公开(公告)号：KR1020090071479A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：KR1020080134494

申请日：2008-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카사토시 ,  오오야요시노부 ,  이노우에후미오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: A plasma etching method, a plasma etching apparatus, and a control program and a computer storage device are provided to form the hole shape by plasma-etching the oxide silicon layer. An oxide layer(102) and an SiN layer(103) are formed in a silicon substrate(101). An amorphous carbon layer(105), an SiON layer(106), and an O-ARC film(107) are formed on an oxide silicon layer(104) as carbon-contained layers. A patterned photoresist layer(108) is formed on the upper part of the O-ARC film into the desired pattern. An opening(109) of pattern is formed in the photoresist layer.

Abstract translation: 提供等离子体蚀刻方法，等离子体蚀刻装置和控制程序以及计算机存储装置，以通过等离子体蚀刻氧化硅层来形成孔形状。 在硅衬底（101）中形成氧化物层（102）和SiN层（103）。 在作为含碳层的氧化物硅层（104）上形成无定形碳层（105），SiON层（106）和O-ARC膜（107）。 在O-ARC膜的上部形成图案化的光致抗蚀剂层（108）成为所需的图案。 在光致抗蚀剂层中形成图案的开口（109）。

公开(公告)号：KR101067222B1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020080134494

申请日：2008-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카사토시 ,  오오야요시노부 ,  이노우에후미오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 20 이상의 고 애스펙트비를 갖는 관통 구멍이나 구멍 형상을 형성할 수 있는 동시에, 보잉 형상을 억제할 수 있고, 양호한 에칭 형상을 얻을 수 있는 플라즈마 에칭 방법 등을 제공한다. 적어도 C
4 F
6 가스와 C
6 F
6 가스를 포함하고, C
4 F
6 가스의 C
6 F
6 가스에 관한 유량비(C
4 F
6 가스 유량/C
6 F
6 가스 유량)가 2∼11인 처리 가스를 플라즈마화하고, 아몰퍼스 카본층(105)을 마스크로 해서 산화 실리콘층(104)을 플라즈마 에칭하고, 개구 폭에 대한 깊이의 비가 20 이상의 구멍 형상(111)을 형성한다.