公开(公告)号：KR100354797B1

公开(公告)日：2002-10-18

申请号：KR1019970049951

申请日：1997-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  요시카와히데키 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/34

Abstract: 본 발명은 부산물에 의한 피처리체(substrate)의 오염을 억제할 수 있고, 티탄막의 콘택트저항(contact resistance)을 작게 할 수 있는, 피처리체에 티탄막 및 티탄니트라이드막을 적층하여 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 피처리체(2)의 표면에 티탄막을 형성하는 공정; 질소가스와 수소가스의 혼합가스의 분위기에서 플라즈마처리함으로써, 상기 티탄막의 표면층을 질화층으로 만드는 공정; 및 표면층이 질화층으로 된 티탄막 위에 배리어(barrier) 금속막(예: 티탄니트라이드막)을 형성하는 공정에 의해, 피처리체에 티탄막 및 티탄니트라이드막을 적층하여 형성한다.

公开(公告)号：KR1019980087036A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019980017329

申请日：1998-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요시카와히데키

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 클리닝 방법은, 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100727733B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060026867

申请日：2006-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요시카와히데키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 클리닝 방법은, 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060086893A

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：KR1020060026867

申请日：2006-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요시카와히데키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 클리닝 방법은, 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100395171B1

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：KR1019980028552

申请日：1998-07-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와히데키 ,  고바야시야스오 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/44

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/08 ,  H01L21/28568

Abstract: A method of forming a CVD-Ti film includes the steps of loading a Si wafer into a chamber, setting an interior of the chamber at a predetermined reduced-pressure atmosphere, introducing TiCl4 gas, H2 gas, and Ar gas into the chamber, and generating a plasma of the introduced gas in the chamber to form a Ti film in a hole formed in an SiO2 film on the wafer. A wafer temperature is set to 400° to 800°, a supplied power is set to 100 W to 300 W, an internal chamber pressure is set to 0.5 Torr to 3.0 Torr, a flow rate ratio of TiCl4 gas to a sum of H2 gas and Ar gas is 1:100 to 1:300, and a flow rate ratio of H2 gas to Ar gas is 1:1 to 2:1.

Abstract translation: 形成CVD-Ti膜的方法包括以下步骤：将Si晶片装入腔室中，将腔室内部设定在预定的减压气氛下，将TiCl 4气体，H 2气体和Ar气体引入腔室中，以及 在室中产生引入气体的等离子体，以在晶片上的SiO2膜中形成的孔中形成Ti膜。 晶片温度设定为400℃; 提供功率为100W至300W，内室压力设定为0.5Torr至3.0Torr，TiCl 4气体与H 2气体和Ar气体之和的流量比为1：100至100 1：300，H 2气体与Ar气体的流量比为1：1〜2：1。

公开(公告)号：KR1019990013876A

公开(公告)日：1999-02-25

申请号：KR1019980028552

申请日：1998-07-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와히데키 ,  고바야시야스오 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/44

Abstract: 본 발명의 CVD-Ti 필름을 형성하는 방법은 챔버내로 Si 웨이퍼를 로딩하는 단계, 소정의 감압 분위기로 챔버의 내부를 설정하는 단계, 챔버내로 TiCl
4 가스, H
2 가스 및 Ar 가스를 도입하는 단계 및 챔버내의 도입 가스의 플라즈마를 발생시킴으로써 웨이퍼상의 SiO
2 막내에 홀내에 Ti 막을 형성시키는 단계를 포함한다. 웨이퍼 온도는 400°내지 800°로 설정되며, 공급 압력은 100W 내지 300W이며, 내부 챔버 압력은 0.5Torr 내지 3.0Torr이며, TiCl
4 가스 대 H
2 가스와 Ar 가스의 합의 유량비는 1:100 내지 1:300이며, H
2 가스 대 Ar 가스의 유량비는 1:1 내지 2:1이다.

公开(公告)号：KR1019980032434A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019970049951

申请日：1997-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  요시카와히데키 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/34

Abstract: 본 발명은 부산물에 의한 피처리체(substrate)의 오염을 억제할 수 있고, 티탄막의 콘택트저항(contact resistance)을 작게 할 수 있는, 피처리체에 티탄막 및 티탄니트라이드막을 적층하여 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 피처리체(2)의 표면에 티탄막을 형성하는 공정; 질소가스와 수소가스의 혼합가스의 분위기에서 플라즈마처리함으로써, 상기 티탄막의 표면층을 질화층으로 만드는 공정; 및 표면층이 질화층으로 된 티탄막 위에 배리어(barrier) 금속막(예: 티탄니트라이드막)을 형성하는 공정에 의해, 피처리체에 티탄막 및 티탄니트라이드막을 적층하여 형성한다.

公开(公告)号：KR100628607B1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：KR1019980017329

申请日：1998-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요시카와히데키

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 클리닝 방법은, 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 한다.