公开(公告)号：KR101595593B1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：KR1020110043716

申请日：2011-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔오까노부아끼 ,  미야따아끼라 ,  하야시신이찌 ,  에노끼다스구루 ,  도미따히로시 ,  하야까와마꼬또 ,  요시다다쯔헤이

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/16 ,  H01L21/6715

Abstract: 본발명의과제는처리블록의설치면적을억제하는동시에장치의가동효율의저하를억제할수 있는기술을제공하는것이다. 검사모듈에의한검사에서기판에이상이검출되었을때에, 기억부에기억된데이터에기초하여, 후속의기판의반송모드를, 모드 M1 및 M2로부터선택하기위한모드선택부를구비하도록도포, 현상장치를구성한다. 상기모드 M1은현상처리용단위블록에있어서의기판이처리된모듈을특정하여, 후속의기판을, 특정된모듈이외의모듈로반송하도록단위블록용반송기구의동작을제어하는모드이고, 상기모드 M2는기판이처리된현상처리용단위블록을특정하여, 후속의기판을, 특정된현상처리용단위블록이외의현상처리용단위블록으로반송하도록전달기구의동작을제어하는모드이다.

公开(公告)号：KR1020120113181A

公开(公告)日：2012-10-12

申请号：KR1020120021061

申请日：2012-02-29

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사또요헤이 ,  오꾸찌히사시 ,  도미따히로시 ,  하야시히데까즈 ,  기따지마유끼꼬 ,  도시마다까유끼 ,  이와시따미쯔아끼 ,  미쯔오까가즈유끼 ,  요우겐 ,  오노히로끼 ,  오리이다께히꼬

IPC: H01L21/302

CPC classification number: F26B3/02

Abstract: PURPOSE: A supercritical drying method of a semiconductor substrate and a supercritical drying apparatus of the semiconductor substrate are provided to prevent metal materials from being etched on the semiconductor substrate in a supercritical drying process by purging oxygen in a chamber using inert gas before the heating of Isopropyl alcohol. CONSTITUTION: A chamber(11) is made of SUS(steel use stainless). A heater(12) controls a temperature of a chamber. A stage(13) is installed in the chamber to maintain a semiconductor substrate(W). Valves(15,17) are respectively formed in pipes(14,16). An electrolytic polishing process is performed on the surface of the chamber.

Abstract translation: 目的：提供半导体衬底的超临界干燥方法和半导体衬底的超临界干燥装置，以防止在超临界干燥工艺中在半导体衬底上蚀刻金属材料，通过在加热之前使用惰性气体吹扫室中的氧气 异丙醇。 构成：室（11）由SUS（不锈钢）制成。 加热器（12）控制室的温度。 在腔室内安装一个台阶（13）以保持半导体衬底（W）。 阀（15,17）分别形成在管道（14,16）中。 在室的表面上进行电解抛光处理。

公开(公告)号：KR1020100094390A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR1020100013952

申请日：2010-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야노미쯔떼루 ,  도오끼유우이찌 ,  도미따히로시

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/677 ,  B65G49/07

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  Y10T408/29 ,  Y10T408/559 ,  Y10T408/5612 ,  B65G49/065 ,  H01L21/67784

Abstract: PURPOSE: A substrate transferring apparatus and a substrate processing system are provided to minimize a gas leakage to the outside of a substrate receiving container by installing a shutter. CONSTITUTION: A substrate receiving container(91) receives a substrate(W). An entering and exiting gate(98) for the substrate is formed on the lateral side of the substrate receiving container. A gas spraying unit(92) sprays gas toward the rear side of the substrate in the substrate receiving container. A controller(93) controls the amount of the gas from the gas spraying unit and controls the height of the substrate in the substrate receiving container.

Abstract translation: 目的：提供基板输送装置和基板处理系统，以通过安装快门来最小化对基板接收容器外部的气体泄漏。 构成：基板接收容器（91）容纳基板（W）。 在基板接收容器的侧面上形成用于基板的进出口（98）。 气体喷射单元（92）朝向基板接收容器中的基板的后侧喷射气体。 控制器（93）控制来自气体喷射单元的气体的量并且控制基板接收容器中的基板的高度。

公开(公告)号：KR101849411B1

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：KR1020120045224

申请日：2012-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히사노가즈야 ,  도미따히로시 ,  고가노리히사 ,  니시야마다다시 ,  하야까와마꼬또

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/93 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/9513 ,  G06T7/0004

Abstract: 본발명의과제는검사용기판을사용하는일 없이조명부의조도의저하에의한검사의문제가발생하는것을방지할수 있는기술을제공하는것이다. 하우징내에설치된적재대에적재된기판을피사체로서촬상하여검사를행하는검사모드와, 조명부의조도를확인하기위한메인터넌스모드사이에서모드를선택하기위한모드선택부와, 상기하우징내에설치되어, 상기조명부의광을촬상부의촬상소자에도광하기위한도광부재와, 메인터넌스모드실행시에상기도광부재를통해촬상소자에의해취득한조명부의광의휘도가, 미리설정된허용범위내인지여부를판정하는판정부와, 상기판정부에의해상기휘도가상기허용범위로부터벗어나있다고판정되었을때에조명부의교환을필요로하는것을통지하기위한통지부를구비하도록기판검사장치를구성한다.

