公开(公告)号：KR1020140128250A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：KR1020140048643

申请日：2014-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우메자와고타 ,  와타나베요스케

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67098

Abstract: 본 발명의 과제는, 가스 공급로의 내부나, 처리실 하부에 부착된 부착물을 제거할 수 있으며, 또한, 클리닝에 필요로 하는 시간을 단축하여 생산성을 향상시키는 것도 가능한 성막 장치의 클리닝 방법을 제공하는 것이다.
클리닝 공정(스텝1)과, 성막 처리 공정(스텝2)을 구비하고, 클리닝 공정이, 압력을 제1 압력대, 및 온도를 제1 온도대에서 클리닝 가스를 공급함으로써 행하는 것(S11), 압력을 제1 압력대보다도 높은 제2 압력대, 온도를 제1 온도대 및/또는 제1 온도대보다도 높은 제2 온도대에서 클리닝 가스를 공급함으로써 행하는 것(S12), 압력을 제2 압력대보다도 낮은 제3 압력대, 온도를 제2 온도대에서 클리닝 가스를 공급함으로써 행하는 것(S13)을 포함하고,
클리닝 공정(스텝1)에 연속하여 성막 처리 공정(스텝2)을 행한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种清洁能够除去附着在处理室的气体供给路径或下部的内部的物体的成膜装置的方法，并且通过减少清洗时间来提高生产率。 该方法包括清洁处理（步骤1）和成膜处理过程（步骤2）。 清洗过程包括：为压力提供第一压力水平的清洁气体和用于温度的第一温度水平（S11），将清洁气体以高于第一压力水平和第一温度水平的压力提供在第二压力水平 对于高于第一温度水平的温度和/或第二温度水平（S12），并且为了低于第二压力水平和温度的第二温度水平的压力向第三压力水平供应清洁气体。 在清洁处理之后连续执行成膜处理过程（步骤2）（步骤1）。

公开(公告)号：KR1020110126048A

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：KR1020110044340

申请日：2011-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 초우파오화 ,  우메자와코타 ,  와타나베요스케 ,  하세가와마사유키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: PURPOSE: A film depositing method and apparatus are provided to enhance a wet etching ability by oxidizing an amino group through second oxidation gas and reducing blowing amount to the middle part of a film of the amino group. CONSTITUTION: A ceiling plate(2) of quartz is formed on the top end part within a treatment basin(1). A manifold(3) which is shaped to a cylinder shape is connected to a bottom opening part of the treatment basin. A wafer boat(5) which mounts a semiconductor wafer(W) to multi-stage is located within the treatment basin. The wafer boat comprises 3 pillars(6). A table(8) is supported on a rotary shaft(10) which passes through a lid part(9).

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜沉积方法和装置，以通过使第二氧化气体氧化氨基并将吹入量减少到氨基的中间部分来提高湿蚀刻能力。 构成：在处理池（1）内的顶端部分上形成石英顶板（2）。 成形为圆筒状的歧管（3）与处理盆的底部开口部连接。 将半导体晶片（W）安装到多级的晶片舟（5）位于处理池内。 晶圆舟包括3个支柱（6）。 台（8）支撑在通过盖部（9）的旋转轴（10）上。