公开(公告)号：KR100919527B1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020040079308

申请日：2004-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우메하라다까히또 ,  도미따마사히꼬 ,  후지따히로따께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L28/65

Abstract: 본 발명의 과제는 표면 흡착력이 약한 원료 가스라도, 스퍼터링 장치를 이용하는 일 없이 박막을 퇴적시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(14) 내에 원료 가스와 지원 가스를 공급하여 피처리체(W)의 표면에 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 상기 원료 가스와 상기 지원 가스를 서로 다른 타이밍에서 교대로 또한 연속적으로 서로 복수회 공급하여 상기 박막을 퇴적시키도록 한다. 이에 의해, 표면 흡착력이 약한 원료 가스라도, 스퍼터링 장치를 이용하는 일 없이 박막을 퇴적시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050033820A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：KR1020040079308

申请日：2004-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우메하라다까히또 ,  도미따마사히꼬 ,  후지따히로따께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L28/65

Abstract: A film forming method and a film forming apparatus are provided to form a thin film without a sputtering apparatus by supplying alternately a raw material gas and an auxiliary gas to a process chamber. A raw material gas and an auxiliary gas are continuously supplied to a process chamber(14) in different periods in order to deposit thin films on an upper surface of a processing target(W). After the thin films are deposited on the upper surface of the processing target, the raw material gas and the same gas as the auxiliary gas or the raw material gas and a different gas from the auxiliary gas are simultaneously supplied to the process chamber in order to form a thick film of the thin films.

Abstract translation: 提供了一种成膜方法和成膜装置，以便通过交替地将原料气体和辅助气体供给到处理室，而不用溅射装置形成薄膜。 为了在处理对象（W）的上表面上沉积薄膜，原料气体和辅助气体以不同的时间周期连续供给到处理室（14）。 在薄膜沉积在加工对象的上表面之后，原料气体和与辅助气体相同的气体或原料气体以及与辅助气体不同的气体同时供给到处理室，以便 形成薄膜的薄膜。