公开(公告)号：KR100709950B1

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：KR1020050065121

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR100709982B1

公开(公告)日：2007-04-20

申请号：KR1020050065118

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR100729410B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020050065123

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 基板处理方法和基板处理装置技术领域本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置，为了清洁半导体晶片（W），在处理容器中容纳晶片，在晶片表面上形成纯水液膜， 并且，通过臭氧水的液膜除去晶片表面的抗蚀剂膜，通过在晶片表面上冷凝水蒸气而形成纯液膜， 并且，通过这些反应产生羟基自由基等，可以除去晶片表面上的抗蚀剂膜，并且提出了能够通过这些方法获得高抗蚀剂去除能力的技术。

公开(公告)号：KR1020060108581A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020060092852

申请日：2006-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020050076843A

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：KR1020050065123

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR100834080B1

公开(公告)日：2008-06-02

申请号：KR1020060092852

申请日：2006-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 基板处理方法和基板处理装置技术领域本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置，为了清洁半导体晶片（W），在处理容器中容纳晶片，在晶片表面上形成纯水液膜， 并且，通过臭氧水的液膜除去晶片表面的抗蚀剂膜，通过在晶片表面上冷凝水蒸气而形成纯液膜， 并且，通过这些反应产生羟基自由基等，可以除去晶片表面上的抗蚀剂膜，并且提出了能够通过这些方法获得高抗蚀剂去除能力的技术。

公开(公告)号：KR100735876B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020000043817

申请日：2000-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020050077502A

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：KR1020050065118

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020050076842A

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：KR1020050065121

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020010039769A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1020000043817

申请日：2000-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: Provided is a substrate treatment method having high treatment capacity, and a processor. CONSTITUTION: This is a method of washing a wafer(W), and here the liquid film(31) of pure water is made on the surface of the wafer(W), while the liquid film of ozone water is created by dissolving ozone gas(20) in the liquid film(31) of pure water, and the resist film(30) made on the surface of the wafer(W) is removed. A washer can execute such a washing method suitably.

Abstract translation: 目的：提供具有高处理能力的基板处理方法和处理器。 构成：这是洗涤晶片（W）的方法，这里在晶片（W）的表面上形成纯水的液膜（31），而臭氧水的液膜是通过溶解臭氧气体 （20）在纯水的液膜（31）中，并且去除在晶片（W）的表面上制成的抗蚀剂膜（30）。 垫圈可以适当地执行这种洗涤方法。