公开(公告)号：KR100852577B1

公开(公告)日：2008-08-18

申请号：KR1020070028146

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠모토나오키 ,  다나카사토시 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/3065

Abstract: 기판 처리실을 갖는 플라즈마 처리 장치는 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지한다. 기판 처리실은 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는다. 플라즈마 처리 장치는 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품을 더 구비한다. 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 갖고, 도전부의 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠의 범위 내이다.

Abstract translation: 具有基板处理室的等离子体处理设备防止等离子体泄漏到排气空间中。 基板处理室具有用于对基板进行等离子体处理的处理空间，用于将气体排出处理空间的排气空间以及用于连通排气空间和处理空间的排气流路。 等离子体处理装置还包括设置在排气通道中并且电接地的接地组件。 接地部分具有由导电材料制成的导电部分，并且导电部分到排气通道的暴露面积在100至1000cm 2的范围内。

公开(公告)号：KR101067222B1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020080134494

申请日：2008-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카사토시 ,  오오야요시노부 ,  이노우에후미오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 20 이상의 고 애스펙트비를 갖는 관통 구멍이나 구멍 형상을 형성할 수 있는 동시에, 보잉 형상을 억제할 수 있고, 양호한 에칭 형상을 얻을 수 있는 플라즈마 에칭 방법 등을 제공한다. 적어도 C
4 F
6 가스와 C
6 F
6 가스를 포함하고, C
4 F
6 가스의 C
6 F
6 가스에 관한 유량비(C
4 F
6 가스 유량/C
6 F
6 가스 유량)가 2∼11인 처리 가스를 플라즈마화하고, 아몰퍼스 카본층(105)을 마스크로 해서 산화 실리콘층(104)을 플라즈마 에칭하고, 개구 폭에 대한 깊이의 비가 20 이상의 구멍 형상(111)을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020060101303A

公开(公告)日：2006-09-22

申请号：KR1020060024148

申请日：2006-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  히로오카다카아키 ,  시미즈아키타카 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23F1/12 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67775

Abstract: 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있는 대기 반송실을 제공한다. 에칭 처리가 실시된 웨이퍼(W)가 반송되는 로더 모듈(13)은, 그 내부에서 상측에 배치된 FFU(34)를 구비하고, FFU(34)는, 팬 유닛(37), 가열 유닛(38), 제습 유닛(39) 및 제진 유닛(40)으로 이루어지고, 팬 유닛(37)은 하측을 향하여 대기를 송출하는 팬을 내장하고, 제습 유닛(39)은 팬 유닛(37)에 의해서 송출된 대기를 제습하는 데시캔트 필터(55)를 내장하고, 제진 유닛(40)은 제습 유닛(39)을 통과한 대기중의 먼지와 쓰레기를 집진하는 필터를 내장하고, 이에 의해, FFU(34)는 로더 모듈(13) 내부의 상측에 도입된 대기를 가열, 제습, 제진하여, 로더 모듈(13) 내부의 하측에 공급한다.

公开(公告)号：KR100926380B1

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：KR1020070030756

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  하야카와요시노부 ,  하나오카히데토시 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: 본 발명의 과제는 2주파 중첩 인가 방식의 용량 결합형에 있어서, 다른쪽의 대향 전극에 원하지 않는 막이 형성되는 것을 완전히 방지 내지 억제하면서, 플라즈마 밀도가 공간적인 분포 특성을 임의로 제어하는 것이다.
본 발명에 따르면, 하부 전극의 서셉터(16)에는 피처리 기판(W)이 탑재되고, 고주파 전원(30)으로부터 플라즈마 생성용의 제1 고주파가 인가되며, 고주파 전원(70)으로부터 이온인입용의 제2 고주파가 인가된다. 서셉터(16)의 위쪽에 이것과 평행하게 대향해서 배치되는 상부 전극(34)은 챔버(10)에 링형상의 절연체(35)를 거쳐서 부착되어 있다. 상부 전극(34)은 봉형상의 인덕터(54) 및 도선(56)을 거쳐서 접지 전위에(통상은 챔버(10)에) 접속되어 있다.

