公开(公告)号：KR1020080084742A

公开(公告)日：2008-09-19

申请号：KR1020080023968

申请日：2008-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68742

Abstract: A substrate processing apparatus, a substrate processing method and a recording medium are provided to heat and cool a wafer quickly by removing an oxide layer on a surface of a wafer through a chemical process and thermal treatment in a process chamber. A substrate processing apparatus removing an oxide layer on a surface of a substrate(W) through chemical process and heat treatment comprises a gas supply mechanism(100), a first temperature adjusting member(80), and a second temperature adjusting member(75). The gas supply mechanism supplies gas containing a halogen element and basic gas into a process chamber(41). Both first temperature adjusting member and second temperature adjusting member adjust temperature of the substrate in the process chamber. The second temperature adjusting member adjusts the temperature of the substrate to a higher temperature than the first temperature adjusting member.

Abstract translation: 提供基板处理装置，基板处理方法和记录介质，通过在处理室中进行化学处理和热处理，通过去除晶片表面上的氧化物层来快速加热和冷却晶片。 通过化学处理和热处理去除衬底（W）表面上的氧化物层的衬底处理装置包括气体供给机构（100），第一温度调节构件（80）和第二温度调节构件（75） 。 气体供给机构将含有卤素元素和碱性气体的气体供给到处理室（41）。 第一温度调节构件和第二温度调节构件都调节处理室中的衬底的温度。 第二温度调节构件将衬底的温度调节到比第一温度调节构件更高的温度。

公开(公告)号：KR100586390B1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020030097286

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부 ,  혼다미노루 ,  미츠오카가즈유키 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템은 복수의 전자빔 관으로부터 피 처리체에 형성된 막으로 전자빔을 조사하여 막두께를 맞추며, 상기 공정에서 상기 복수의 전자빔 관 각각의 출력 또는 조사 시간을 상기 막두께의 분포에 따라 개별적으로 제어한다. 또한, 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템에 의해 피 처리체의 막에 대전된 전하가 제거된다.

Abstract translation: 一种薄膜处理方法和薄膜处理系统中，每个输出或多个电子束管中的曝光时间的通过照射电子束到薄膜matchumyeo膜厚，在膜厚度的分布形成在目标体从多个电子束管的步骤 沿着可独立控制的。 此外，通过薄膜处理方法和薄膜处理系统去除待处理物体的膜上的电荷。

公开(公告)号：KR1020100049515A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：KR1020100023924

申请日：2010-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  후지이히로시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H05B3/143

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to heat and cool down a substrate in rapid in the same process chamber. CONSTITUTION: A supporting member(47) supports a substrate(W) in a process chamber(41). A first temperature adjusting member(75) controls the temperature of the substrate to a first temperature. A second temperature adjusting member(80) controls the temperature of the substrate to a second temperature different from the first temperature. The second temperature adjust member is arranged within an isolated region and is contacted with the support member.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，用于在相同的处理室中快速加热和冷却基板。 构成：支撑构件（47）在处理室（41）中支撑基板（W）。 第一温度调节构件（75）将衬底的温度控制到第一温度。 第二温度调节构件（80）将衬底的温度控制到与第一温度不同的第二温度。 第二温度调节构件布置在隔离区域内并与支撑构件接触。

公开(公告)号：KR1020050106387A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：KR1020050101545

申请日：2005-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부 ,  혼다미노루 ,  미츠오카가즈유키 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: In a thin film processing method and system, a film thickness is regulated by using electron beams irradiated from a plurality of electron beam tubes onto a film of varying thickness formed on an object to be processed, wherein the output powers or beam irradiation times of the electron beam tubes are individually controlled according to a distribution of the thickness. In the method and system, electric charges charged in a film of an object to be processed can be removed also.

公开(公告)号：KR1020040048868A

公开(公告)日：2004-06-10

申请号：KR1020030087733

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미쓰오카가즈유키 ,  오니시다다시 ,  혼다미노루 ,  아사코류이치 ,  이와시타미쓰아키

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02137 ,  B05D1/005 ,  B05D3/068 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3124

Abstract: PURPOSE: A method of processing an organic material layer is provided to improve the adhesion between the organic material layer and a polarized liquid material layer, to sustain low-k of the organic material layer, and to increase mechanical intensity of the organic material layer by irradiating an electron beam to the organic material layer using an electron beam irradiation apparatus. CONSTITUTION: An organic material layer is formed on a substrate(W). A reforming process for curing the organic material layer and providing simultaneously the affinity for a polarized liquid material layer to the organic material layer is performed under an inert gas atmosphere by irradiating an electron beam to the organic material layer using an electron beam irradiation apparatus(1). The polarized liquid material layer is coated on the organic material layer.

