公开(公告)号：KR100964045B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020050122312

申请日：2005-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  다까하시유따까 ,  유메자와고따 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3144

Abstract: 반응실 내에서 피처리 기판 상에 실리콘 산질화막을 형성하는 반도체 처리용의 성막 방법은 피처리 기판을 로드하지 않은 상태에서 반응실 내의 부재에 예비 처리를 실시하는 공정과, 다음에 반응실 내에서 피처리 기판 상에 실리콘 산질화막을 형성하는 공정을 포함한다. 예비 처리는 반응실 내에 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 예비 처리 가스를 공급하는 동시에, 반응실 내를 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다.
열 처리 장치, 반응관, 정상부, 배기구, 배기관, 덮개

公开(公告)号：KR1020060044968A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020050026283

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시유따까 ,  다까기사또시 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 게이트 절연막 상의 게이트 전극으로서 이용되는 폴리 실리콘막을 형성할 때, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 도전성 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지하도록, 구상 결정의 집합체를 포함하는 폴리 실리콘막을 형성하는 것이다.
피처리체를 예를 들어 580 ℃로 가열하여 비정질 실리콘막을 형성하고, 이어서 상기 피처리체를 예를 들어 620 ℃로 가열함으로써, 상기 비정질 실리콘막을 폴리화하여 폴리 실리콘막을 형성한다. 이러한 폴리 실리콘막은 구상 결정의 집합체 또는 방추형 결정과 구상 결정의 혼합체로 이루어지고, 미결정 입자의 입계가 여러 가지의 방향을 향하고 있으므로, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소가 상기 입계로 트랩되고, 상기 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지할 수 있다.
반도체 웨이퍼, 반응 용기, 웨이퍼 보우트, 가스 공급부, 제어부, 가열로

公开(公告)号：KR100940377B1

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：KR1020050026283

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시유따까 ,  다까기사또시 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 게이트 절연막 상의 게이트 전극으로서 이용되는 폴리 실리콘막을 형성할 때, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 도전성 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지하도록, 구상 결정의 집합체를 포함하는 폴리 실리콘막을 형성하는 것이다.
피처리체를 예를 들어 580 ℃로 가열하여 비정질 실리콘막을 형성하고, 이어서 상기 피처리체를 예를 들어 620 ℃로 가열함으로써, 상기 비정질 실리콘막을 폴리화하여 폴리 실리콘막을 형성한다. 이러한 폴리 실리콘막은 구상 결정의 집합체 또는 방추형 결정과 구상 결정의 혼합체로 이루어지고, 미결정 입자의 입계가 여러 가지의 방향을 향하고 있으므로, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소가 상기 입계로 트랩되고, 상기 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지할 수 있다.
반도체 웨이퍼, 반응 용기, 웨이퍼 보우트, 가스 공급부, 제어부, 가열로

公开(公告)号：KR101309930B1

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020120137159

申请日：2012-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미따마사히꼬 ,  우메자와고오따 ,  손량 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: 반도체 처리용 처리 장치의 사용 방법은, 제품용 피처리 기판을 수용하지 않는 상기 처리 장치의 처리 용기 내에 산화성 가스 및 환원성 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 있어서, 상기 산화성 가스 및 상기 환원성 가스가 활성화하는 제1 환경하에서 상기 산화성 가스 및 상기 환원성 가스를 반응시켜 활성종을 발생시키는 공정과, 상기 활성종을 사용하여 상기 처리 용기의 상기 내면으로부터 오염 물질을 제거하는 공정을 포함한다.

Abstract translation: 使用用于半导体处理的处理设备的方法包括以下步骤：将氧化气体和还原气体供应到处理设备的处理容器中，该处理设备不包含待处理产品的基板; 在活化物质被活化的第一环境下使氧化气体和还原气体反应以产生活性物质;以及使用活性物质从处理容器的内表面去除污染物。

公开(公告)号：KR101139078B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020080043927

申请日：2008-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  다까기사또시 ,  손량 ,  도미따마사히꼬 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S438/905

Abstract: A method for using a film formation apparatus for a semiconductor process includes setting an idling state where a reaction chamber of the film formation apparatus accommodates no product target substrate therein, and then, performing a purging process of removing a contaminant present in an inner surface of the reaction chamber by causing radicals to act on the inner surface of the reaction chamber. The radicals are generated by activating a purging process gas containing oxygen and hydrogen as elements.

