公开(公告)号：KR101150026B1

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：KR1020090028426

申请日：2009-04-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네꼬히로후미 ,  이노우에히사시 ,  시오나가게이시 ,  히시야신고 ,  엔도오아쯔시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

Abstract: 복수의 피처리체를 간격을 두고 적층 상태로 수납하여 감압 하에서 열처리를 실시하기 위한 반도체 처리용의 반응관은 전기 절연성이면서 내열성 재료로 일체적으로 형성된다. 반응관은, 하단부에 피처리체를 반응관에 대하여 로드 및 언로드하기 위한 로드 포트를 갖는 원통형의 측벽과, 측벽 상단부를 막고 또한 측벽의 축 방향과 직교하여 내면이 평면 형상으로 형성된 원형의 천장벽을 구비한다. 천장벽은 외면측의 주연 영역에 측벽을 따라 형성된 환 형상 홈을 갖는다.
피처리체, 감압, 반응관, 천장벽, 로드

公开(公告)号：KR1020050033469A

公开(公告)日：2005-04-12

申请号：KR1020040078885

申请日：2004-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  아오끼기미야 ,  와따나베마사히사

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3125 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/76837 ,  H01L29/78

Abstract: A thermal processing method and apparatus are provided to form a polysilazane film having a good burying characteristic in a recessed portion, a high density and a good electrical characteristic or a high permittivity as a dielectric film by thermal processing a semiconductor substrate coated with a polysilazane film within a reaction vessel set at a predetermined temperature range. A semiconductor substrate(W) is heated by supplying a steam into a reaction vessel(3) that the temperature of a process area is set at the range of 390°C to 410°C. Next, the semiconductor substrate is heated by supplying a steam into a reaction vessel that the temperature of a process area is set at the range of 600°C to 800°C.

Abstract translation: 提供了一种热处理方法和装置，用于通过热处理形成具有良好掩埋特性的聚硅氮烷膜，其具有凹陷部分，高密度和良好的电特性或高介电常数，通过热处理涂覆有聚硅氮烷膜的半导体衬底 在设置在预定温度范围内的反应容器内。 通过向反应容器（3）中提供蒸汽来加热半导体衬底（W），处理区域的温度设定在390℃至410℃的范围内。 接下来，通过将蒸汽供给到处理区域的温度设定在600℃〜800℃的范围内的反应容器来加热半导体基板。

公开(公告)号：KR1020040031036A

公开(公告)日：2004-04-09

申请号：KR1020047003169

申请日：2002-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  제이에스알 가부시끼가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  사노데츠야 ,  세키구치마나부 ,  미타미치히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122

Abstract: 유기실록산막을 처리하는 방법은 폴리실록산계 약액의 도포막이 설치된 기판(W)을 반응 용기(1) 내에 반입하는 공정을 포함한다. 약액은 메틸기, 페닐기 및 비닐기로부터 선택되는 작용기와 실리콘 원자의 결합을 포함한다. 또한, 본 방법은 반응 용기(1) 내에서 기판(W)에 대해 열처리를 실시하여 도포막을 소성하는 공정을 포함한다. 열처리는 암모니아와 물이 혼합된 촉매 가스를 포함하는 처리 분위기 내에서 300 내지 400℃의 처리 온도에서 실시된다.

Abstract translation: 处理有机硅氧烷膜的方法包括将涂布有聚硅氧烷基础溶液的涂膜的基材（W）装载到反应容器（1）中。 该溶液含有硅原子与选自甲基，苯基和乙烯基的官能团的键。 该方法还包括使基板（W）在反应容器（1）中进行热处理以烘烤涂膜。 加热过程在包括含有氨和水的混合物的催化剂气体的过程气氛中在300-400℃的过程温度下进行。

公开(公告)号：KR1020030062366A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：KR1020037007373

申请日：2001-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  후루사와요시카즈 ,  우메자와고타 ,  하야시데루유키 ,  사이토미사코 ,  사토쇼이치

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 열처리장치(1)는 승온용 히터(12)를 갖아, 유기물이 부착한 웨이퍼(10)를 수용하는 반응관(2)과, 반응관(2)내에 산소가스를 공급하는 제 1 가스도입관(13)과, 수소가스를 공급하는 제 2 가스도입관(14)을 구비하고 있다. 제 1 가스도입관(13)에 의해 산소가스, 제 2 가스도입관(14)에 의해 수소가스가 반응관(2)내에 공급되어, 승온용 히터(12)에 의해 반응관(2)이 산소가스 및 수소가스가 활성화가능한 온도로 가열된다. 그리고, 반응관(2)내에서 연소반응이 일어나, 웨이퍼(10)에 부착한 유기물이 산화, 분해하여, 제거된다.

