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公开(公告)号：KR101123705B1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：KR1020090023061
申请日：2009-03-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C18/54 , C23C18/31 , H01L21/288
Abstract: 기판면 내에서 균일한 막 두께를 가지는 도금 처리막을 형성하는 것이다. 이 반도체 장치의 제조 장치는, 기판을 회전 가능하게 유지하는 유지 기구와, 기판 상의 피처리면에 도금 처리를 실시하기 위한 처리액을 공급하는 노즐과, 유지 기구에 유지된 기판을 피처리면에 따른 방향으로 회전시키는 기판 회전 기구와, 유지 기구에 유지된 기판 상의 피처리면과 대향하는 위치에서, 노즐을 피처리면에 따른 방향으로 이동시키는 노즐 이동 기구와, 노즐에 의한 처리액의 공급 및 노즐 이동 기구에 의한 노즐의 이동 동작을 제어하는 제어부를 구비한다.
Abstract translation: 由此在衬底表面上形成具有均匀膜厚度的镀膜。 该半导体装置的制造装置包括：保持机构，其用于可旋转地保持基板;喷嘴，其用于供给用于对基板的表面进行电镀处理的处理液;基板，其被保持机构保持; 一种喷嘴移动机构，用于在由保持机构保持的基板上的与待处理表面相对的位置处沿着待处理表面的方向移动喷嘴; 以及用于控制喷嘴的喷嘴移动的控制单元。
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公开(公告)号：KR1020110000504A
公开(公告)日：2011-01-03
申请号：KR1020100059039
申请日：2010-06-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , C23F4/00 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/68792
Abstract: PURPOSE: A liquid processing device, a liquid processing method thereof, and a storage media thereof are provided to prevent the collapse of a convex part by controlling the surface tension between heterogeneous membranes and between a heterogeneous membrane and an inorganic film. CONSTITUTION: A support part supports the main body part of an object(W). A liquid supply device(10) supplies a liquid solution to the object. A hydrophobic liquid supply device(30) supplies a hydrophobic liquid to the object. A rinse fluid supply part(22) supplies a rinse liquid to the object. A substitution liquid supply part(27) supplies a substitution liquid to the object.
Abstract translation: 目的：提供一种液体处理装置及其液体处理方法及其存储介质，以通过控制非均相膜之间和非均相膜与无机膜之间的表面张力来防止凸部的塌陷。 构成：支撑部件支撑物体（W）的主体部分。 液体供给装置（10）将液体溶液供给到物体。 疏水性液体供给装置（30）向物体供给疏水性液体。 冲洗液供给部件（22）向冲洗液供给冲洗液。 替代液体供应部件（27）向物体供应置换液体。
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公开(公告)号：KR100709982B1
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020050065118
申请日：2005-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.
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公开(公告)号：KR101639628B1
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：KR1020137010818
申请日：2011-08-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05D7/50 , B05B12/04 , B05B12/14 , B05D1/02 , C23C18/1632 , C23C18/1651 , C23C18/31 , C23C18/54 , C25D17/001
Abstract: 본발명은, 기판(2)의표면으로도금처리액을공급하여도금처리를행하는도금처리장치(1)이다. 도금처리장치(1)는, 기판(2)을회전보지하는기판회전보지수단(25)과, 기판(2)의표면으로조성이상이한복수종류의도금처리액을공급하는복수의도금처리액공급수단(29, 30)과, 기판(2)으로부터비산한도금처리액을종류마다배출하는도금처리액배출수단(31)과, 기판회전보지수단(25), 복수의도금처리액공급수단(29, 30) 및도금처리액배출수단(31)을제어하는제어수단(32)을가진다. 기판(2)을회전보지한상태인채로상이한도금처리액을기판(2)의표면으로차례로공급하여기판(2)의표면에순차적으로복수의도금처리를실시한다.
