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公开(公告)号：KR1020070113143A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：KR1020070049643
申请日：2007-05-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/687
CPC classification number: H05B1/0233 , H01L21/67248
Abstract: A temperature control method of a heat processing plate, a computer storage medium and a temperature control apparatus of the heat processing plate are provided to perform a heat process into the plate surface uniformly by controlling the temperature strictly within the heat processing plate based on a curved state of the plates. A temperature control method of a heat processing plate comprises following steps. When substrates are stored on a heat plate, a curved state of the substrate is detected by detecting a temperature drop amount of each heat plates(Q1). A correcting value of a predetermined temperature of each heat plates is calculated from the temperature drop amount(Q3). A normal temperature within the substrate which is heat-processed on the heat plate is estimated from the each temperature drop amount(Q2). The predetermined temperature of the heat plate region is changed based on the correcting value of the predetermined temperature(Q4).
Abstract translation: 提供加热板的温度控制方法，计算机存储介质和加热板的温度控制装置，以通过基于弯曲的热处理板将温度严格控制在热处理板内来均匀地进行到板表面的热处理 盘子的状态 热处理板的温度控制方法包括以下步骤。 当将基板储存在加热板上时，通过检测每个加热板（Q1）的温度下降量来检测基板的弯曲状态。 根据温度下降量（Q3）计算各加热板的规定温度的修正值。 从每个温度下降量（Q2）估计在加热板上进行热处理的基板内的正常温度。 基于预定温度的校正值（Q4）改变加热板区域的预定温度。
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公开(公告)号：KR1020090113209A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020090035752
申请日：2009-04-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/38 , H01L21/67225 , H01L21/67248 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/70625 , G03F7/70875 , G03F7/70891 , H01L21/67098
Abstract: PURPOSE: A substrate treating method, a program, a computer storage medium, and a substrate treating system are provided to uniformly form a resist pattern of a fixed size on a substrate. CONSTITUTION: A substrate treating system performs a photolithography process on a substrate, forms a resist pattern on the substrate, and includes a heat treating device, an exposure device(A), a pattern size measuring device(20), and a control device(200). The heat treating device performs a heat process on the substrate. The exposure device performs an exposure process on the substrate. The pattern size measuring device measures a size of the resist pattern on the substrate. The control device corrects a process temperature of the heat treating device and an exposure process condition of the exposure device.
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，程序，计算机存储介质和基板处理系统，以在基板上均匀地形成固定尺寸的抗蚀剂图案。 构成：基板处理系统在基板上进行光刻工序，在基板上形成抗蚀剂图案，并且包括热处理装置，曝光装置（A），图案尺寸测量装置（20）和控制装置（ 200）。 热处理装置对基板进行热处理。 曝光装置对基板进行曝光处理。 图案尺寸测量装置测量衬底上的抗蚀剂图案的尺寸。 控制装置校正热处理装置的处理温度和曝光装置的曝光处理条件。
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3.发明公开
公开(公告)号：KR1020090034055A
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：KR1020070099204
申请日：2007-10-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H05B3/00
CPC classification number: H01L21/67098 , G03F7/168 , G03F7/38 , G03F7/70875 , H01L21/67248
Abstract: A temperature setting method of thermal processing plate, computer-readable recording medium, and temperature setting apparatus of thermal processing plate are provided to rapidly progress the initiation task of the heating treatment apparatus. The heat processing unit is segmented by a plurality of regions. The temperature of each region of the heat processing unit can be set. The temperature correction of each region of the heat processing unit can be set. For the substrate processed by a thermal process, the in-plane tendency of the current process state of substrate is disassembled to a plurality of in-plane tendency components(S2). The improvable in-plane tendency of the process state of substrate is calculated(S3). The in-plane tendency of the process state after the improvement of substrate is calculated(S4).
Abstract translation: 提供热处理板，计算机可读记录介质和热处理板的温度设定装置的温度设定方法，以快速地进行加热处理装置的启动任务。 热处理单元由多个区域分割。 可以设定热处理单元的各区域的温度。 可以设定热处理单元的各区域的温度校正。 对于通过热处理处理的衬底，衬底的当前工艺状态的面内倾向被分解成多个面内趋势分量（S2）。 计算衬底的工艺状态的改进的面内倾向（S3）。 计算基板改善后的工艺状态的面内倾向（S4）。
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Patent Agency Ranking4.发明公开
公开(公告)号：KR1020090028922A
公开(公告)日：2009-03-20
申请号：KR1020070094071
申请日：2007-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05B3/00 , H01L21/027 , H05B3/68
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/40 , H01L21/67098 , H01L21/67248 , H01L22/12
Abstract: A temperature setting method of thermal processing plate, computer-readable recording medium recording program thereon, and temperature setting apparatus for thermal processing plate are provided to perform uniform heat treatment of the heat-treated plate. The cassette cartridge(5) is installed at the cassette station(2). The wafer carrier(7) is installed at the cassette station. The first handling device group(G1) and the second processor group(G2) are arranged X of the process station(3). The third processor group(G3), and the fourth processor group(G4) and the fifth processor group(G5) are arranged X of the process station. The first transfer system(10) is installed between the third processor group and fourth processor group. The wafer carrier(101) and buffer cassette(102) are installed at the interface unit(4). The apparatus for measuring line width(110) is installed at the cassette station.