Abstract translation: 热处理装置1包括：用于容纳被有机物污染的晶片10的反应管2，该反应管2具有能够加热反应管的加热器12; 用于将氧气输送到反应管2中的第一气体供给管13; 和用于将氢气输送到反应管2中的第二气体供给管14.将氧气和氢气分别通过第一气体供给管13和第二气体供给管14供给到反应管2中，并且将加热器12 在能够活化氧气和氢气的温度下加热反应管2。 在反应管2中发生燃烧反应，从而附着在晶片10上的有机物质被氧化，分解并除去。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020010030252A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000051961

申请日：2000-09-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라겐지 ,  다다요시히데 ,  이마이마사유키 ,  스에무라아사미 ,  히시야신고

IPC: H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/308 ,  C23C16/56

Abstract: PURPOSE: A method for forming an insulating film and a device therefor are provided to obtain an excellent electric characteristic by reducing accumulation of thermal hysteresis in an insulating film when the insulating film is produced by oxidizing a silicon layer. CONSTITUTION: A wafer(W) with a silicon layer is sent to a vertical heat treating furnace(41), a processing atmosphere is generated, for example, at 850 deg.C, and a silicon oxide film is formed, for example, by means of wet oxidation with steam. Then heat treatment(anneal process) is performed with the wafer(W) arranged in the heat treating furnace(41) under a processing atmosphere, for example, at 850 deg.C while introducing an N2O gas for a predetermined period of time.

Abstract translation: 目的：提供一种形成绝缘膜的方法及其装置，通过在通过氧化硅层制造绝缘膜时，通过减少绝缘膜中的热滞的累积来获得优异的电特性。 构成：将具有硅层的晶片（W）送入垂直热处理炉（41），例如在850℃下产生加工气氛，例如通过 用蒸汽湿氧化的方法。 然后，在加热气氛（例如850℃）下，在热处理炉（41）中配置的晶片（W）进行热处理（退火处理），同时引入N2O气体一定时间。

公开(公告)号：KR101501803B1

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：KR1020120030130

申请日：2012-03-23

Applicant: 엘피다 메모리, 아이엔씨. ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유우이찌로오 ,  스가와라다꾸야 ,  아끼야마고오지 ,  히시야신고 ,  히로따도시유끼 ,  기요무라다까까즈

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02189 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 본 발명의 과제는 DRAM 캐패시터의 유전체막에 요구되는 고유전율화 및 저리크 전류화를 양립시킬 수 있는, 산화지르코늄막을 포함하는 유전체막의 성막 방법 및 성막 장치를 제공하는 것이다.
산화지르코늄막을 포함하는 유전체막을 성막하는 성막 방법은 시클로펜타디에닐환을 구조 중에 포함하는 Zr 화합물로 이루어지는 지르코늄 원료와 산화제를 공급하여 피처리 기판 상에 산화지르코늄막을 성막하는 공정과, 시클로펜타디에닐환을 구조 중에 포함하는 티탄 화합물로 이루어지는 티탄 원료와 산화제를 공급하여 상기 산화지르코늄막 상에 산화티탄막을 성막하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020120110033A

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：KR1020120030130

申请日：2012-03-23

Applicant: 엘피다 메모리, 아이엔씨. ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유우이찌로오 ,  스가와라다꾸야 ,  아끼야마고오지 ,  히시야신고 ,  히로따도시유끼 ,  기요무라다까까즈

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02189 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: PURPOSE: A depositing method, a depositing apparatus, and storage media are provided to form a film of high density by depositing a titanium oxide film on a zirconium oxide film. CONSTITUTION: A wafer boat(5) is loaded on a table(8) through a heat reserving cover(7). The table is supported on a rotary shaft(10) passing through a lid part(9). A magnetic fluid seal(11) is installed on a penetration part of the rotary shaft. A seal member(12) is installed between a peripheral portion of the lid part and a bottom portion of a manifold. A roof plate(2) is installed on the ceiling of a treatment basin(1). The manifold supports the bottom of the treatment basin. [Reference numerals] (17) Oxidizing agent; (20) Zr source; (25) Ti source; (31) Purge gas; (50) Controller; (51) User interface; (52) Memorizing unit

