiconductor substrate is heated by supplying a steam into a reaction vessel that the temperature of a process area is set at the range of 600°C to 800°C.
Abstract translation: 提供了一种热处理方法和装置，用于通过热处理形成具有良好掩埋特性的聚硅氮烷膜，其具有凹陷部分，高密度和良好的电特性或高介电常数，通过热处理涂覆有聚硅氮烷膜的半导体衬底 在设置在预定温度范围内的反应容器内。 通过向反应容器（3）中提供蒸汽来加热半导体衬底（W），处理区域的温度设定在390℃至410℃的范围内。 接下来，通过将蒸汽供给到处理区域的温度设定在600℃〜800℃的范围内的反应容器来加热半导体基板。
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公开(公告)号：KR101409604B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020110075121
申请日：2011-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02304 , H01L21/02323 , H01L21/32055 , H01L21/32105 , H01L21/67207 , H01L21/76227
Abstract: 본 발명의 과제는, 트렌치의 내부에 산화 장벽이 되는 막을 형성하지 않아도, 트렌치의 내부에 매립된 매립 재료에 공극이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능한 트렌치의 매립 방법을 제공하는 것이다.
적어도 트렌치(6)의 측벽에 산화막(7)이 형성되어 있는 반도체 기판(1)을 가열하고, 반도체 기판(1)의 표면에 아미노실란계 가스를 공급하여 반도체 기판(1) 상에 시드층(8)을 형성하고, 시드층(8)이 형성된 반도체 기판(1)을 가열하고, 시드층(8)의 표면에 모노실란 가스를 공급하여 시드층(8) 상에 실리콘막(9)을 형성하고, 실리콘막(9)이 형성된 반도체 기판(1)의 트렌치(6)를, 소성함으로써 수축되는 매립 재료(10)를 사용하여 매립 트렌치(6)를 매립하는 매립 재료(10)를, 물 및/또는 히드록시기를 포함하는 분위기 중에서 소성하는 동시에, 실리콘막(9) 및 시드층(8)을 실리콘 산화물로 변화시킨다.-
公开(公告)号：KR1020120011825A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：KR1020110075121
申请日：2011-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02304 , H01L21/02323 , H01L21/32055 , H01L21/32105 , H01L21/67207 , H01L21/76227
Abstract: PURPOSE: A trench-filling method and a film deposition system are provided to prevent oxidation on a silicon film when gas is released by arranging a native oxide film on the surface of the silicon film in beforehand. CONSTITUTION: A pad oxide film(2) is formed by thermally oxidizing the surface of a silicon substrate(1). A silicon nitride film(3) is arranged on the pad oxide film. A photo-resist film(4) is formed by applying photo-resist materials on the silicon nitride film. A trench(6) is formed on the silicon substrate by anisotropic etching of the silicon substrate and the pad oxide film. An oxide film(7) is arranged on the surface of the silicon substrate exposed from the trench.
Abstract translation: 目的：提供沟槽填充方法和薄膜沉积系统，以防止通过在硅膜的表面上排列自然氧化膜而释放气体时在硅膜上氧化。 构成：通过热氧化硅衬底（1）的表面形成衬垫氧化膜（2）。 氮化硅膜（3）布置在衬垫氧化膜上。 通过在氮化硅膜上施加光致抗蚀剂材料形成光致抗蚀剂膜（4）。 通过硅衬底和衬垫氧化物膜的各向异性蚀刻，在硅衬底上形成沟槽（6）。 在从沟槽露出的硅衬底的表面上设置氧化膜（7）。
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公开(公告)号：KR100870609B1
公开(公告)日：2008-11-25
申请号：KR1020040078885
申请日：2004-10-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3125 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02318 , H01L21/02337 , H01L21/76837 , H01L29/78
Abstract: 본 발명의 과제는 오목부에의 매립성이 양호하고 고밀도인 절연막으로서 양호한 전기적 특성이나 유전율을 갖는 폴리실라잔막을 형성하는 것이다.
폴리실라잔의 도포막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해 수증기 분위기, 감압 분위기의 하, 200 ℃의 온도에서 열처리를 행하여(예비 처리) 도포막에 포함되는 용매 성분을 제거한다. 계속해서 수증기 분위기, 감압 분위기의 하, 390 ℃ 이상 410 ℃ 이하의 온도에서 웨이퍼에 대해 제1 열처리를 행하여 폴리실라잔막의 골격을 형성한다. 다음에 수증기 분위기, 감압 분위기의 하, 600 ℃ 이상 800 ℃ 이하의 온도에서 웨이퍼에 대해 제2 열처리를 행하여 폴리실라잔막에 포함되는 OH기에 유래하는 성분을 제거한다. 이와 같이 하여 형성된 폴리실라잔막, 오목부에의 매립성이 양호하고 고밀도이고, 또한 유전율이 낮고, 전기적 특성이 양호하며, 예를 들어 반도체 디바이스의 절연막으로서 양호한 특성을 갖는다.
웨이퍼, 폴리실라잔막, 반도체 디바이스, 가열로, 히터
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