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公开(公告)号：KR100344967B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1019950009309
申请日：1995-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 도모야스마사유키 , 고시시아키라 , 니시가와히로시 , 다케나카히로토 , 사카모토요시오 , 다하라가즈히로 , 고미노미쯔아키 , 이마후쿠고스케 , 엔도쇼스코 , 나이토유키오 , 나가세키가즈야 , 히로세게이죠
IPC: H01L21/306
Abstract: 플라즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제 1 주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제 2 주파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가한다.-
公开(公告)号：KR100674624B1
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020017014165
申请日：2000-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명의 진공처리방법은, 탑재부(10)에 탑재되는 피처리기판(W)에 대해 진공처리를 실시하는 진공처리기구(31)와, 진공처리기구(31)를 제어하는 제어장치(51)를 구비한 진공처리장치(1)를 이용하는 진공처리방법이다. 피처리기판(W)과 대략 동일 형상 및 동일 크기로 형성되고, 진공처리상태의 정보를 검출하는 검출소자(11d)와 검출한 정보를 처리하는 정보처리소자(11p)를 갖는 센서기판(11)을 탑재부(10)에 탑재하고, 진공처리기구(31)에 의해 진공을 이용한 처리를 실시한다. 센서기판(11)에 진공처리가 실시될 때에, 진공처리상태의 정보가 검출되어 처리된다. 처리된 진공처리상태의 정보를 기초로 제어장치(51)에 의해 진공처리기구(31)를 제어해서 피처리기판(W)에 대해 진공처리를 실시한다.
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公开(公告)号：KR1019950034496A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019950009309
申请日：1995-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 도모야스마사유키 , 고시시아키라 , 니시가와히로시 , 다케나카히로토 , 사카모토요시오 , 다하라가즈히로 , 고미노미쯔아키 , 이마후쿠고스케 , 엔도쇼스코 , 나이토유키오 , 나가세키가즈야 , 히로세게이죠
IPC: H01L21/306
Abstract: 플리즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제1주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제2주 파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가하다.-
公开(公告)号：KR1020020010639A
公开(公告)日：2002-02-04
申请号：KR1020017014165
申请日：2000-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명의 진공처리방법은 탑재부(10)에 탑재되는 피처리기판(W)에 대해서 진공처리를 실시하는 진공처리기구(31)와, 진공처리기구(31)를 제어하는 제어장치(51)를 구비한 진공처리장치(1)를 이용하는 진공처리방법이다. 피처리기판(W)과 대략 동일 형태 동일 크기로 형성되고, 진공처리상태의 정보를 검출하는 검출소자(11d)와 검출한 정보를 처리하는 정보처리소자(11p)를 갖는 센서기판(11)을 탑재부(10)에 탑재하고, 진공처리기구(31)에 의해 진공을 이용한 처리를 실시한다. 센서기판(11)이 진공처리를 실시할 때에 있어서, 진공처리상태의 정보가 검출되어, 처리된다. 처리된 진공처리상태의 정보를 기초로 제어장치(51)에 의해 진공처리기구(31)를 제어해서 피처리기판(W)에 대해서 진공처리를 실시한다.
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