公开(公告)号：KR1020070004866A

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020067021709

申请日：2005-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유우이치로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  Y10T137/8593

Abstract: A fine resist pattern having desired dimensions is uniformly formed within a substrate plane. A solvent supplying apparatus is provided with a solvent vapor discharging nozzle which can discharge solvent vapor for expanding a resist pattern while shifting on a wafer surface. A wafer to which a development process is completed and a resist pattern is formed thereon is carried into the solvent supplying apparatus. Then, the solvent vapor discharging nozzle is shifted on the wafer surface, and the solvent vapor is supplied on the wafer surface from the solvent vapor discharging nozzle. In this way, the solvent vapor of a prescribed quantity can be uniformly supplied on the resist pattern on the wafer surface. As a result, the resist pattern uniformly expands by prescribed sizes by the solvent vapor, and at the end, the resist pattern having the desired dimensions is uniformly formed within the wafer plane. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 在基板平面内均匀地形成具有所需尺寸的精细抗蚀剂图案。 溶剂供应装置设置有溶剂蒸汽排放喷嘴，其可以在晶片表面上移动时排出溶剂蒸汽以膨胀抗蚀剂图案。 完成显影处理的晶片和其上形成抗蚀剂图案的晶片被携带到溶剂供应装置中。 然后，溶剂蒸汽排出喷嘴在晶片表面上移动，并且溶剂蒸气从溶剂蒸汽排放喷嘴供应到晶片表面。 以这种方式，可以将规定量的溶剂蒸汽均匀地供给到晶片表面上的抗蚀剂图案上。 结果，抗蚀剂图案通过溶剂蒸气均匀地膨胀规定的尺寸，最后，在晶片平面内均匀地形成具有所需尺寸的抗蚀剂图案。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020090053724A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020080116222

申请日：2008-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토타로 ,  후나코시히데오 ,  이나토미유우이치로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/683

Abstract: 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서 표면에 레지스트 패턴이 형성되어 노광 처리되고 현상 처리된 웨이퍼 (W)의 표면을 표면으로 해 유지하는 척 (52)와 척을 수직축 주위에 회전시키는 모터 (53)과 척에 유지된 웨이퍼의 표면으로 향해 레지스트 패턴을 팽윤 시키는 용제증기를 토출하는 토출구멍 (61) 및 그 토출구멍으로부터 토출된 용제 증기를 흡인 가능한 흡인구 (62)를 가지는 처리 노즐 (60)과 처리 노즐을 척에 유지된 웨이퍼의 주변으로부터 중앙부 측에 이동시키는 이동 기구 (54)를 구비하고 웨이퍼를 수직축 주위에 회전시킴과 동시에, 토출구멍으로부터 용제 증기를 토출하면서 처리 노즐을 웨이퍼의 주변으로부터 중앙부 측에 향해 이동 시켜 웨이퍼의 표면에 용제 증기를 나선 형상에 공급하는 용제의 무용지물을 생략할 수가 있음과 동시 에 용제 증기의 임펙트압을 높인 스무딩 처리를 용이하게 하고 또한 용제 증기의 노즐 외부에의 누설을 억제해 처리 효율의 향위를 도모할 수 있는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR100861046B1

公开(公告)日：2008-09-30

申请号：KR1020067021709

申请日：2005-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유우이치로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  Y10T137/8593

Abstract: 본 발명은 기판의 처리방법 및 처리장치에 관한 것으로서 원하는 수치의 미세한 레지스트패턴을 기판면내에 있어서 균일하게 형성하는 것을 목적으로 하고 있다. 용제공급장치에 웨이퍼의 표면상을 이동하면서 레지스트패턴을 팽창시키는 용제증기를 토출할 수 있는 용제증기 토출노즐을 설치한다. 그리고 현상처리가 종료하여 레지스트패턴이 형성된 웨이퍼를 용제공급장치에 반입하고 웨이퍼의 표면상에서 용제증기 토출노즐을 이동시켜 용제증기 토출노즐로부터 웨이퍼의 표면상에 용제증기를 공급한다. 이렇게 함으로써 웨이퍼표면상의 레지스트패턴에 소정량의 용제증기가 균등하게 공급된다. 그 결과, 상기 용제증기로 레지스트패턴이 균등하게 소정의 치수분만 팽창하고, 최종적으로 원하는 치수의 레지스트패턴이 웨이퍼면내에 있어서 균일하게 형성되는 기술이 제공된다.

Abstract translation: 本发明具有的均匀形成微细在与所述衬底的处理方法和处理装置中的所期望的值的平面的抗蚀剂图案在所述基板的目的。 在溶剂供应装置中设置有溶剂蒸气排出喷嘴，该溶剂蒸气排出喷嘴能够排出溶剂蒸气以在晶片的表面上移动时膨胀抗蚀剂图案。 和显影处理完成获取形成于溶剂供给单元的晶片的抗蚀剂图案，并通过溶剂蒸气的在从晶片的表面上的溶剂蒸汽输送喷嘴在晶片的表面上的排放喷嘴的移动供给的溶剂蒸气。 通过这样做，将预定量的溶剂蒸气均匀地供应到晶片表面上的抗蚀剂图案。 其结果是，抗蚀剂图案作为溶剂蒸气和均匀预定尺寸分钟肿胀，提供其最终形成均匀地，晶片的抗蚀剂图案的所需的表面尺寸内的技术。