Abstract translation: 电镀装置1可以通过将电镀液供给到基板2的表面来进行电镀处理。电镀装置1包括：基板旋转保持器，其被构造成保持和旋转基板2; 电镀液供给单元29,30，被配置为向基板2的表面供给不同种类的电镀液; 电镀液排出单元31，其被配置为根据电镀液的种类排出从基板2分散的镀液; 以及控制器32，被配置为控制基板旋转保持器25，电镀液供给单元29和30，电镀液排出单元31.在保持基板2并旋转的同时，在基板2的表面上进行电镀处理 依次通过将不同种类的电镀液体供给到基板2的表面上。
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公开(公告)号：KR1020130140126A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020137019573
申请日：2012-01-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C18/31
CPC classification number: B05C5/001 , B05D1/02 , C23C18/1614 , C23C18/1619 , C23C18/1676 , C23C18/168 , C25D17/001 , G03F7/162 , H01L21/288 , H01L21/67017
Abstract: 도금액을 효율적으로 가열하는 도금 처리 방법을 제공한다. 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 기구(110)와, 기판(2)으로 도금액(35)을 공급하는 도금액 공급 기구(30)를 구비하고 있다. 이 중 도금액 공급 기구(30)는, 기판(2)으로 공급되는 도금액(35)을 저류하는 공급 탱크(31)와, 도금액(35)을 기판(2)에 토출하는 토출 노즐(32)과, 공급 탱크(31)의 도금액(35)을 토출 노즐(32)로 공급하는 도금액 공급관(33)을 가지고 있다. 또한, 도금액 공급 기구(30)의 공급 탱크(31) 또는 도금액 공급관(33) 중 적어도 어느 일방에, 도금액(35)을 제 1 온도로 가열하는 제 1 가열 기구(50)가 장착되어 있다. 또한, 제 1 가열 기구(50)보다 토출 노즐(32)측에서, 도금액 공급관(33)에, 도금액(35)을 제 1 온도보다 고온인 제 2 온도로 가열하는 제 2 가열 기구(60)가 장착되어 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100049046A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020107002022
申请日：2008-07-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: B08B3/04 , G02F1/133 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/04 , C11D7/26 , C11D11/0047 , H01L21/67034 , H01L21/67057 , H01L21/67086
Abstract: Provided is a substrate processing method wherein a plurality of kinds of liquids are used. In the method, the liquid left on the substrate after processing by using the liquid is speedily and surely substituted with the liquid to be subsequently used. The method is provided with a step of processing a substrate (W) with the processing liquid, and a step of supplying a substituting liquid on the substrate and substituting the processing liquid left on the substrate with the substituting liquid. The substituting liquid to be used in the substituting step has a surface tension smaller than that of the processing liquid and has the same density as that of the processing liuqid.
Abstract translation: 提供了使用多种液体的基板处理方法。 在该方法中，通过使用液体处理后残留在基板上的液体被快速且可靠地置换成随后使用的液体。 该方法具有用处理液处理基板（W）的步骤，以及将置换液体供应到基板上并用替代液体代替留在基板上的处理液体的步骤。 在替代步骤中使用的替代液体的表面张力小于处理液体的表面张力，并且具有与处理液体相同的密度。
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公开(公告)号：KR100555388B1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020030028500
申请日：2003-05-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 소니 주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67757 , H01L21/31138 , H01L21/6708 , Y10S156/914
Abstract: 본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 기판처리장치의 하나의 실시예인 레지스트 제거장치(1)는 처리용기(10)의 내부에 웨이퍼(W)를 수용하고, 수증기와 오존 함유 가스를 처리용기(10)내에 공급함으로써 웨이퍼에 부착하고 있는 레지스트의 제거처리를 행한다. 수증기와 오존 함유 가스의 혼합가스 분위기에 노출되는 처리용기(10)의 내면 및 처리용기(10)의 내부에 설치된 부재의 표면에는 SiO