公开(公告)号：KR101422332B1

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：KR1020120021061

申请日：2012-02-29

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사또요헤이 ,  오꾸찌히사시 ,  도미따히로시 ,  하야시히데까즈 ,  기따지마유끼꼬 ,  도시마다까유끼 ,  이와시따미쯔아끼 ,  미쯔오까가즈유끼 ,  요우겐 ,  오노히로끼 ,  오리이다께히꼬

IPC: H01L21/302

CPC classification number: F26B3/02

Abstract: 본 실시 형태에 따르면, 반도체 기판의 초임계 건조 방법은 약액(chemical solution)으로 반도체 기판을 세정하는 단계와, 상기 세정 후에, 순수(pure water)로 상기 반도체 기판을 린스하는 단계와, 상기 린스 후에, 상기 반도체 기판의 표면에 알코올을 공급함으로써, 상기 반도체 기판의 표면을 덮는 액체를 상기 순수로부터 상기 알코올로 치환하는 단계와, 챔버 내에 표면이 상기 알코올로 젖은 상기 반도체 기판을 도입하는 단계와, 상기 챔버 내에 불활성 가스를 공급함으로써, 상기 챔버로부터 산소를 배출하는 단계와, 상기 산소의 배출 후에, 상기 챔버 내의 온도를 상기 알코올의 임계 온도 이상으로 승온시킴으로써, 상기 알코올을 초임계 상태로 하는 단계와, 상기 챔버 내의 압력을 낮추고 상기 알코올을 초임계 상태에서 기체 상태로 변화시킴으로써, � �기 알코올을 상기 챔버로부터 배출하는 단계를 포함한다. 챔버는 SUS를 포함한다. 챔버의 내벽은 전해 연마 처리가 실시된다.

公开(公告)号：KR101367468B1

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：KR1020120026546

申请日：2012-03-15

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 지리난 ,  하야시히데까즈 ,  도미따히로시 ,  오꾸찌히사시 ,  사또요헤이 ,  도시마다까유끼 ,  이와시따미쯔아끼 ,  미쯔오까가즈유끼 ,  유겐 ,  오노히로끼 ,  오리이다께히꼬

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02 ,  F26B21/10 ,  F26B21/14 ,  F26B23/028 ,  F26B2200/04 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67034

Abstract: 본 발명의 실시 형태에 따르면, 반도체 기판의 초임계 건조 방법은 반도체 기판을 표면이 알코올로 습윤된 상태로 챔버 내에 도입하는 공정과, 상기 챔버 내에 이산화탄소의 초임계 유체를 공급하는 공정과, 상기 반도체 기판상의 상기 약액을 상기 초임계 유체로 치환하는 공정과, 상기 챔버로부터 상기 초임계 유체 및 상기 알코올을 배출하고, 상기 챔버 내의 압력을 내리는 공정을 구비한다.
또한, 상기 챔버 내의 압력을 내린 후에, 상기 챔버 내에 산소 가스 또는 오존 가스를 공급하고, 베이킹 처리를 행한다.

公开(公告)号：KR101326984B1

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：KR1020070094071

申请日：2007-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 죠오사까메구미 ,  도미따히로시 ,  다도꼬로마사히데

IPC: H05B3/00 ,  H01L21/027 ,  H05B3/68

Abstract: 본 발명에 있어서, 열판은 복수의 열판 영역으로 분할되어 있으며, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판 면내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 각각 설정될 수 있다. 우선, 포트리소그래피 공정이 종료된 웨이퍼 면내의 선폭을 측정하여, 그 웨이퍼 면내의 선폭 측정값으로부터, 복수의 면내 경향 성분을 나타내는 제르니커 다항식의 제르니커 계수를 산출한다. 다음에 당해 제르니커 계수의 변화량과 온도 보정값과의 상관을 나타내는 산출 모델을 이용해서, 산출된 제르니커 계수가 0에 근접하는 열판의 각 영역의 온도 보정값을 산출한다. 산출된 각 온도 보정값에 의해 열판의 각 영역의 온도를 설정한다.
열판, 포토리소그래피 공정, 제르니커 다항식, 웨이퍼, 온도 보정값

公开(公告)号：KR101299838B1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：KR1020070099204

申请日：2007-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 죠오사까메구미 ,  도미따히로시 ,  다도꼬로마사히데

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H05B3/00

Abstract: 본 발명의 PEB 장치의 열판은 복수의 열판 영역으로 분할되어 있어, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판 면내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정치를 각각 설정할 수 있다. 포토리소그래피 공정이 종료된 기판 면내의 선폭을 측정한다. 그 측정 선폭의 면내 경향을, 제르니케 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분으로 분해한다. 다음에, 그 산출된 복수의 면내 경향 성분으로부터, 온도 보정치의 설정에 의해 개선 가능한 면내 경향 성분을 추출하고, 이들을 서로 더하여, 측정 선폭에 있어서의 개선 가능한 면내 경향을 산출한다. 그리고, 현재 상태의 처리 상태의 면내 경향(Z)으로부터 그 개선 가능한 면내 경향을 빼서, 개선 후의 면내 경향을 산출한다.
도포 현상 처리 시스템, 카세트 스테이션, 처리 스테이션, 인터페이스부, 카세트 적재대

