公开(公告)号：KR100709950B1

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：KR1020050065121

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1019980032598A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019970051365

申请日：1997-10-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사카미야코

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판의 세정건조방법은, (a) 약액으로 처리된 면이 위쪽을 향하도록 기판을 스핀척 위에 얹어 놓는 공정과, (b) 스핀척에 의해 기판을 회전시키면서 제 1 노즐에서 약액 처리면으로 세정액을 뿌려 상기 피처리면을 청정화하는 세정공정과, (c) 기판의 회전중에, 제 2 노즐을 기판의 중앙부에서 가장자리부까지 스캔 이동시키면서 제 2 노즐로부터 상기 피처리면으로 가스를 분사하여, 상기 피처리면에서 액체성분을 제거하는 건조공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR100420225B1

公开(公告)日：2004-07-12

申请号：KR1019970038124

申请日：1997-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  야마사카미야코 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/02

CPC classification number: B08B9/027 ,  B08B3/00 ,  C03C23/0075 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  Y10S134/902

Abstract: Disclosed is a liquid treatment for an object to be processed, such as a semiconductor wafer or a glass LCD substrate, which is designed to remove any chemicals remaining in chemical supply nozzles and also improve the rinse capability and throughput. To that end, a processing liquid supply means is configured as jet nozzle pipes 40, a bottom surface 40c of each of the jet nozzle pipes 40 is inclined so as to slope downward from a chemical supply side thereof to an end portion, and the end portion is connected to a drain pipe 55 by a waste liquid orifice 40d and a drain valve 54. A chemical is supplied from nozzle orifices 40b of the jet nozzle pipes 40, the chemical is brought into contact with wafers W, and a treatment is performed thereby. Thereafter, a chemical-removing agent such as pure water or N2 is supplied through the jet nozzle pipes 40 to remove any remaining chemical from the jet nozzle pipes 40, then pure water is brought into contact with the wafers W to wash them.

Abstract translation: 本发明公开了一种用于待处理物体（例如半导体晶圆或玻璃LCD基体）的液体处理，其被设计成去除化学物质供应喷嘴中残留的任何化学物质，并且还改善了漂洗能力和产量。 为此，处理液体供应装置被构造为喷射喷嘴管40，每个喷射喷嘴管40的底面40c倾斜成从化学物质供应侧向端部向下倾斜，并且末端部分 部分通过废液孔40d和排水阀54连接到排水管55.从喷嘴管40的喷嘴孔40b供应化学品，使化学品与晶片W接触，并且执行处理 从而。 此后，通过喷射喷嘴管40供应诸如纯水或N 2的化学清除剂，以从喷射喷嘴管40除去任何残留的化学物质，然后使纯水与晶片W接触以清洗它们。

公开(公告)号：KR1019980024897A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019970048412

申请日：1997-09-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구도히로유키 ,  요네미즈아키라 ,  다니야마히로키 ,  야마사카미야코

IPC: C23F1/24

Abstract: 박막의 습식 에칭방법은, (a) 박막의 종류와, 약액의 성분과, 온도로서 규정되는 박막의 에칭레이트를 미리 설정하여 두는 공정과, (b) 박막형성면이 위를 향하도록 기판을 스핀척 상에 재치하는 공정과, (c) 박막의 막두께를 적어도 기판의 둘레 가장자리부와 중앙부에서 각각 검출하는 공정과, (d) 상기 공정 (a)에서 설정해 둔 박막의 에칭레이트와, 상기 공정 (c)에서 얻어진 막두께 검출정보에 의거하여 노즐의 이동속도를 통과지점마다 연산에 의해 각각 구하는 공정과, (e) 스핀척에 의해 기판을 회전시키는 공정과, (f) 회전중인 기판의 박막형성면으로 향하여 노즐로부터 약액을 토출공급하면서 상기 공정 (d)에서 구한 각 통과지점마다의 이동속도로 되도록 노즐의 이동속도를 제어하여, 노즐을 기판의 반경방향으로 스캔 이동시키는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1019980018559A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019970038124

申请日：1997-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  야마사카미야코 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/02

Abstract: 반도체 웨이퍼와 LCD 유리기판 등의 피처리체의 액처리에 있어서, 약액공급노즐에 잔류하는 약액의 제거, 린스성능 및 처리량(through-put)의 향상을 나타내기 위해, 처리액 공급수단을 제트 노즐관(40)에서 형성하고, 제트 노즐관(40)의 저면(40c)을 약액의 공급측에서 선단을 향하게 아래쪽 균배로 기울어지게 하고, 선단측에 배액공(40d) 및 배수밸브(54)을 통해서 배수관(55)을 접속한다. 제트 노즐관(40)의 노즐공(40b)에서 약액을 공급해서 반도체 웨이퍼 W에 약액을 접촉시켜서 처리를 행한 후, 이 제트 노즐관(40)에 순수 또는 N
2 가스 등의 약액 제거용 기체를 공급해서 제트 노즐관(40)에 잔류하는 약액을 제거하고, 순수를 반도체 웨이퍼 W에 접촉시켜서 세정처리를 행한다.

公开(公告)号：KR100729410B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020050065123

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 基板处理方法和基板处理装置技术领域本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置，为了清洁半导体晶片（W），在处理容器中容纳晶片，在晶片表面上形成纯水液膜， 并且，通过臭氧水的液膜除去晶片表面的抗蚀剂膜，通过在晶片表面上冷凝水蒸气而形成纯液膜， 并且，通过这些反应产生羟基自由基等，可以除去晶片表面上的抗蚀剂膜，并且提出了能够通过这些方法获得高抗蚀剂去除能力的技术。

公开(公告)号：KR1020060108581A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020060092852

申请日：2006-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020050076843A

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：KR1020050065123

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR100834080B1

公开(公告)日：2008-06-02

申请号：KR1020060092852

申请日：2006-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

Abstract translation: 基板处理方法和基板处理装置技术领域本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置，为了清洁半导体晶片（W），在处理容器中容纳晶片，在晶片表面上形成纯水液膜， 并且，通过臭氧水的液膜除去晶片表面的抗蚀剂膜，通过在晶片表面上冷凝水蒸气而形成纯液膜， 并且，通过这些反应产生羟基自由基等，可以除去晶片表面上的抗蚀剂膜，并且提出了能够通过这些方法获得高抗蚀剂去除能力的技术。

公开(公告)号：KR100735876B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020000043817

申请日：2000-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  우에노킨야 ,  야마사카미야코 ,  츠츠미히데유키 ,  이이노타다시 ,  카미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.