Abstract translation: 目的：提供沉积方法，沉积设备和存储介质以通过在氧化锆膜上沉积氧化钛膜来形成高密度的膜。 构成：晶片舟（5）通过热储存盖（7）装载在工作台（8）上。 桌子支撑在通过盖部分（9）的旋转轴（10）上。 磁性流体密封件（11）安装在旋转轴的穿透部分上。 密封构件（12）安装在盖部分的周边部分和歧管的底部之间。 顶板（2）安装在处理池（1）的天花板上。 歧管支撑处理盆底部。 （附图标记）（17）氧化剂; （20）Zr源; （25）钛源; （31）吹扫气体; （50）控制器; （51）用户界面; （52）记忆单元

公开(公告)号：KR100881806B1

公开(公告)日：2009-02-03

申请号：KR1020047003169

申请日：2002-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  제이에스알 가부시끼가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  사노데츠야 ,  세키구치마나부 ,  미타미치히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122

Abstract: 유기실록산막을 처리하는 방법은 폴리실록산계 약액의 도포막이 설치된 기판(W)을 반응 용기(1) 내에 반입하는 공정을 포함한다. 약액은 메틸기, 페닐기 및 비닐기로부터 선택되는 작용기와 실리콘 원자의 결합을 포함한다. 또한, 본 방법은 반응 용기(1) 내에서 기판(W)에 대해 열처리를 실시하여 도포막을 소성하는 공정을 포함한다. 열처리는 암모니아와 물이 혼합된 촉매 가스를 포함하는 처리 분위기 내에서 300 내지 400℃의 처리 온도에서 실시된다.

公开(公告)号：KR100854543B1

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：KR1020037011210

申请日：2002-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  아키야마고지 ,  후루사와요시카즈 ,  아오키기미야

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/909

Abstract: 웨이퍼의 전체에 걸쳐 막두께 및 막질에 있어서 균일성이 높은 양질의 산화막을 유리하게 형성할 수 있는 산화막 형성방법을 제공하는 것. 산화막 형성방법은, 반응용기내에 배치된 웨이퍼에 대해서, 감압조건하에서, 활성산화종 또는 활성산화종을 포함하는 분위기에 의한 산화처리를 하는 것에 의해, 웨이퍼의 표면에 보호산화막을 형성하는 전처리공정과, 이 웨이퍼에 대해서, 감압조건하에서 소정의 온도로 산화처리하는 것에 의해, 산화막을 형성하는 산화막 형성공정을 갖는다. 산화막 형성공정은, 전처리공정이 행하여진 반응용기에 있어서 전처리공정에 연속하여 행하여지는 것이 바람직하다. 전처리공정은, 산화막 형성공정보다 낮은 온도로 행하여지는 것이 바람직하고, 또한, 산화막 형성공정보다 감압의 정도가 높은 감압조건하에서 행하여지는 것이 바람직하다. 이 산화막 형성방법에 의하면, 양호한 트랜지스터소자의 게이트절연막이 형성된다.

公开(公告)号：KR100682190B1

公开(公告)日：2007-02-12

申请号：KR1020000051961

申请日：2000-09-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라겐지 ,  다다요시히데 ,  이마이마사유키 ,  스에무라아사미 ,  히시야신고

IPC: H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/308 ,  C23C16/56

Abstract: 실리콘 산질화물을 포함하는 절연막의 형성 방법은, 우선 실리콘 웨이퍼(W)에 산화 처리를 실시함으로써, 웨이퍼 표면상에 실리콘 산화막을 형성한다. 산화 처리에 있어서, 제 1 처리 시간 0.5 내지 30분에 걸쳐 실리콘 웨이퍼(W)를 수납한 처리실(41) 내의 분위기를 제 1 온도 700 내지 950℃ 및 제 1 압력 0.7 내지 (대기압-0.375)Torr로 설정하는 동시에, 처리실(41)내에 산화를 실행하기 위한 제 1 처리 가스를 공급한다. 제 1 처리 가스는 1 내지 5vol%의 수증기와 95 내지 99vol%의 질소 가스를 포함한다. 실리콘 산화막 형성 후에 실리콘 산화막의 적어도 일부를 실리콘 산질화물로 변환하기 위해서 어닐링(anneal) 처리를 한다. 어닐링 처리에 있어서, 제 2 처리 시간 1 내지 30분에 걸쳐, 처리실(41)내의 분위기를 제 2 가열 온도 800 내지 950℃ 및 제 2 압력 0.7 내지 680Torr로 설정하는 동시에, 처리실(41) 내에 질화를 실행하기 위한 제 2 처리 가스를 공급한다. 제 2 처리 가스는 10 내지 100vol%의 일산화질소 가스를 포함한다.