公开(公告)号：KR1020170022878A

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：KR1020160100829

申请日：2016-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와,마사토 ,  미우라,시게히로 ,  아카마,히로유키 ,  요시이,고지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52

Abstract: 고정밀도로온도제어를행하는것이가능한성막장치를제공하는것이다. 본실시형태의성막장치는, 처리용기내에설치된회전테이블의상면에기판을적재하고, 회전테이블을회전시키면서가열수단에의해기판을가열해서소정의성막처리를행하는성막장치로서, 상기가열수단의온도를측정하는접촉형의제1 온도측정수단과, 상기회전테이블에적재된기판의온도를측정하는비접촉형의제2 온도측정수단과, 상기제1 온도측정수단에의해측정되는제1 측정값및/또는상기제2 온도측정수단에의해측정되는제2 측정값에기초하여상기가열수단에공급하는전력을제어하는제어수단을구비하고, 상기제어수단은, 상기기판에대하여소정의성막처리를행하는경우와, 상기처리용기에대하여상기기판의반입또는반출을행하는경우에있어서, 상기가열수단에공급하는전력의제어방법을변경한다.

Abstract translation: 一种成膜装置，用于在旋转所述旋转台并通过加热部加热所述基板的同时在安装在处理容器的旋转台的上表面上的基板上进行预定的成膜处理，所述成膜装置包括：接触型第一温度测量 被配置为测量加热部件的温度的部件; 非接触型第二温度测量部件，被配置为测量所述基板的温度; 以及控制部，其基于由所述第一温度测量部测量的第一测量值和由所述第二温度测量部测量的第二测量值中的至少一个来控​​制供应到所述加热部的功率。 当在基板上执行预定的成膜处理时以及当将基板装载到处理容器中或从处理容器卸载时，控制部分改变用于控制功率的方法。

公开(公告)号：KR1020110017404A

公开(公告)日：2011-02-21

申请号：KR1020107029296

申请日：2009-06-03

Applicant: 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 양,리우 ,  레이,신지안 ,  한,빙 ,  시아오,만차오 ,  카왁키,유진,죠셉,주니어 ,  하세베,카즈히데 ,  마츠나가,마사노부 ,  요네자와,마사토 ,  쳉,한송

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드, 실리콘 옥사이드, 탄소 도핑된 실리콘 니트라이드, 탄소 증착된 실리콘 옥사이드 및 탄소 도핑된 옥시니트라이드 막을 낮은 증착 온도에서 형성시키는 방법을 개시한다. 증착에 사용된 실리콘 함유 전구체는 모노클로로실란(MCS) 및 모노클로로알킬실란이다. 상기 방법은 바람직하게는 플라즈마 강화된 원자층 증착, 플라즈마 강화된 화학적 기상 증착, 및 플라즈마 강화된 주기적 화학적 기상 증착을 사용하여 실시된다.

公开(公告)号：KR102021171B1

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：KR1020160100829

申请日：2016-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와,마사토 ,  미우라,시게히로 ,  아카마,히로유키 ,  요시이,고지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

公开(公告)号：KR101444707B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020137005367

申请日：2009-06-03

Applicant: 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 양,리우 ,  레이,신지안 ,  한,빙 ,  시아오,만차오 ,  카왁키,유진,죠셉 ,  하세베,카즈히데 ,  마츠나가,마사노부 ,  요네자와,마사토 ,  쳉,한송

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드, 실리콘 옥사이드, 탄소 도핑된 실리콘 니트라이드, 탄소 증착된 실리콘 옥사이드 및 탄소 도핑된 옥시니트라이드 막을 낮은 증착 온도에서 형성시키는 방법을 개시한다. 증착에 사용된 실리콘 함유 전구체는 모노클로로실란(MCS) 및 모노클로로알킬실란이다. 상기 방법은 바람직하게는 플라즈마 강화된 원자층 증착, 플라즈마 강화된 화학적 기상 증착, 및 플라즈마 강화된 주기적 화학적 기상 증착을 사용하여 실시된다.

公开(公告)号：KR101266135B1

公开(公告)日：2013-05-27

申请号：KR1020107029296

申请日：2009-06-03

Applicant: 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 양,리우 ,  레이,신지안 ,  한,빙 ,  시아오,만차오 ,  카왁키,유진,죠셉,주니어 ,  하세베,카즈히데 ,  마츠나가,마사노부 ,  요네자와,마사토 ,  쳉,한송

IPC: H01L21/205

Abstract: 본발명은실리콘니트라이드, 실리콘옥시니트라이드, 실리콘옥사이드, 탄소도핑된실리콘니트라이드, 탄소증착된실리콘옥사이드및 탄소도핑된옥시니트라이드막을낮은증착온도에서형성시키는방법을개시한다. 증착에사용된실리콘함유전구체는모노클로로실란(MCS) 및모노클로로알킬실란이다. 상기방법은바람직하게는플라즈마강화된원자층증착, 플라즈마강화된화학적기상증착, 및플라즈마강화된주기적화학적기상증착을사용하여실시된다.

公开(公告)号：KR1020130039769A

公开(公告)日：2013-04-22

申请号：KR1020137005367

申请日：2009-06-03

Applicant: 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 양,리우 ,  레이,신지안 ,  한,빙 ,  시아오,만차오 ,  카왁키,유진,죠셉 ,  하세베,카즈히데 ,  마츠나가,마사노부 ,  요네자와,마사토 ,  쳉,한송

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드, 실리콘 옥사이드, 탄소 도핑된 실리콘 니트라이드, 탄소 증착된 실리콘 옥사이드 및 탄소 도핑된 옥시니트라이드 막을 낮은 증착 온도에서 형성시키는 방법을 개시한다. 증착에 사용된 실리콘 함유 전구체는 모노클로로실란(MCS) 및 모노클로로알킬실란이다. 상기 방법은 바람직하게는 플라즈마 강화된 원자층 증착, 플라즈마 강화된 화학적 기상 증착, 및 플라즈마 강화된 주기적 화학적 기상 증착을 사용하여 실시된다.

Abstract translation: 本发明公开了一种在低沉积温度下形成氮化硅，氮氧化硅，氧化硅，碳掺杂氮化硅，碳沉积氧化硅和碳掺杂氧氮化物膜的方法。 用于沉积的含硅前体是一氯硅烷（MCS）和一氯烷基硅烷。 该方法优选使用等离子体增强的原子层沉积，等离子体增强化学气相沉积和等离子体增强的周期性化学气相沉积来进行。