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公开(公告)号:KR1020020010639A
公开(公告)日:2002-02-04
申请号:KR1020017014165
申请日:2000-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명의 진공처리방법은 탑재부(10)에 탑재되는 피처리기판(W)에 대해서 진공처리를 실시하는 진공처리기구(31)와, 진공처리기구(31)를 제어하는 제어장치(51)를 구비한 진공처리장치(1)를 이용하는 진공처리방법이다. 피처리기판(W)과 대략 동일 형태 동일 크기로 형성되고, 진공처리상태의 정보를 검출하는 검출소자(11d)와 검출한 정보를 처리하는 정보처리소자(11p)를 갖는 센서기판(11)을 탑재부(10)에 탑재하고, 진공처리기구(31)에 의해 진공을 이용한 처리를 실시한다. 센서기판(11)이 진공처리를 실시할 때에 있어서, 진공처리상태의 정보가 검출되어, 처리된다. 처리된 진공처리상태의 정보를 기초로 제어장치(51)에 의해 진공처리기구(31)를 제어해서 피처리기판(W)에 대해서 진공처리를 실시한다.
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公开(公告)号:KR100170413B1
公开(公告)日:1999-03-30
申请号:KR1019920019440
申请日:1992-10-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: H01L21/428
Abstract: 플라즈마에칭장치의 프로세스 챔버내에 웨이퍼 재치대가 배설된다. 재치대 본체인 서셉터의 둘레부는 곡률반경이 큰 구부림 형상으로 형성되어 있다. 서셉터상에 정전적 시이트가 배설되고, 그 시접림은, 서셉터의 구부림 둘레부를 따르도록, 다시말하면 반도체 웨이퍼의 마지날부로부터 도망치도록, 구부림 형상으로 아래편으로 뻗는다. 시접림의 길이의 수평방향 성분이 짧아진 분만큼, 정전척 시이트의 도전성필름이 같은 방향으로 확장된다. 이에 의하여, 도전성 필름과 웨이퍼 사이의 정전적 및 열적인 결합이 증대한다.
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公开(公告)号:KR1019930008999A
公开(公告)日:1993-05-22
申请号:KR1019920019440
申请日:1992-10-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: H01L21/428
Abstract: 플라즈마에칭장치의 프로세스 챔버내에 웨이퍼 재치대가 배설된다. 재치대 본체인 서셉터의 둘레부는 곡률반경이 큰 구부림 형상으로 형성되어 있다. 서셉터상에 정전척 시이트가 배설되고, 그 시접림은, 서셉터의 구부림 둘레부를 따르도록, 다시말하면 반도체 웨이퍼의 마지날부로 부터 도망치도록, 구부림 형상으로 아래편으로 뻗는다. 시접림의 길이의 수평방향 성분이 짧아진 분만큼, 정전척 시이트의 도전성필름이 같은 방향으로 확장된다. 이에 의하여, 도전성필름과 웨이퍼 사이의 정전적 및 열적인 결합이 증대한다.
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公开(公告)号:KR100674624B1
公开(公告)日:2007-01-25
申请号:KR1020017014165
申请日:2000-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명의 진공처리방법은, 탑재부(10)에 탑재되는 피처리기판(W)에 대해 진공처리를 실시하는 진공처리기구(31)와, 진공처리기구(31)를 제어하는 제어장치(51)를 구비한 진공처리장치(1)를 이용하는 진공처리방법이다. 피처리기판(W)과 대략 동일 형상 및 동일 크기로 형성되고, 진공처리상태의 정보를 검출하는 검출소자(11d)와 검출한 정보를 처리하는 정보처리소자(11p)를 갖는 센서기판(11)을 탑재부(10)에 탑재하고, 진공처리기구(31)에 의해 진공을 이용한 처리를 실시한다. 센서기판(11)에 진공처리가 실시될 때에, 진공처리상태의 정보가 검출되어 처리된다. 처리된 진공처리상태의 정보를 기초로 제어장치(51)에 의해 진공처리기구(31)를 제어해서 피처리기판(W)에 대해 진공처리를 실시한다.
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