公开(公告)号：KR1020010092714A

公开(公告)日：2001-10-26

申请号：KR1020010014898

申请日：2001-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  모로즈미유이치로 ,  최동균 ,  스가와라다쿠야 ,  이누미야세이지 ,  쓰나시마요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: PURPOSE: An MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method of tantalum oxide film is provided to allow a thin tantalum oxide film to be formed with high controllability in the film thickness, and to have excellent electric properties. CONSTITUTION: First(P2-P3), water vapor used as an oxidizing agent is supplied into a process container to cause moisture to be adsorbed on a surface of each semiconductor wafer(W). Then(P4-P5), PET gas used as a raw material gas is supplied into the process container and is caused to react with the moisture on the wafer at a process temperature of 200 DEG C, thereby forming an interface layer of tantalum oxide. Then(P6-P7), PET gas and oxygen gas are supplied into the process container at the same time, and are caused to react with each other at a process temperature of 410 DEG C, thereby forming a main layer of tantalum oxide on the interface layer.

Abstract translation: 目的：提供一种氧化钽膜的MOCVD（金属有机化学气相沉积）方法，可以形成具有高的膜厚可控性的薄氧化钽膜，并且具有优异的电性能。 构成：首先（P2-P3）将作为氧化剂使用的水蒸汽供给到处理容器中，使得水分吸附在各半导体晶片（W）的表面上。 然后，将（P4-P5）作为原料气体使用的PET气体在200℃的加工温度下供给到处理容器中，与晶片上的水分反应，形成氧化钽的界面层。 然后，将（P6-P7），PET气体和氧气同时供给到处理容器中，在410℃的处理温度下进行反应，形成氧化钽主层 界面层

公开(公告)号：KR100737056B1

公开(公告)日：2007-07-09

申请号：KR1020010014898

申请日：2001-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  모로즈미유이치로 ,  최동균 ,  스가와라다쿠야 ,  이누미야세이지 ,  쓰나시마요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 용기 내에 산화제로서 수증기를 공급하여 각 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 수분을 흡착시키는 단계(P2-P3), 처리 용기(20) 내에 원료 가스인 PET 가스를 공급하여 200℃의 공정 온도에서 웨이퍼 위의 수분과 반응시켜 탄탈 산화물로 이루어진 계면층(50)을 형성하는 단계(P4-P5), 처리 용기 내에 PET 가스와 산소 가스를 동시에 공급하여 410℃의 공정 온도에서 두 가스를 반응시켜 계면층 상에 탄탈 산화물로 이루어진 본층(51)을 형성하는 단계(P6-P7)를 포함하는 탄탈 산화막을 형성하기 위한 금속 유기 화학적 증착(MOCVD) 방법에 관한 것이다.