Abstract translation: 目的：提供一种处理有机材料层的方法，以改善有机材料层和极化液体材料层之间的粘附力，以维持有机材料层的低k值，并通过以下方式提高有机材料层的机械强度 使用电子束照射装置向有机材料层照射电子束。 构成：在基板（W）上形成有机材料层。 通过使用电子束照射装置（1）向有机材料层照射电子束，在惰性气体气氛下进行固化有机材料层并同时提供对极化液体材料层与有机材料层的亲和力的重整工艺 ）。 偏振液体材料层涂覆在有机材料层上。

公开(公告)号：KR101002553B1

公开(公告)日：2010-12-17

申请号：KR1020080023968

申请日：2008-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68742

Abstract: 동일 처리실 내에서 기판을 급속하게 가열, 냉각할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
기판(W) 표면의 산화막을 화학 처리 및 열처리에 의해서 제거하는 기판 처리 장치(22a)에 있어서, 처리실(41) 내에 할로겐 원소를 함유하는 가스와 염기성 가스를 공급하는 가스 공급 기구(100)와, 처리실(41) 내에서 기판(W)을 온도 조절하는 제 1 온도 조절 부재(80) 및 제 2 온도 조절 부재(75)를 갖고, 제 2 온도 조절 부재(75)는 기판(W)을 제 1 온도 조절 부재(80)보다도 고온으로 온도 조절한다. 동일한 처리실(41) 내에서 기판(W) 표면의 산화막을 화학 처리 및 열처리에 의해서 제거함으로써, 기판 처리 장치(22a)가 소형으로 되고, 복잡한 반송을 위한 복잡한 반송 시퀀스도 불필요하게 된다. 또한, 기판(W)을 급속하게 가열, 냉각하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR100982859B1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：KR1020080023969

申请日：2008-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  후지이히로시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H05B3/143

Abstract: 동일 처리실 내에서, 기판을 급속하게 가열 또는 냉각할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
처리실(41) 내에서 기판(W)을 처리하는 장치(22)로서, 처리실(41) 내에서 기판(W)을 지지하는 지지 부재(47)와, 지지 부재(47)에 열적으로 접촉하는 제 1 온도 조절 부재(75)와, 지지 부재(47)에 대하여 열적으로 접촉 및 격리 가능한 제 2 온도 조절 부재(80)를 갖고, 제 1 온도 조절 부재(75)와 제 2 온도 조절 부재(80)는 서로 다른 온도로 온도 조절된다. 제 2 온도 조절 부재(80)를 지지 부재(47)에 대하여 열적으로 접촉 및 격리시킴으로써, 지지 부재(47)에 지지된 기판(W)을 급속하게 가열 또는 냉각하는 것이 가능하게 된다.

Abstract translation: 提供了一种能够在同一处理室中快速加热或冷却基板的基板处理装置和基板处理方法。

公开(公告)号：KR1020080084743A

公开(公告)日：2008-09-19

申请号：KR1020080023969

申请日：2008-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  후지이히로시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H05B3/143

Abstract: A substrate processing apparatus, a substrate processing method and a recording medium are provided to heat and cool a substrate supported by a support member by causing a second temperature adjust member to be in contact with and separate from the support member. A substrate processing apparatus comprises a support member(47), a first temperature adjusting member(75), and a second temperature adjusting member(80). The support member supports the substrate in the process chamber. The first temperature adjusting member is in thermal contact with the support member. The second temperature adjusting member is capable of thermally coming into contact with and separating from the support member. The first temperature adjusting member and the second temperature adjusting member are adjusted to different temperatures respectively.

Abstract translation: 提供基板处理装置，基板处理方法和记录介质，以通过使第二温度调节构件与支撑构件接触和分离来加热和冷却由支撑构件支撑的基板。 基板处理装置包括支撑构件（47），第一温度调节构件（75）和第二温度调节构件（80）。 支撑构件支撑处理室中的衬底。 第一温度调节构件与支撑构件热接触。 第二温度调节构件能够与支撑构件热接触和分离。 将第一温度调节构件和第二温度调节构件分别调节到不同的温度。

公开(公告)号：KR100638913B1

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：KR1020030087733

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미쓰오카가즈유키 ,  오니시다다시 ,  혼다미노루 ,  아사코류이치 ,  이와시타미쓰아키

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02137 ,  B05D1/005 ,  B05D3/068 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3124

Abstract: 본 발명의 처리 방법은 기판상에 형성된 유기 재료막의 표면에 보호막용 극성 액체 재료를 도포하거나 보호막용 무기 재료막을 형성하기 위한 방법이다. 이 방법은 불활성 기체 분위기하에 전자 빔 조사 장치에 의해 유기 재료막에 전자 빔을 조사하여 개질 처리를 하는 공정, 및 개질 처리가 수행된 유기 재료막의 표면에 극성 액체 재료를 도포하거나 무기 재료막을 형성하는 공정을 포함한다. 개질 공정에 의해 유기 재료막을 경화시키는 동시에 유기 재료막에 극성 액체 재료 및 무기 재료막과의 친화성을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020040060782A

公开(公告)日：2004-07-06

申请号：KR1020030097286

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부 ,  혼다미노루 ,  미츠오카가즈유키 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: PURPOSE: A method and a system for processing thin films are provided to maintain a uniformity of a film thickness and to remove electric charges charged in the film in an operation of using a plasma processing apparatus. CONSTITUTION: A thin film processing system includes a film thickness measuring device and an electron beam processor(40), and a controller(44). The film thickness measuring device measures a thickness of a film formed on an object to be processed. The electron beam processor includes a plurality of electron beam tubes for irradiating electron beams onto the film of the object. The controller individually controls output powers or beam irradiation times of the electron beam tubes based on a measurement result taken by the film thickness measuring device.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理薄膜的方法和系统，以在使用等离子体处理装置的操作中保持膜厚度的均匀性和去除带电荷的膜中的电荷。 构成：薄膜处理系统包括膜厚测量装置和电子束处理器（40）和控制器（44）。 膜厚测量装置测量形成在待处理物体上的膜的厚度。 电子束处理器包括用于将电子束照射到物体的膜上的多个电子束管。 控制器基于由膜厚测量装置获得的测量结果单独地控制电子束管的输出功率或光束照射时间。