2 피막(13)이 형성되어 있고, 이것에 의해 처리용기(10) 및 처리용기(10)의 내부에 설치된 부재의 내구성을 향상시키고, 또 파티클의 발생을 억제하는 기술을 제공한다.Abstract translation: 基板处理装置及基板处理方法技术领域本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，尤其涉及一种基板处理装置的实施方式的抗蚀剂除去装置（1），该基板处理装置包括晶片（W） 被供应到处理容器10中以去除附着到晶片的抗蚀剂。 处理容器10的暴露于水蒸气和含臭氧气体的混合气体气氛和设置在处理容器10内部的构件的表面的内表面设置有SiO
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公开(公告)号：KR101464614B1
公开(公告)日：2014-11-24
申请号：KR1020140012961
申请日：2014-02-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/68792
Abstract: 무기막과 금속막이 적층된 피처리체를 처리하는 경우에 볼록 형상부가 도괴되는 것을 방지한다. 액처리 장치는, 본체부(W
i )와, 본체부(W
i )에 형성된 복수의 볼록 형상부(W
m )를 가지고, 무기막과 금속막이 적층된 피처리체(W)를 처리한다. 액처리 장치는, 피처리체(W)의 본체부(W
i )를 지지하는 지지부(50)와, 지지부(50)에 의해 지지된 피처리체(W)로 소수화액을 공급하는 소수화액 공급 기구(30)와, 소수화액 공급 기구(30)에 의해 소수화액이 공급된 후의 피처리체(W)로 린스액을 공급하는 린스액 공급부(22)를 구비하고 있다. 소수화액 공급 기구(30)는, 무기막을 소수화시키기 위한 제 1 소수화액을 피처리체(W)로 공급하는 제 1 소수화액 공급부(32)와, 금속막을 소수화시키기 위한 제 2 소수화액을 피처리체(W)로 공급하는 제 2 소수화액 공급부(37)를 가지고 있다.Abstract translation: 为了防止在处理金属层叠膜和无机膜处理对象的情况下，凸部坍塌。 液体处理装置包括主体W
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公开(公告)号：KR101421494B1
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020100059039
申请日：2010-06-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304 , C23F4/00 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/68792
Abstract: 무기막과 당해 무기막과 성질이 다른 이질막(금속막 또는 유기막 등)이 적층된 피처리체를 처리하는 경우에 볼록 형상부가 도괴되는 것을 방지한다. 액처리 장치는, 본체부(W
i )와, 본체부(W
i )에 형성된 복수의 볼록 형상부(W
m )를 가지고, 무기막과 당해 무기막과 성질이 다른 이질막이 적층된 피처리체(W)를 처리한다. 액처리 장치는, 피처리체(W)의 본체부(W
i )를 지지하는 지지부(50)와, 지지부(50)에 의해 지지된 피처리체(W)로 소수화액을 공급하는 소수화액 공급 기구(30)와, 소수화액 공급 기구(30)에 의해 소수화액이 공급된 후의 피처리체(W)로 린스액을 공급하는 린스액 공급부(22)를 구비하고 있다. 소수화액 공급 기구(30)는, 무기막을 소수화시키기 위한 제 1 소수화액을 피처리체(W)로 공급하는 제 1 소수화액 공급부(32)와, 이질막을 소수화시키기 위한 제 2 소수화액을 피처리체(W)로 공급하는 제 2 소수화액 공급부(37)를 가지고 있다.-
公开(公告)号：KR1020130139955A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020137010818
申请日：2011-08-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05D7/50 , B05B12/04 , B05B12/14 , B05D1/02 , C23C18/1632 , C23C18/1651 , C23C18/31 , C23C18/54 , C25D17/001 , C23C16/54 , C23C18/16
Abstract: 본 발명은, 기판(2)의 표면으로 도금 처리액을 공급하여 도금 처리를 행하는 도금 처리 장치(1)이다. 도금 처리 장치(1)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 수단(25)과, 기판(2)의 표면으로 조성이 상이한 복수 종류의 도금 처리액을 공급하는 복수의 도금 처리액 공급 수단(29, 30)과, 기판(2)으로부터 비산한 도금 처리액을 종류마다 배출하는 도금 처리액 배출 수단(31)과, 기판 회전 보지 수단(25), 복수의 도금 처리액 공급 수단(29, 30) 및 도금 처리액 배출 수단(31)을 제어하는 제어 수단(32)을 가진다. 기판(2)을 회전 보지한 상태인 채로 상이한 도금 처리액을 기판(2)의 표면으로 차례로 공급하여 기판(2)의 표면에 순차적으로 복수의 도금 처리를 실시한다.
Abstract translation: 电镀装置1可以通过将电镀液供给到基板2的表面来进行电镀处理。电镀装置1包括：基板旋转保持器，其被构造成保持和旋转基板2; 电镀液供给单元29,30，被配置为向基板2的表面供给不同种类的电镀液; 电镀液排出单元31，其被配置为根据电镀液的种类排出从基板2分散的镀液; 以及控制器32，被配置为控制基板旋转保持器25，电镀液供给单元29和30，电镀液排出单元31.在保持基板2并旋转的同时，在基板2的表面上进行电镀处理 依次通过将不同种类的电镀液体供给到基板2的表面上。
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