公开(公告)号：KR101312461B1

公开(公告)日：2013-09-27

申请号：KR1020100069986

申请日：2010-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  하세가와마사유키 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키케이스케

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

Abstract: 배치 CVD 방법은, 흡착 공정과 반응 공정을 잔류 가스를 제거하는 공정과 함께 갖는 사이클을 반복한다. 흡착 공정은, 원료 가스 밸브를 맨 처음의 제1 기간만 열림 상태로 한 후에 닫힘 상태로 함으로써 처리 용기 내로 원료 가스를 공급하는 것과, 반응 가스 밸브를 닫힘 상태로 유지하여 처리 용기 내로 반응 가스를 공급하지 않는 것과, 배기 밸브를 닫힘 상태로 유지하여 처리 용기 내를 배기하지 않는 것으로 행한다. 반응 공정은, 원료 가스 밸브를 닫힘 상태로 유지하여 처리 용기 내로 원료 가스를 공급하지 않는 것과, 반응 가스 밸브를 열림 상태로 하여 처리 용기 내로 반응 가스를 공급하는 것과, 배기 밸브를 소정의 열림 상태로부터 밸브 개도를 서서히 작게 함으로써 처리 용기 내를 배기하는 것으로 행한다.

公开(公告)号：KR1020110126048A

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：KR1020110044340

申请日：2011-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 초우파오화 ,  우메자와코타 ,  와타나베요스케 ,  하세가와마사유키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: PURPOSE: A film depositing method and apparatus are provided to enhance a wet etching ability by oxidizing an amino group through second oxidation gas and reducing blowing amount to the middle part of a film of the amino group. CONSTITUTION: A ceiling plate(2) of quartz is formed on the top end part within a treatment basin(1). A manifold(3) which is shaped to a cylinder shape is connected to a bottom opening part of the treatment basin. A wafer boat(5) which mounts a semiconductor wafer(W) to multi-stage is located within the treatment basin. The wafer boat comprises 3 pillars(6). A table(8) is supported on a rotary shaft(10) which passes through a lid part(9).

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜沉积方法和装置，以通过使第二氧化气体氧化氨基并将吹入量减少到氨基的中间部分来提高湿蚀刻能力。 构成：在处理池（1）内的顶端部分上形成石英顶板（2）。 成形为圆筒状的歧管（3）与处理盆的底部开口部连接。 将半导体晶片（W）安装到多级的晶片舟（5）位于处理池内。 晶圆舟包括3个支柱（6）。 台（8）支撑在通过盖部（9）的旋转轴（10）上。

公开(公告)号：KR1020110059540A

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：KR1020100116853

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  스즈키케이스케 ,  장재혁 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: PURPOSE: A method and device for forming a film and a storage medium are provided to form an SiN layer by an ALD at 150 to 550 degrees centigrade. CONSTITUTION: A target is received in a process container(1). The temperature of the target is 150 to 550 degrees centigrade. A silicon nitrification layer is formed on the target by repeating a first supply process and a second supply process. MCS gas is supplied to the process container of 66.65 to 666.5 Pa as a Si source. Nitrogen containing gas is supplied to the process container as nitrification gas.

Abstract translation: 目的：提供用于形成膜和存储介质的方法和装置，以通过ALD在150至550摄氏度下形成SiN层。 构成：在过程容器（1）中接收目标。 目标温度为150至550摄氏度。 通过重复第一供给处理和第二供给处理，在目标物上形成硅硝化层。 作为Si源，将MCS气体供给66.65〜666.5Pa的处理容器。 将含氮气体作为硝化气体供给到处理容器。

公开(公告)号：KR101368768B1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：KR1020100116853

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  스즈키케이스케 ,  장재혁 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 성막 방법은, 진공 보지(保持; holding) 가능한 처리 용기 내에 수납된 피(被)처리체의 온도를 150∼550℃로 하여, 제1 공급 공정 및 제2 공급 공정을 교대로 포함하는 사이클을 복수회 반복하여, 상기 피처리체 상에 실리콘 질화막을 형성한다. 상기 제1 공급 공정에서는 압력을 66.65∼666.5Pa로 설정한 상기 처리 용기 내로 Si 소스로서의 모노클로로실란 가스를 공급한다. 상기 제2 공급 공정에서는 질화 가스로서의 질소 함유 가스를 상기 처리 용기 내로 공급한다.

公开(公告)号：KR1020110009624A

公开(公告)日：2011-01-28

申请号：KR1020100069986

申请日：2010-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  하세가와마사유키 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키케이스케

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

Abstract: PURPOSE: An arrangement CVD method, an apparatus thereof, and a computer readable record medium for processing semiconductor are provided to improve the property on layer quality, throughput, and raw material gas consumption. CONSTITUTION: An exhaust system(78) comprises a discharging valve for adjusting the amount of discharge. A controller(84) controls the operation of the apparatus. The controller is configured in advance to implement the arrangement CVD method.

