公开(公告)号：KR100638913B1

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：KR1020030087733

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미쓰오카가즈유키 ,  오니시다다시 ,  혼다미노루 ,  아사코류이치 ,  이와시타미쓰아키

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02137 ,  B05D1/005 ,  B05D3/068 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3124

Abstract: 본 발명의 처리 방법은 기판상에 형성된 유기 재료막의 표면에 보호막용 극성 액체 재료를 도포하거나 보호막용 무기 재료막을 형성하기 위한 방법이다. 이 방법은 불활성 기체 분위기하에 전자 빔 조사 장치에 의해 유기 재료막에 전자 빔을 조사하여 개질 처리를 하는 공정, 및 개질 처리가 수행된 유기 재료막의 표면에 극성 액체 재료를 도포하거나 무기 재료막을 형성하는 공정을 포함한다. 개질 공정에 의해 유기 재료막을 경화시키는 동시에 유기 재료막에 극성 액체 재료 및 무기 재료막과의 친화성을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019980070998A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019980002785

申请日：1998-02-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고니시노부오 ,  이와시타미쓰아키

IPC: B24B29/02

Abstract: 본 발명의 연마 장치는 발포수지로 형성된 연마층을 구비하는데, 이 연마층은 그것의 연마면에 부분적으로 노출되도록 연마층내에 수납된 복수의 기계적 연마입자를 구비한다. 피연마체와 연마층은 피연마체가 연마층의 연마면과 접촉할 수 있는 상태로 서로에 대해 회전되어, 상기 피연마체를 상기 기계적 연마입자로 연마한다.

公开(公告)号：KR1019950704811A

公开(公告)日：1995-11-20

申请号：KR1019950701981

申请日：1994-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호사카아쓰시 ,  이와시타미쓰아키 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/3205

Abstract: 반도체 웨이퍼(W) 등의 피처리체 표면에 불순물이 도프된 막을 형성하기 위한 성막장치는, 그 길이방향을 연직으로 해서 배치되고, 복수의 반도체 웨이퍼(W)가 배치되는 영역을 반응관(2,20)을 갖고, 반응관(2,20)내의 그 영역에는 복수의 반도체 웨이퍼(W)가 피처리체가 간격을 두고 연직방향으로 겹쳐진 상태로 배열되고, 이 반응관(2,20)내에 성막가스도입관(6,61)을 통해서 성막가스가 도입되며, 이 장치는 가스유출구(76,77,77a,77b)가 반응관(2,20)내의 상기 피처리체 배치영역보다 하방에 위치하고, 거기에서 상방을 향해 도프가스를 도입하기 위한 주도프가스도입관(71)과; 가스유출구(76,77,77a,77b)가 주도프가스도입관(71)의 유출구보다 상기 반응관(2,20)의 상방에 설치되고, 주도프가스도입관(71)으로부터의 도프가스의 공급을 보충하기 위해 도프가스를 도입하는 적어도 1개의 부도프가스도입관(27,72a,72b)과; 상기 반응관(2,20)내의 가스를 배출하기 위한 배기계와; 반응관(2,20)내를 가열하기 위한 가열수단을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020040048868A

公开(公告)日：2004-06-10

申请号：KR1020030087733

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미쓰오카가즈유키 ,  오니시다다시 ,  혼다미노루 ,  아사코류이치 ,  이와시타미쓰아키

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02137 ,  B05D1/005 ,  B05D3/068 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3124

Abstract: PURPOSE: A method of processing an organic material layer is provided to improve the adhesion between the organic material layer and a polarized liquid material layer, to sustain low-k of the organic material layer, and to increase mechanical intensity of the organic material layer by irradiating an electron beam to the organic material layer using an electron beam irradiation apparatus. CONSTITUTION: An organic material layer is formed on a substrate(W). A reforming process for curing the organic material layer and providing simultaneously the affinity for a polarized liquid material layer to the organic material layer is performed under an inert gas atmosphere by irradiating an electron beam to the organic material layer using an electron beam irradiation apparatus(1). The polarized liquid material layer is coated on the organic material layer.

Abstract translation: 目的：提供一种处理有机材料层的方法，以改善有机材料层和极化液体材料层之间的粘附力，以维持有机材料层的低k值，并通过以下方式提高有机材料层的机械强度 使用电子束照射装置向有机材料层照射电子束。 构成：在基板（W）上形成有机材料层。 通过使用电子束照射装置（1）向有机材料层照射电子束，在惰性气体气氛下进行固化有机材料层并同时提供对极化液体材料层与有机材料层的亲和力的重整工艺 ）。 偏振液体材料层涂覆在有机材料层上。

公开(公告)号：KR100182089B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019950701981

申请日：1994-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호사카아쓰시 ,  이와시타미쓰아키 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 반도체 웨이퍼(W) 등의 피처리체 표면에 불순물이 도프된 막을 형성하기 위한 성막장치는, 그 길이방향을 연직으로 해서 배치되고, 복수의 반도체 웨이퍼(W)가 배치되는 영역을 갖는 반응관(2,20)을 갖고, 반응관(2,20)내의 그 영역에는 복수의 반도체 웨이퍼(W)가 피처리체가 간격을 두고 연직방향으로 겹쳐진 상태로 배열되고, 이 반응관(2,20)내에 성막가스도입관(6,61)을 통해서 성막가스가 도입되며, 이 장치는 가스유출구(76,77,77a,77b)가 반응관(2,20)내의 상기 피처리체 배치영역보다 하방에 위치하고, 거기에서 상방을 향해 도프가스를 도입하기 위한 주도프가스도입관(71)과; 가스유출구(76,77,77a,77b)가 주도프가스도입관(71)의 유출구보다 상기 반응관(2,20)의 상방에 설치되고, 주도프가스도입관(71)으로부터의 도프가스의 공급을 보충하기 위해 도프가스를 도입하는 적어도 1개의 부도프가스도입관(72,72a,72b)과; 상기 반응관(2,20)내의 가스를 배출하기 위한 배기계와; 반응관(2,20)내를 가열하기 위한 가열수단을 구비하고 있다.