公开(公告)号：KR1020070088368A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：KR1020070017965

申请日：2007-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시다도시후미 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/02

Abstract: A cooling block and a plasma processing apparatus using the same are provided to simultaneously form a diffusion bonding layer of zinc to aluminum and a zinc oxide film by interposing zinc between a first and a second layers. A cooling block includes an electrode generating a plasma for use in a plasma process, and a channel(82) a cooling liquid. A first preform and a second preform are respectively made of aluminum, and a recess for forming a channel for a cooling liquid is formed on at least one of the first and second base materials. The first and the second layers are bonded under heating atmosphere containing oxygen to form a diffusion bonding layer with zinc diffused in aluminum and an anti-corrosion layer(94) of a zinc oxide film.

Abstract translation: 提供一种冷却块和使用其的等离子体处理装置，通过在第一层和第二层之间插入锌来同时形成锌与铝的氧化锌膜的扩散结合层。 冷却块包括产生用于等离子体处理的等离子体的电极和通道（82）冷却液。 第一预制件和第二预制件分别由铝制成，并且在第一和第二基材中的至少一个上形成用于形成用于冷却液的通道的凹部。 第一层和第二层在含有氧的加热气氛下结合，形成扩散粘合层，其中锌扩散到铝中，并具有氧化锌膜的防腐蚀层（94）。

公开(公告)号：KR1020090096334A

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：KR1020090018600

申请日：2009-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시다도시후미

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: A cover part, processing gas diffusing and a supplying unit, and a substrate processing apparatus are provided to secure uniformity of plasma process on the substrate by increasing conductance and supplying the processing gas uniformly. In a cover part, processing gas diffusing and a supplying unit, and a substrate processing apparatus, a process chamber(11) accommodates a substrate(W). A processing gas supplying unit supplies the process gas within a corresponding process chamber, and a processing gas induction pipe(40) introduces the process gas to the processing gas supplying unit. A plurality of vents(42) are penetrated through internal space and a processing chamber.

Abstract translation: 提供盖部分，处理气体扩散和供给单元以及基板处理装置，以通过增加导电性和均匀地供给处理气体来确保基板上的等离子体处理的均匀性。 在覆盖部分中，处理气体扩散和供给单元以及基板处理装置，容纳基板（W）的处理室（11）。 处理气体供给单元将处理气体供给到对应的处理室内，处理气体导入管40将处理气体导入处理气体供给单元。 多个通风口（42）穿过内部空间和处理室。

公开(公告)号：KR100757545B1

公开(公告)日：2007-09-10

申请号：KR1020040033366

申请日：2004-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케 ,  이시다도시후미 ,  기무라시게토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 교환 부품의 코스트의 상승을 억제하여 러닝 코스트의 저감을 도모하면서, 그 온도 제어성을 종래에 비교해서 향상시킬 수 있고, 고정밀도인 플라즈마 처리를 할 수 있는 상부 전극 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 진공 챔버(1)에 설치된 상부 전극(3)은 전극기체(30), 냉각 블록(31) 및 전극판(32)으로 구성되어 있다. 전극기체(30)와 냉각 블럭(31) 사이에는 처리 가스 확산용 간극(33)이 형성되어 있다. 냉각 블럭(31)에는 다수의 투과 구멍(34)이 형성되고, 이들 투과 구멍(34)의 사이에, 잘게 굴곡한 형상으로 된 냉매 유로(35)가 형성되어 있다. 전극판(32)은 냉각 블럭(31)의 하측에, 유연성을 갖는 열전도부재인 실리콘 러버 시트(36)를 거쳐서 장착 및 분리 가능하게 고정되어 있고, 투과 구멍(34)에 각각 대응하여 토출구(37)가 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR100856592B1

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：KR1020070017965

申请日：2007-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시다도시후미 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리에 사용되는 플라즈마를 발생하기 위한 전극을 구성하는 냉각 블록에 있어서, 전극에 요구되는 기능을 만족하면서, 부식을 억제하여, 사용 수명이 긴 냉각 블록을 제공하는 것이다. 각각 알루미늄으로 이루어지고, 적어도 그들 한쪽에 냉각액의 유로 형성용 오목부가 가공되어 있는 제 1 모재 및 제 2 모재를, 양자 사이에 아연을 개재시킨 상태에서 산소를 포함하는 가열 분위기하에서 접합함으로써, 아연이 알루미늄중에 확산된 확산 접합층과 아연 산화막으로 이루어진 방식층이 동시에 형성되는 것에 의해 냉각 블록을 형성한다. 또한, 아연 산화막중의 아연의 양은 1㎡당 30g 이상인 것이 바람직하고, 더욱이 제 1 모재 및 제 2 모재 사이에는, 예를 들어 니켈 등의 땜납재를 개재시키도록 하여도 좋다.

公开(公告)号：KR1020040098551A

公开(公告)日：2004-11-20

申请号：KR1020040033366

申请日：2004-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케 ,  이시다도시후미 ,  기무라시게토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: PURPOSE: An upper electrode is provided to reduce running cost and improve temperature controllability as compared with a conventional technique by controlling an increase of the cost of spare parts. CONSTITUTION: An upper electrode(3) is disposed to confront a mount unit(2) on which a substrate to be process is mounted. The upper electrode generates plasma of process gas between the mount unit and the upper electrode. A coolant path for circulating coolant is formed in a cooling block(31) while at least one transmission hole for transmitting the process gas is formed in the cooling block. An electrode plate(32) is mounted/separated on/from the lower surface of the cooling block by using a ductile thermal conductive member. At least one discharge hole(37) is formed on the electrode plate to discharge the process gas toward the substrate to be mounted. An electrode base member(30) is installed over the cooling block. A void(33) for process gas diffusion is formed between the cooling block and the electrode base member to diffuse the process gas.

Abstract translation: 目的：通过控制备件成本的增加，提供了与常规技术相比降低运行成本并提高温度可控性的上电极。 构成：上电极（3）设置成面对要安装待加工基板的安装单元（2）。 上部电极在安装单元和上部电极之间产生处理气体的等离子体。 在冷却块（31）中形成用于循环冷却剂的冷却剂路径，同时在冷却块中形成用于传送处理气体的至少一个传输孔。 通过使用延性导热构件，在冷却块的下表面上/从冷却块的下表面安装/分离电极板（32）。 在电极板上形成至少一个排出孔（37），以将处理气体朝向要安装的基板排出。 电极基座部件（30）安装在冷却块的上方。 在冷却块和电极基体之间形成用于处理气体扩散的空隙（33），以扩散处理气体。