Abstract translation: 目的：提供一种排列CVD方法，其装置和用于处理半导体的计算机可读记录介质，以改善层质量，生产量和原料气体消耗的性质。 构成：排气系统（78）包括用于调节排放量的排放阀。 控制器（84）控制设备的操作。 预先配置控制器以实现排列CVD方法。

公开(公告)号：KR1020150143303A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：KR1020150073666

申请日：2015-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 치바다카시 ,  우메하라다카히토 ,  하세가와마사유키

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4584

Abstract: 성막장치는, 진공용기와, 상기진공용기내에설치된회전테이블을갖는다. 또한, 성막장치는, 상기회전테이블의일면측에, 상기기판이수용되도록형성된오목부와, 이오목부내에서기판의주연부보다도중앙부근의부위를지지하기위한적재부를갖는다. 또한, 성막장치는, 상기회전테이블의회전에의한원심력에의해상기오목부내에서상기회전테이블의외주측에치우친가스를배출하기위해, 오목부의중앙에서볼 때상기회전테이블의중심과는반대측의오목부의단부영역에있어서, 상기오목부내에있어서의적재부의주위의공간과상기회전테이블의외측의공간을연통하도록당해오목부의벽부에형성된연통로와, 상기진공용기내를진공배기하기위한배기구를구비한다.

Abstract translation: 薄膜沉积设备包括真空容器和设置在真空容器中的转台。 此外，成膜装置还包括：形成在转台的表面上以在其中容纳基板的凹部; 安装部，用于在所述凹部中支撑围绕所述基板的中心的区域而不是其周边部分; 形成在所述凹部的壁上的连通通道，使得所述凹部中的所述安装部周围的空间能够与所述转台的外侧的空间连通，在位于所述相对侧的所述凹部的端部区域 从凹部的中心观察转盘的中心，以便通过由转台旋转产生的离心力将偏压到凹部的转盘的外周侧的气体排出; 以及用于对真空容器进行真空排气的排气口。

公开(公告)号：KR101356445B1

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020100116850

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546

Abstract: 종형 성막 장치의 사용 방법은, 제품용 피(被)처리체가 존재하지 않는 상태의 처리 용기 내에서 처리 용기의 내벽을 코팅막으로 피복하는 코팅 처리를 행하고, 다음으로 제품용 피처리체를 보지(保持; holding)한 상태의 보지 부재가 수납된 처리 용기 내에서 제품용 피처리체 상에 소정의 막을 형성하는 성막 처리를 행한다. 코팅 처리에서는, 처리 용기 내에 제1 및 제2 처리 가스를 교대로, 또한 모두 플라즈마화하지 않고 공급한다. 성막 처리에서는, 처리 용기 내에 제1 및 제2 처리 가스를 교대로, 또한 이들의 적어도 한쪽을 플라즈마 생성계에 의해 플라즈마화하면서 공급한다.

公开(公告)号：KR1020120069583A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020110137175

申请日：2011-12-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  하세가와마사유키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/0337 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31612

Abstract: PURPOSE: A method for slimming a carbon containing thin film and an oxidizing apparatus are provided to suppress the non-uniformity of sliming quantity by supplying water to a processing container before a sliming process. CONSTITUTION: An object is inputted to a processing container of an oxidizing device(S3). The object includes a patterned carbon containing thin film. Water is supplied to the processing container. A width of a convex part of the pattern is decreased by removing the surface of the carbon containing thin film by oxide gas through an oxidization process(S4).

Abstract translation: 目的：提供一种用于减薄含碳薄膜和氧化装置的方法，以通过在薄化过程之前向处理容器供水来抑制薄片化的不均匀性。 构成：将物体输入到氧化装置的处理容器（S3）。 该物体包括含图案的含碳薄膜。 水被供应到处理容器。 通过氧化处理从氧化物气体除去含碳薄膜的表面来减小图案的凸部的宽度（S4）。

公开(公告)号：KR1020110059539A

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：KR1020100116850

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546

Abstract: PURPOSE: A vertical film forming device, a using method thereof, and a storage medium are provided to reduce the Na density of SiN product layer by trapping Na in a coating layer by Cl. CONSTITUTION: A coating layer is coated on the inner wall of a process container(1). A holding member with a process agent forms a preset film on a target in the process container. First and second process gas is supplied to the process container without a plasma process in a coating process. The first and second process gas is supplied to the process container with a plasma process in a film forming process.

Abstract translation: 目的：提供垂直成膜装置及其使用方法和存储介质，以通过Cl将Na吸收在涂层中来降低SiN产物层的Na密度。 构成：将涂层涂覆在处理容器（1）的内壁上。 具有加工剂的保持构件在处理容器中的靶上形成预设膜。 在涂布过程中，没有等离子体处理，将第一和第二工艺气体供给到处理容器。 第一和第二处理气体在成膜过程中以等离子体处理方式供应给处理容器。