公开(公告)号：KR1020060067843A

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：KR1020050122312

申请日：2005-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  다까하시유따까 ,  유메자와고따 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3144

Abstract: A film formation method for a semiconductor process for forming a silicon oxynitride film on a target substrate within a reaction chamber includes a step of performing a pre-process on members inside the reaction chamber without the target substrate loaded therein, and a step of then forming a silicon oxynitride film on the target substrate within the reaction chamber. The pre-process is arranged to supply a pre-process gas containing a nitriding gas or oxynitriding gas into the reaction chamber, and setting an interior of the reaction chamber at a first temperature and a first pressure.

公开(公告)号：KR101243584B1

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：KR1020070104986

申请日：2007-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미따마사히꼬 ,  우메자와고오따 ,  손량 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: 반도체 처리용 처리 장치의 사용 방법은, 제품용 피처리 기판을 수용하지 않는 상기 처리 장치의 처리 용기 내에 산화성 가스 및 환원성 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 있어서, 상기 산화성 가스 및 상기 환원성 가스가 활성화하는 제1 환경하에서 상기 산화성 가스 및 상기 환원성 가스를 반응시켜 활성종을 발생시키는 공정과, 상기 활성종을 사용하여 상기 처리 용기의 상기 내면으로부터 오염 물질을 제거하는 공정을 포함한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 지지판, 지지 로드, 덮개, 밀봉 부재

公开(公告)号：KR1020130018210A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020120137159

申请日：2012-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미따마사히꼬 ,  우메자와고오따 ,  손량 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A semiconductor processing apparatus and a method for using the same, and a computer readable medium are provided to prevent metal contamination by performing a cleaning process after a film forming process is performed and byproducts are removed. CONSTITUTION: Semiconductor wafers(W) are loaded in a wafer boat(6). The wafer boat includes two supporting plates(6A) made of quartz and support rods(6B). The wafer boat moves up and down through the lower opening of a process basin(4). A gas supply device(28) supplies gas into the process basin. The gas supply device includes a source air system(30), a first reduction gas supply system(32), and a second reduction gas supply system(34). [Reference numerals] (44) Device control unit

Abstract translation: 目的：提供一种半导体处理装置及其使用方法，以及计算机可读介质，以在执行成膜处理并除去副产物之后通过执行清洁处理来防止金属污染。 构成：将半导体晶片（W）装载在晶片舟皿（6）中。 晶片舟包括由石英和支撑杆（6B）制成的两个支撑板（6A）。 晶片舟皿上下移动通过处理池（4）的下部开口。 气体供给装置（28）将气体供给到处理池中。 气体供给装置包括源空气系统（30），第一还原气体供给系统（32）和第二还原气体供给系统（34）。 （附图标记）（44）设备控制单元

公开(公告)号：KR100919527B1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020040079308

申请日：2004-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우메하라다까히또 ,  도미따마사히꼬 ,  후지따히로따께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L28/65

Abstract: 본 발명의 과제는 표면 흡착력이 약한 원료 가스라도, 스퍼터링 장치를 이용하는 일 없이 박막을 퇴적시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(14) 내에 원료 가스와 지원 가스를 공급하여 피처리체(W)의 표면에 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 상기 원료 가스와 상기 지원 가스를 서로 다른 타이밍에서 교대로 또한 연속적으로 서로 복수회 공급하여 상기 박막을 퇴적시키도록 한다. 이에 의해, 표면 흡착력이 약한 원료 가스라도, 스퍼터링 장치를 이용하는 일 없이 박막을 퇴적시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080100784A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：KR1020080043927

申请日：2008-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  다까기사또시 ,  손량 ,  도미따마사히꼬 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S438/905

Abstract: The film forming apparatus for processing the semiconductor and the method of using the same are provided to prevent the contamination of the film. The method of use of the film forming apparatus for the semiconductor processing is provided. A process is for setting up the reaction chamber of the film forming apparatus as the idle state which does not receive the processed substrate for product. A process is for performing the fuzzy treatment to remove the contaminant existing in the inner surface of the reaction chamber. The radicals are obtained by activating the fuzzy treatment gas including the oxygen and hydrogen. The radicals are activated in the inner surface of the reaction chamber.

Abstract translation: 提供了用于处理半导体的成膜装置及其使用方法，以防止膜的污染。 提供了用于半导体处理的成膜装置的使用方法。 一种方法是将成膜装置的反应室设置为不接收用于产品的处理衬底的空闲状态。 一个过程是进行模糊处理以去除存在于反应室内表面中的污染物。 通过激活包括氧和氢的模糊处理气体获得自由基。 自由基在反应室的内表面被活化。