Abstract translation: 在本发明的目的是电容耦合型的双频率叠加应用方法，和完全防止，抑制不希望的膜形成在在另一侧的对置电极，任意地控制等离子体密度的空间分布特性。

公开(公告)号：KR100810796B1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020060024148

申请日：2006-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  히로오카다카아키 ,  시미즈아키타카 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23F1/12 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67775

Abstract: 피처리체로부터 제조되는 반도체 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 피처리체 처리 장치의 가동률을 향상시킬 수 있는 대기 반송실을 제공한다. 에칭 처리가 실시된 웨이퍼(W)가 반송되는 로더 모듈(13)은, 그 내부에서 상측에 배치된 FFU(34)를 구비하고, FFU(34)는, 팬 유닛(37), 가열 유닛(38), 제습 유닛(39) 및 제진 유닛(40)으로 이루어지고, 팬 유닛(37)은 하측을 향하여 대기를 송출하는 팬을 내장하고, 제습 유닛(39)은 팬 유닛(37)에 의해서 송출된 대기를 제습하는 데시캔트 필터(55)를 내장하고, 제진 유닛(40)은 제습 유닛(39)을 통과한 대기중의 먼지와 쓰레기를 집진하는 필터를 내장하고, 이에 의해, FFU(34)는 로더 모듈(13) 내부의 상측에 도입된 대기를 가열, 제습, 제진하여, 로더 모듈(13) 내부의 하측에 공급한다.

公开(公告)号：KR1020070098588A

公开(公告)日：2007-10-05

申请号：KR1020070030133

申请日：2007-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935

Abstract: An apparatus for processing plasma and a method for processing the plasma are provided to maintain the uniformity of a process stably even when the change of elapsed time is generated by repeating the collection of a plasma process. A method for processing plasma includes the steps of: attaching a first electrode to a processing container(10) through an insulator(52) or a space; electrically connecting the first electrode to a ground electric potential through a capacitance variable unit of capacitance variableness; and converting the capacitance of the capacitance variable unit according to a process condition of a plasma process performed on a substrate.

Abstract translation: 提供一种用于处理等离子体的装置和处理等离子体的方法，即使当通过重复收集等离子体处理而产生经过时间的改变时，也能够保持工艺的均匀性。 一种用于处理等离子体的方法包括以下步骤：通过绝缘体（52）或空间将第一电极附接到处理容器（10）; 通过电容变化的电容可变单元将第一电极电连接到地电位; 以及根据在衬底上执行的等离子体处理的处理条件来转换电容可变单元的电容。

公开(公告)号：KR1020090071479A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：KR1020080134494

申请日：2008-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카사토시 ,  오오야요시노부 ,  이노우에후미오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: A plasma etching method, a plasma etching apparatus, and a control program and a computer storage device are provided to form the hole shape by plasma-etching the oxide silicon layer. An oxide layer(102) and an SiN layer(103) are formed in a silicon substrate(101). An amorphous carbon layer(105), an SiON layer(106), and an O-ARC film(107) are formed on an oxide silicon layer(104) as carbon-contained layers. A patterned photoresist layer(108) is formed on the upper part of the O-ARC film into the desired pattern. An opening(109) of pattern is formed in the photoresist layer.

Abstract translation: 提供等离子体蚀刻方法，等离子体蚀刻装置和控制程序以及计算机存储装置，以通过等离子体蚀刻氧化硅层来形成孔形状。 在硅衬底（101）中形成氧化物层（102）和SiN层（103）。 在作为含碳层的氧化物硅层（104）上形成无定形碳层（105），SiON层（106）和O-ARC膜（107）。 在O-ARC膜的上部形成图案化的光致抗蚀剂层（108）成为所需的图案。 在光致抗蚀剂层中形成图案的开口（109）。

公开(公告)号：KR100883231B1

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：KR1020070030133

申请日：2007-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/3065

Abstract: 캐소드 커플 방식에 있어서 애노드 측의 전극에 데포지션막이 부착되어 후공정의 프로세스에 영향을 주는 것을 최대한 방지하면서 프로세스의 균일성을 가급적 향상시킨다. 하부 전극의 서셉터(16)에는 피처리 기판(W)이 탑재되고, 고주파 전원(30)으로부터 플라즈마 생성용의 고주파가 인가된다. 서셉터(16)의 위쪽에 이것과 평행하게 대향해서 배치되는 상부 전극(34)은 챔버(10)에 링 형상의 절연체(35)를 거쳐서 전기적으로 플로팅된 상태에서 부착되어 있다. 상부 전극(34)의 상면과 챔버(10)의 천장의 사이의 공간(50)에 용량 가변의 가변 콘덴서(86)가 마련되어 있다. 프로세스 조건에 따라서, 용량 제어부(85)에 의해 가변 콘덴서(86)의 용량을 가변하고, 상부 전극(34)의 접지 용량을 전환한다.

