公开(公告)号：KR100155572B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019920009231

申请日：1992-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와다데루오 ,  이시이노부오 ,  사이토오마사시 ,  이케다도오루 ,  사에키히로아키

IPC: H01L21/265

CPC classification number: B01J3/006

Abstract: 감압처리 시스템은, 웨이퍼를 처리하는 프로세스 분위기 또는/ 및 대기 분위기에 연이어 통하는 개구를 가진 로드록 챔버와, 이 챔버내부를 프로세스 분위기 또는/ 및 대기 분위기에 대하여 차단 또는 개방하기 위하여 개구에 설치된 게이트 밸브와, 웨이퍼를 챔버내에 반입/반출하는 로보트와, 챔버내를 배기하는 배기펌프와, 챔버의 벽을 가열하는 히이터와, 게이트 밸브, 로보트, 배기펌프, 및 히이터를 제어하는 콘트로울러와 를 가진다.

公开(公告)号：KR1019920022398A

公开(公告)日：1992-12-19

申请号：KR1019920009231

申请日：1992-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와다데루오 ,  이시이노부오 ,  사이토오마사시 ,  이케다도오루 ,  사에키히로아키

IPC: H01L21/265

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019900012343A

公开(公告)日：1990-08-03

申请号：KR1019900001087

申请日：1990-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다도오루 ,  고이케히사시

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：KR100257104B1

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019950006680

申请日：1995-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다도오루 ,  이즈카요지 ,  이시이가츠미

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L21/67017 ,  B01J3/03 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4401

Abstract: 제1용기 구성부재의 끝단면의 시일재로부터 안쪽측부위와, 제2용기 구성부재의 맞붙는 부위의 시일재로부터 안쪽측부위와의 사이에, 빈틈이 규정되어 있다. 또, 용기내부가 감압됐을 때에, 제1용기 구성부재의 끝단면의 시일부재로부터 안쪽측부위와, 제2용기 구성부재의 맞붙는 부위의 시일부재로부터 안쪽측부위가 접촉하는 것이 방지되고 있다. 그러므로, 용기내가 소정의 진공도까지 감압됐을때에 대기압에 의해 제2용기구성부재의 맞붙는 부위가, 제1용기 구성부재의 끝단면의 안쪽가장자리에 접촉하는 일은 없다. 따라서, 감압과 대기압을 반복하여 다른 용기 구성재의 휨이 되출이하여 발생하여도, 종래와 같이 제1용기 구성재의 끝단면의 안쪽 가장자리부가 박리하거나, 닳아 떨어지는 일은 없어, 먼지를 일으키지 않는 것이다.

公开(公告)号：KR100151151B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019900001087

申请日：1990-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다도오루 ,  고이케히사시

IPC: H01L21/66

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019940008004A

公开(公告)日：1994-04-28

申请号：KR1019930017680

申请日：1993-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다도오루 ,  이와타데루오

IPC: H01L21/302

Abstract: 대미 분위기 및 진공분위기 각각으로부터, 또는 이들 분위기에 직접 또는 간접으로 기판이 반입/반출되는 공간을 규정하는 챔버를 설치하고, 상기 챔버내를 배기하며, 그 중기압이 환경온도하에서 1기압 이상으로 되며, 또 환경온도 미만의 온도하에서 10Torr이하로 되는 가스를 상기 챔버의 공간내에 충전하고, 상기 기판을 상기 챔버내에 장입하며, 상기 가스를 냉각하고, 이것을 응고시킴으로써 상기 챔버의 내압을 고레벨 진공상태에 도달시키고, 상기 기판을 상기 챔버 내로부터 반출하며, 상기 옹고물을 가열하고, 이것을 기화시킴으로써 상기 챔버의 내압을 대가압으로 되돌린다.

公开(公告)号：KR100158894B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019920009799

申请日：1992-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시가와요시오 ,  아라미쥰이치 ,  이케다도오루 ,  이와다데루오

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67207 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115

Abstract: 피처리물을 고정 밀도로 에칭 처리할 수 있고, 더욱이 에칭 처리후의 피처리물에 부착한 유해한 가스의 대기중으로의 방출을 억제할 수 있는 동시에, 상기 피처리물 표면으로의 반응 생성물의 부착 및 물방울의 부착을 방지한 표면처리 장치를 개시한다.
상기 표면처리장치는 반입된 피처리물을 활성화된 에칭가스에 의해 에칭 하기 위한 제1처리실과, 상기 제1처리실을 감압으로 하기 위한 배기부재와, 상기 제1처리실내에 반입된 피처리물을 냉각하기 위한 냉각부재와, 상기 제1처리실에서 에칭된 피처리물의 반입되는 제2처리실과 상기 제2처리실을 감압으로 하기 위한 배기 부재와, 상기 제2처리실내에 반입된 상기 피처리물을 가열하기 위한 가열부재를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1019950034489A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950006680

申请日：1995-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다도오루 ,  이즈카요지 ,  이시이가츠미

IPC: H01L21/18

公开(公告)号：KR1019900007081A

公开(公告)日：1990-05-09

申请号：KR1019890010475

申请日：1989-07-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다도오루

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：KR100268525B1

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：KR1019930017680

申请日：1993-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다도오루 ,  이와타데루오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C14/56 ,  C23C14/566 ,  H01L21/67109

Abstract: 대기 분위기 및 진공분위기 각각으로부터, 또는 이들 분위기 각각에 직접 또는 간접으로 기판이 반입/반출되는 공간을 규정하는 챔버를 설치하고, 상기 챔버내를 배기하며, 그 증기압이 환경온도하에서 1기압 이상으로 되며, 또 환경 온도 미만의 온도하에서 10Torr 이하로 되는 가스를 상기 챔버의 공간내에 충진하고, 상기 기판을 상기 챔버내에 설치하며, 상기 가스를 냉각하고, 이것을 응고시킴으로써 상기 챔버의 내압을 높은 진공상태에 도달시키고, 상기 기판을 상기 챔버내로부터 반출하며, 상기 응고물을 가열하고, 이것을 기화시킴으로써 상기 챔버의 내압을 대기압으로 되돌린다.