公开(公告)号：KR100560867B1

公开(公告)日：2006-03-13

申请号：KR1020010023353

申请日：2001-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토쇼이치 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고타

IPC: H01L21/316

Abstract: 수산기 활성종 및 산소 활성종을 생성하는 처리용기내에서 진공분위기로 소정의 온도로 가열된 피처리체의 표면을 산화하는 산화방법이다. 수산기 활성종 및 산소 활성종은 처리용기내의 피처리체의 표면을 산화한다. 산화막의 막내 두께 균일성 및 품질이 개선되며, 산화율이 비교적 높은 수준으로 유지된다.

公开(公告)号：KR1020030062366A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：KR1020037007373

申请日：2001-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  후루사와요시카즈 ,  우메자와고타 ,  하야시데루유키 ,  사이토미사코 ,  사토쇼이치

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 열처리장치(1)는 승온용 히터(12)를 갖아, 유기물이 부착한 웨이퍼(10)를 수용하는 반응관(2)과, 반응관(2)내에 산소가스를 공급하는 제 1 가스도입관(13)과, 수소가스를 공급하는 제 2 가스도입관(14)을 구비하고 있다. 제 1 가스도입관(13)에 의해 산소가스, 제 2 가스도입관(14)에 의해 수소가스가 반응관(2)내에 공급되어, 승온용 히터(12)에 의해 반응관(2)이 산소가스 및 수소가스가 활성화가능한 온도로 가열된다. 그리고, 반응관(2)내에서 연소반응이 일어나, 웨이퍼(10)에 부착한 유기물이 산화, 분해하여, 제거된다.

Abstract translation: 热处理装置1包括：用于容纳被有机物污染的晶片10的反应管2，该反应管2具有能够加热反应管的加热器12; 用于将氧气输送到反应管2中的第一气体供给管13; 和用于将氢气输送到反应管2中的第二气体供给管14.将氧气和氢气分别通过第一气体供给管13和第二气体供给管14供给到反应管2中，并且将加热器12 在能够活化氧气和氢气的温度下加热反应管2。 在反应管2中发生燃烧反应，从而附着在晶片10上的有机物质被氧化，分解并除去。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020120075386A

公开(公告)日：2012-07-06

申请号：KR1020110141169

申请日：2011-12-23

Applicant: 엘피다 메모리 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지이모토키 ,  마츠나가마사노부 ,  야마모토가즈야 ,  우메자와고타

IPC: H01L21/318

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76834

Abstract: PURPOSE: A method for forming a nitride film is provided to the nitride film on a semiconductor wafer in which high density pattern is formed on the top by using a batch-type vertical plasma-assisted ALD(Atomic Layer Deposition) apparatus. CONSTITUTION: A wafer boat(101) revolves by a rotation mechanism(103) at predetermined rotation speed. A heating mechanism(104) is installed on the outer circumference of a quartz chamber(102). The heating mechanism heats the inside of the quartz chamber at predetermined temperature. Ammonia gas is entered into a plasma space(105) along a flow path(F2) and is entered into a processing container. An exhaust port(107) of the quartz chamber is connected with an exhaust pump.

Abstract translation: 目的：通过使用间歇式垂直等离子体辅助ALD（原子层沉积）装置，在顶部形成高密度图案的半导体晶片上的氮化物膜上提供形成氮化物膜的方法。 构成：晶片舟（101）以旋转机构（103）以预定转速旋转。 加热机构（104）安装在石英室（102）的外圆周上。 加热机构在预定温度下加热石英室的内部。 氨气体沿着流路（F2）进入等离子体空间（105），并进入处理容器。 石英室的排气口（107）与排气泵连接。

公开(公告)号：KR1020140128250A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：KR1020140048643

申请日：2014-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우메자와고타 ,  와타나베요스케

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67098

Abstract: 본 발명의 과제는, 가스 공급로의 내부나, 처리실 하부에 부착된 부착물을 제거할 수 있으며, 또한, 클리닝에 필요로 하는 시간을 단축하여 생산성을 향상시키는 것도 가능한 성막 장치의 클리닝 방법을 제공하는 것이다.
클리닝 공정(스텝1)과, 성막 처리 공정(스텝2)을 구비하고, 클리닝 공정이, 압력을 제1 압력대, 및 온도를 제1 온도대에서 클리닝 가스를 공급함으로써 행하는 것(S11), 압력을 제1 압력대보다도 높은 제2 압력대, 온도를 제1 온도대 및/또는 제1 온도대보다도 높은 제2 온도대에서 클리닝 가스를 공급함으로써 행하는 것(S12), 압력을 제2 압력대보다도 낮은 제3 압력대, 온도를 제2 온도대에서 클리닝 가스를 공급함으로써 행하는 것(S13)을 포함하고,
클리닝 공정(스텝1)에 연속하여 성막 처리 공정(스텝2)을 행한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种清洁能够除去附着在处理室的气体供给路径或下部的内部的物体的成膜装置的方法，并且通过减少清洗时间来提高生产率。 该方法包括清洁处理（步骤1）和成膜处理过程（步骤2）。 清洗过程包括：为压力提供第一压力水平的清洁气体和用于温度的第一温度水平（S11），将清洁气体以高于第一压力水平和第一温度水平的压力提供在第二压力水平 对于高于第一温度水平的温度和/或第二温度水平（S12），并且为了低于第二压力水平和温度的第二温度水平的压力向第三压力水平供应清洁气体。 在清洁处理之后连续执行成膜处理过程（步骤2）（步骤1）。

公开(公告)号：KR100886997B1

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020037007373

申请日：2001-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  후루사와요시카즈 ,  우메자와고타 ,  하야시데루유키 ,  사이토미사코 ,  사토쇼이치

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 열처리장치(1)는 승온용 히터(12)를 갖아, 유기물이 부착한 웨이퍼(10)를 수용하는 반응관(2)과, 반응관(2)내에 산소가스를 공급하는 제 1 가스도입관(13)과, 수소가스를 공급하는 제 2 가스도입관(14)을 구비하고 있다. 제 1 가스도입관(13)에 의해 산소가스, 제 2 가스도입관(14)에 의해 수소가스가 반응관(2)내에 공급되어, 승온용 히터(12)에 의해 반응관(2)이 산소가스 및 수소가스가 활성화가능한 온도로 가열된다. 그리고, 반응관(2)내에서 연소반응이 일어나, 웨이퍼(10)에 부착한 유기물이 산화, 분해하여, 제거된다.

公开(公告)号：KR1020010100932A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：KR1020010023353

申请日：2001-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토쇼이치 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고타

IPC: H01L21/316

Abstract: 수산기 활성종 및 산소 활성종을 생성하는 처리용기내에서 진공분위기로 소정의 온도로 가열된 피처리체의 표면을 산화하는 산화방법이다. 수산기 활성종 및 산소 활성종은 처리용기내의 피처리체의 표면을 산화한다. 산화막의 막내 두께 균일성 및 품질이 개선되며, 산화율이 비교적 높은 수준으로 유지된다.