Abstract translation: 工艺的均匀性尽可能地提高，同时在阴极耦合方法中防止沉积膜沉积在阳极侧上的电极上，从而对后续工艺产生最大可能的影响。 基板W安装在下部电极的基座16上，从高频电源30施加用于等离子体产生的高频。 设置在基座16上方以与基座16相对且平行的上电极34经由环形绝缘体35以电浮动状态附接到腔室10。 具有可变电容的可变电容器86设置在上电极34的上表面与腔室10的顶部之间的空间50中。 根据处理条件通过电容控制单元85改变可变电容器86的电容，并切换上电极34的接地电容。

公开(公告)号：KR100841118B1

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：KR1020070030130

申请日：2007-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  하야카와요시노부 ,  하나오카히데토시 ,  고다마노리아키 ,  고시미즈치시오 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/3065

Abstract: 용량 결합형의 고주파 방전에 의해서 생성하는 플라즈마의 밀도의 공간적인 분포를 균일화 내지 임의로 제어하여 프로세스의 면내 균일성을 향상시킨다. 하부 전극의 서셉터(16)에는 피처리 기판(W)이 탑재되어, 고주파 전원(30)으로부터 플라즈마 생성용의 고주파가 인가된다. 서셉터(16)의 상방에 이것과 평행하게 대향하여 배치되는 상부 전극(34)은, 챔버(10)에 링 형상의 절연체(35)를 거쳐서 전기적으로 플로팅된 상태로 부착되어 있다. 또한, 상부 전극(34)의 상면과 챔버(10)의 천장의 사이에는 소정 갭 사이즈의 간격이 마련되고, 그 간격의 일부 또는 전부에 진공 공간(50)이 형성되어 있다. 이 진공 공간(510)의 내벽의 전부 또는 일부는 시트 형상의 절연체(52)로 덮혀져 있다.

Abstract translation: 通过均匀化或任意控制由电容耦合高频放电产生的等离子体的密度的空间分布来改进工艺的面内均匀性。 基板W安装在下部电极的基座16上，并且从高频电源30施加用于产生等离子体的高频电力。 配置在基座16的上方且与基座16平行的上部电极34经由环状的绝缘体35以电浮动的状态安装于腔室10。 在上部电极34的上表面与腔室10的顶部之间设有规定的间隙尺寸的间隙，在该间隙的一部分或全部形成真空空间50。 真空空间510的全部或部分内壁被片状绝缘体52覆盖。

公开(公告)号：KR1020070098643A

公开(公告)日：2007-10-05

申请号：KR1020070030756

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  하야카와요시노부 ,  하나오카히데토시 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: A plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to improve uniformity of a process by arbitrarily controlling a spatial distribution characteristic of the plasma density while completely preventing formation of an undesired film on an opposed electrode. A plasma processing apparatus includes a capacitively coupled(parallel plate type) plasma etching device using a lower dual frequency superimposed application method. A substrate(W) is mounted on a susceptor(16). A primary high frequency for generating plasma is applied to the susceptor(16) from a high-frequency power source(30) and a secondary high-frequency for injecting ion is applied to the susceptor(16) from a high-frequency power source(70). An upper electrode(34) is attached to a chamber(10) via a ring-shaped insulator(35). The upper electrode(34) is connected to a ground potential via an inductor(54) and a conducting wire(56).

Abstract translation: 提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过任意地控制等离子体密度的空间分布特性来改善工艺的均匀性，同时完全防止在相对电极上形成不期望的膜。 等离子体处理装置包括使用较低双重叠加应用方法的电容耦合（平行板型）等离子体蚀刻装置。 衬底（W）安装在基座（16）上。 用于产生等离子体的初级高频从高频电源（30）施加到基座（16），并且用于注入离子的次级高频从高频电源施加到基座（16） 70）。 上电极（34）通过环形绝缘体（35）附接到室（10）。 上电极（34）经由电感器（54）和导线（56）连接到接地电位。