公开(公告)号：KR100964045B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020050122312

申请日：2005-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  다까하시유따까 ,  유메자와고따 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3144

Abstract: 반응실 내에서 피처리 기판 상에 실리콘 산질화막을 형성하는 반도체 처리용의 성막 방법은 피처리 기판을 로드하지 않은 상태에서 반응실 내의 부재에 예비 처리를 실시하는 공정과, 다음에 반응실 내에서 피처리 기판 상에 실리콘 산질화막을 형성하는 공정을 포함한다. 예비 처리는 반응실 내에 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 예비 처리 가스를 공급하는 동시에, 반응실 내를 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다.
열 처리 장치, 반응관, 정상부, 배기구, 배기관, 덮개

公开(公告)号：KR1020060067843A

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：KR1020050122312

申请日：2005-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  다까하시유따까 ,  유메자와고따 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3144

Abstract: A film formation method for a semiconductor process for forming a silicon oxynitride film on a target substrate within a reaction chamber includes a step of performing a pre-process on members inside the reaction chamber without the target substrate loaded therein, and a step of then forming a silicon oxynitride film on the target substrate within the reaction chamber. The pre-process is arranged to supply a pre-process gas containing a nitriding gas or oxynitriding gas into the reaction chamber, and setting an interior of the reaction chamber at a first temperature and a first pressure.