公开(公告)号：KR101326984B1

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：KR1020070094071

申请日：2007-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 죠오사까메구미 ,  도미따히로시 ,  다도꼬로마사히데

IPC: H05B3/00 ,  H01L21/027 ,  H05B3/68

Abstract: 본 발명에 있어서, 열판은 복수의 열판 영역으로 분할되어 있으며, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판 면내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 각각 설정될 수 있다. 우선, 포트리소그래피 공정이 종료된 웨이퍼 면내의 선폭을 측정하여, 그 웨이퍼 면내의 선폭 측정값으로부터, 복수의 면내 경향 성분을 나타내는 제르니커 다항식의 제르니커 계수를 산출한다. 다음에 당해 제르니커 계수의 변화량과 온도 보정값과의 상관을 나타내는 산출 모델을 이용해서, 산출된 제르니커 계수가 0에 근접하는 열판의 각 영역의 온도 보정값을 산출한다. 산출된 각 온도 보정값에 의해 열판의 각 영역의 온도를 설정한다.
열판, 포토리소그래피 공정, 제르니커 다항식, 웨이퍼, 온도 보정값

公开(公告)号：KR101299838B1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：KR1020070099204

申请日：2007-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 죠오사까메구미 ,  도미따히로시 ,  다도꼬로마사히데

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H05B3/00

Abstract: 본 발명의 PEB 장치의 열판은 복수의 열판 영역으로 분할되어 있어, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판 면내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정치를 각각 설정할 수 있다. 포토리소그래피 공정이 종료된 기판 면내의 선폭을 측정한다. 그 측정 선폭의 면내 경향을, 제르니케 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분으로 분해한다. 다음에, 그 산출된 복수의 면내 경향 성분으로부터, 온도 보정치의 설정에 의해 개선 가능한 면내 경향 성분을 추출하고, 이들을 서로 더하여, 측정 선폭에 있어서의 개선 가능한 면내 경향을 산출한다. 그리고, 현재 상태의 처리 상태의 면내 경향(Z)으로부터 그 개선 가능한 면내 경향을 빼서, 개선 후의 면내 경향을 산출한다.
도포 현상 처리 시스템, 카세트 스테이션, 처리 스테이션, 인터페이스부, 카세트 적재대

公开(公告)号：KR1020090034055A

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：KR1020070099204

申请日：2007-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 죠오사까메구미 ,  도미따히로시 ,  다도꼬로마사히데

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H05B3/00

CPC classification number: H01L21/67098 ,  G03F7/168 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70875 ,  H01L21/67248

Abstract: A temperature setting method of thermal processing plate, computer-readable recording medium, and temperature setting apparatus of thermal processing plate are provided to rapidly progress the initiation task of the heating treatment apparatus. The heat processing unit is segmented by a plurality of regions. The temperature of each region of the heat processing unit can be set. The temperature correction of each region of the heat processing unit can be set. For the substrate processed by a thermal process, the in-plane tendency of the current process state of substrate is disassembled to a plurality of in-plane tendency components(S2). The improvable in-plane tendency of the process state of substrate is calculated(S3). The in-plane tendency of the process state after the improvement of substrate is calculated(S4).

Abstract translation: 提供热处理板，计算机可读记录介质和热处理板的温度设定装置的温度设定方法，以快速地进行加热处理装置的启动任务。 热处理单元由多个区域分割。 可以设定热处理单元的各区域的温度。 可以设定热处理单元的各区域的温度校正。 对于通过热处理处理的衬底，衬底的当前工艺状态的面内倾向被分解成多个面内趋势分量（S2）。 计算衬底的工艺状态的改进的面内倾向（S3）。 计算基板改善后的工艺状态的面内倾向（S4）。

公开(公告)号：KR1020090028922A

公开(公告)日：2009-03-20

申请号：KR1020070094071

申请日：2007-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 죠오사까메구미 ,  도미따히로시 ,  다도꼬로마사히데

IPC: H05B3/00 ,  H01L21/027 ,  H05B3/68

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/40 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/12

Abstract: A temperature setting method of thermal processing plate, computer-readable recording medium recording program thereon, and temperature setting apparatus for thermal processing plate are provided to perform uniform heat treatment of the heat-treated plate. The cassette cartridge(5) is installed at the cassette station(2). The wafer carrier(7) is installed at the cassette station. The first handling device group(G1) and the second processor group(G2) are arranged X of the process station(3). The third processor group(G3), and the fourth processor group(G4) and the fifth processor group(G5) are arranged X of the process station. The first transfer system(10) is installed between the third processor group and fourth processor group. The wafer carrier(101) and buffer cassette(102) are installed at the interface unit(4). The apparatus for measuring line width(110) is installed at the cassette station.

Abstract translation: 提供热处理板的温度设定方法，计算机可读记录介质记录程序和用于热处理板的温度设定装置，以对热处理板进行均匀的热处理。 盒式磁带（5）安装在盒式磁带（2）上。 晶片载体（7）安装在盒式电台。 第一处理装置组（G1）和第二处理器组（G2）被布置为处理站（3）的X。 第三处理器组（G3）和第四处理器组（G4）和第五处理器组（G5）被布置为处理站的X。 第一传送系统（10）安装在第三处理器组和第四处理器组之间。 晶片载体（101）和缓冲盒（102）安装在接口单元（4）处。 用于测量线宽（110）的装置安装在盒式电台。