公开(公告)号：KR101302819B1

公开(公告)日：2013-09-02

申请号：KR1020097022392

申请日：2008-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  젠코데츠

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/505 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: Ti막의 성막 방법은 탑재대에 Si 부분을 갖는 피 처리 기판을 배치하는 것과, 피 처리 기판을 가열하는 것과, 챔버 내를 소정의 압력으로 하는 것과, 챔버 내로 TiCl
4 가스 및 환원 가스를 포함하는 처리 가스를 도입하는 것과, 고주파 전계 형성 수단에 의해 고주파 전계를 형성하는 것에 의해 처리 가스를 플라즈마화하는 것과, 피 처리 기판의 표면에서 상기 TiCl
4 가스 및 환원 가스에 의한 반응을 생기게 하는 것을 포함하고, 그 반응에 의해 피 처리 기판의 Si 부분에 Ti막을 성막할 때에 피 처리 기판의 Si 부분에서의 TiSi의 생성 반응이 억제되도록 챔버 내 압력 및 인가되는 고주파 전력의 파워를 제어한다.

公开(公告)号：KR1020100015932A

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：KR1020097022392

申请日：2008-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  젠코데츠

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/505 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: A Ti-film formation method includes: a step of placing a substrate to be treated and having an Si portion on a table; a step of heating the substrate to be treated; a step of setting a pressure in a chamber to a predetermined value; a step of introducing a treating gas containing TiClgas and a reduction gas; a step of forming a high-frequency field by high-frequency formation means so as to obtain the treating gas in a plasma state; and a step of causing a reaction by the Ticlgas and the reduction gas on the surface of the substrate to be treated. When the reaction is used to form the Ti-film on the Si portion of the substrate to be treated, the pressure in the chamber and the high-frequency power to be applied are controlled so as to suppress generation of TiSi at the Si portion of the substrate to be treated.

Abstract translation: Ti膜形成方法包括：将待处理的基板和Si部分放置在台面上的步骤; 加热被处理基板的步骤; 将室内的压力设定为规定值的步骤; 引入含有TiCl气体和还原气体的处理气体的工序; 通过高频形成装置形成高频场的步骤，以获得处于等离子体状态的处理气体; 以及由待处理的基板的表面上的Ticlgas和还原气体引起反应的步骤。 当反应用于在被处理基板的Si部分上形成Ti膜时，控制室中的压力和施加的高频功率，以便抑制在Si部分的Ti部分的TiSi的产生 待处理的基材。

公开(公告)号：KR1020100031460A

公开(公告)日：2010-03-22

申请号：KR1020090081708

申请日：2009-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노후미타카 ,  젠코데츠 ,  나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for forming a Ti-based layer and a storage media are provided to reduce the difference between the thicknesses of process layers by forming a low temperature pre-coat layer and a high temperature pre-coat layer. CONSTITUTION: A susceptor(2) is heated before a wafer is loaded on the susceptor. A pre-coat layer(71, 72) is formed on the surface of a shower head(10) by a Ti-containing process gas. The wafer is loaded on the heated susceptor. A process gas is introduced into a chamber to form a Ti-layer on the wafer. A cleaning gas is introduced into the chamber to perform a cleaning process when the wafer is not loaded on the susceptor. The Ti-layer formation process and the cleaning process are repeated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成Ti基层和存储介质的方法，通过形成低温预涂层和高温预涂层来减小工艺层厚度之间的差异。 构成：在将基片装载到基座之前，将基座（2）加热。 通过含钛工艺气体在喷头（10）的表面上形成预涂层（71,72）。 将晶片装载在加热的基座上。 将工艺气体引入室中以在晶片上形成Ti层。 当晶片未装载在基座上时，清洁气体被引入室中以进行清洁处理。 重复Ti层形成过程和清洁过程。