公开(公告)号：KR1020120133999A

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：KR1020120045224

申请日：2012-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히사노가즈야 ,  도미따히로시 ,  고가노리히사 ,  니시야마다다시 ,  하야까와마꼬또

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/93 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/9513 ,  G06T7/0004

Abstract: PURPOSE: A substrate inspection apparatus, a substrate inspection method, and a storage medium are provided to prevent an inspection problem of a substrate due to illumination degradation in a lighting part without transferring a controlling substrate to the apparatus. CONSTITUTION: A mode selection part(46) selects a mode from a loading table inspection mode and a maintenance mode. A light guiding member is installed within a housing and guides light of a lighting part to an image pickup device. A determination part determines whether or not the brightness of the light in the lighting part acquired by the image pickup device is in a predetermined tolerance range using the light guiding member when the maintenance mode is executed. A notifying part(45) notifies that it is necessary to have the exchange of the lighting part when the determination part determines the brightness of the light is beyond the predetermined tolerance range. [Reference numerals] (30,HH) Image pickup device 1-2048; (32) Lens; (34) A/D converter; (35) Output correction part; (36) Signal processing part; (37) Converting part; (4) Control part; (42) CPU; (43) Program storing part; (45) Display part(notifying part); (46) Input part; (51) Program for an inspection mode; (52) Program for a maintenance mode; (53) Target value of brightness, upper bound of a indication value, and tolerance range of the difference from the target value; (55) Lamp exchange date; (56) Reference data; (62) Elapsed time of the indication value; (63) Need or not need for lamp exchange, the presence of indication value change; (AA) Image pickup device; (BB) Digital value(0-255); (CC) Brightness(0-255); (DD) Correction value; (EE) Indication value; (FF) Indication value setting data; (GG) Determined indication value; (II) Brightness α-γ

Abstract translation: 目的：提供基板检查装置，基板检查方法和存储介质，以防止由于照明部分的照明劣化而导致的基板的检查问题，而不将控制基板传送到设备。 构成：模式选择部（46）从装载台检查模式和维护模式中选择模式。 导光构件安装在壳体内并将照明部分的光引导到图像拾取装置。 确定部件确定当执行维护模式时，由图像拾取装置获取的照明部分中的光的亮度是否在使用导光部件的预定公差范围内。 通知部件（45）通知当确定部件确定光的亮度超过预定公差范围时，需要更换照明部件。 （附图标记）（30，HH）图像拾取装置1-2048; （32）镜头; （34）A / D转换器; （35）输出校正部; （36）信号处理部分; （37）转换件; （4）控制部分; （42）CPU; （43）程序存储部分; （45）显示部（通知部）; （46）输入部分; （51）检查模式程序; （52）维护方式的程序; （53）亮度的目标值，指示值的上限，以及与目标值的差的公差范围; （55）灯交换日期; （56）参考数据; （62）指示值的经过时间; （63）需要或不需要灯交换，指示值存在变化; （AA）摄像装置; （BB）数字值（0-255）; （CC）亮度（0-255）; （DD）校正值; （EE）指示值; （FF）指示值设定数据; （GG）确定指示值; （II）亮度α＆ggr;

公开(公告)号：KR1020120005937A

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：KR1020110043716

申请日：2011-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔오까노부아끼 ,  미야따아끼라 ,  하야시신이찌 ,  에노끼다스구루 ,  도미따히로시 ,  하야까와마꼬또 ,  요시다다쯔헤이

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/16 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A coating and developing apparatus, a method thereof, and a memory medium are provided to apply a unit block for a dual developing process, thereby suppressing the degradation of operation efficiency of the coating and developing apparatus. CONSTITUTION: A carrier block(S1) comprises a loading stand(11) which loads a carrier(C), an opening and closing part(12), and a transfer arm. The transfer arm comprises five wafer holding support parts in up and down directions. A processing block(S2) comprises unit blocks(B1-B6) which perform liquid processing process in a wafer. The unit block comprises a heating module, a main arm, and a return region. A liquid processing unit comprises an antireflection film formation module(BCT1, 2) and a resist film formation module(COT1,2).

Abstract translation: 目的：提供一种涂布和显影装置，其方法和存储介质以应用用于双显影处理的单位块，从而抑制涂层和显影装置的操作效率的劣化。 构成：载体块（S1）包括装载载体（C）的装载台（11），开闭部分（12）和传送臂。 传送臂在上下方向上包括五个晶片保持支撑部。 处理块（S2）包括在晶片中执行液体处理处理的单元块（B1-B6）。 单元块包括加热模块，主臂和返回区域。 液体处理单元包括防反射膜形成模块（BCT1,2）和抗蚀膜形成模块（COT1,2）。