Abstract translation: 提供热处理板的温度设定方法，计算机可读记录介质记录程序和用于热处理板的温度设定装置，以对热处理板进行均匀的热处理。 盒式磁带（5）安装在盒式磁带（2）上。 晶片载体（7）安装在盒式电台。 第一处理装置组（G1）和第二处理器组（G2）被布置为处理站（3）的X。 第三处理器组（G3）和第四处理器组（G4）和第五处理器组（G5）被布置为处理站的X。 第一传送系统（10）安装在第三处理器组和第四处理器组之间。 晶片载体（101）和缓冲盒（102）安装在接口单元（4）处。 用于测量线宽（110）的装置安装在盒式电台。
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公开(公告)号：KR101377776B1
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020090035752
申请日：2009-04-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/38 , H01L21/67225 , H01L21/67248
Abstract: 검사용웨이퍼상에레지스트패턴을형성하고(스텝 S1), 당해레지스트패턴의제1 선폭을측정한다(스텝 S2). 제1 선폭의측정결과를기초로하여 PEB 처리의가열온도가각 열판영역마다보정된다(스텝 S3, 스텝 S4). 보정된가열온도에서 PEB 처리를행하여검사용웨이퍼상에레지스트패턴을형성하고(스텝 S5), 당해레지스트패턴의제2 선폭을측정한다(스텝 S6). 제2 선폭의웨이퍼면내분포로부터선형성분을산출하고(스텝 S7), 당해선형성분을기초로하여노광량이각 노광영역마다보정된다(스텝 S8, 스텝 S9). 이후, 보정된가열온도에서 PEB 처리를행하는동시에, 보정된노광량으로노광처리를행하고, 웨이퍼상에소정의레지스트패턴을형성한다(스텝 S10).
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6.发明授权
公开(公告)号：KR101326984B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020070094071
申请日：2007-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05B3/00 , H01L21/027 , H05B3/68
Abstract: 본 발명에 있어서, 열판은 복수의 열판 영역으로 분할되어 있으며, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판 면내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 각각 설정될 수 있다. 우선, 포트리소그래피 공정이 종료된 웨이퍼 면내의 선폭을 측정하여, 그 웨이퍼 면내의 선폭 측정값으로부터, 복수의 면내 경향 성분을 나타내는 제르니커 다항식의 제르니커 계수를 산출한다. 다음에 당해 제르니커 계수의 변화량과 온도 보정값과의 상관을 나타내는 산출 모델을 이용해서, 산출된 제르니커 계수가 0에 근접하는 열판의 각 영역의 온도 보정값을 산출한다. 산출된 각 온도 보정값에 의해 열판의 각 영역의 온도를 설정한다.
열판, 포토리소그래피 공정, 제르니커 다항식, 웨이퍼, 온도 보정값-
7.发明授权
公开(公告)号：KR101299838B1
公开(公告)日：2013-08-23
申请号：KR1020070099204
申请日：2007-10-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H05B3/00
Abstract: 본 발명의 PEB 장치의 열판은 복수의 열판 영역으로 분할되어 있어, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판 면내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정치를 각각 설정할 수 있다. 포토리소그래피 공정이 종료된 기판 면내의 선폭을 측정한다. 그 측정 선폭의 면내 경향을, 제르니케 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분으로 분해한다. 다음에, 그 산출된 복수의 면내 경향 성분으로부터, 온도 보정치의 설정에 의해 개선 가능한 면내 경향 성분을 추출하고, 이들을 서로 더하여, 측정 선폭에 있어서의 개선 가능한 면내 경향을 산출한다. 그리고, 현재 상태의 처리 상태의 면내 경향(Z)으로부터 그 개선 가능한 면내 경향을 빼서, 개선 후의 면내 경향을 산출한다.
도포 현상 처리 시스템, 카세트 스테이션, 처리 스테이션, 인터페이스부, 카세트 적재대-
公开(公告)号：KR101032203B1
公开(公告)日：2011-05-02
申请号：KR1020070049643
申请日：2007-05-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/687
CPC classification number: H05B1/0233 , H01L21/67248
Abstract: 본 발명에 있어서는, 기판이 열판에 적재되었을 때의 각 열판 영역의 온도 강하량을 검출하여 기판의 휨 상태를 검출한다. 각 열판 영역의 온도 강하량으로부터 각 열판 영역의 설정 온도의 보정치를 산출한다. 상기 각 열판 영역의 설정 온도의 보정치의 산출은 미리 구해진 관계를 이용하여, 각 열판 영역의 온도 강하량으로부터 열판 상에서 열처리되는 기판 면내의 정상 온도를 추정한다. 그리고,추정한 기판 면내의 정상 온도와 열판 영역의 온도 강하량으로부터 각 열판 영역의 설정 온도의 보정치를 산출한다. 상기 설정 온도의 보정치를 기초로 하여 열판 영역의 온도 설정이 변경된다.
반송 장치, 고정밀도 온조 장치, 냉각부, 인터페이스부, 트랜지션 장치
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