公开(公告)号：KR1020030087634A

公开(公告)日：2003-11-14

申请号：KR1020037011624

申请日：2002-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이지마에츠오 ,  츠치야히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/32137

Abstract: 엔드 포인트 디텍터(17)(EPD)가 종점을 검출하면(t5), 고주파 전원(12)으로부터의 RF 파워(Bottom RF)를 오프하고(t5), 또한, 웨이퍼 W 이면으로의 He 가스(14)의 공급을 정지하여(t5), 에칭이 진행되지 않고, 또한, 플라즈마 방전을 유지 가능한 범위로, 고주파 전원(11)으로부터의 RF 파워(Top RF)를 제어한 상태에서(t5), 고압 직류 전원(13)(HV)을 오프한다(t6). 이것에 의해서, 에칭량을 정확히 제어하면서, 파티클의 흡착을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR100630792B1

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020050013416

申请日：2005-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사가에나오토 ,  츠치야히로시 ,  히가시우라츠토무 ,  가토히데오 ,  오타니류지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32935

Abstract: 플라즈마의 발생을 원활하게 실행함과 동시에, 피처리체에 대한 대미지(damage)를 한층 더 경감시키고, 고주파 전원, 정합기 등으로의 부하를 한층 더 경감시킨다.
처리실내에 배치되며 피처리체가 탑재되는 하부전극(4)과, 처리실내에서 하부전극에 대향하는 위치에 배치되는 상부전극(21)과, 상부전극에 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 발신기(29)와, 하부전극에 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 발진기(18)와, 각 고주파 발진기로부터의 출력을 각각, 피처리체의 처리를 하기 위한 설정 레벨까지, 적어도 3단계 이상 단계적으로 상승시키는 제어기(20)를 구비하고, 제어기는 고주파 전력을 설정 레벨까지 단계적으로 상승시키는 과정에서, 제 2 고주파 발신기로부터의 출력이 제 1 고주파 발신기로부터의 출력보다도 먼저 상승하도록 각 고주파 발신기의 출력의 상승 타이밍을 제어한다.
플라즈마 처리장치

公开(公告)号：KR100886981B1

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020037011624

申请日：2002-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이지마에츠오 ,  츠치야히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/32137

Abstract: 엔드 포인트 디텍터(17)(EPD)가 종점을 검출하면(t5), 고주파 전원(12)으로부터의 RF 파워(Bottom RF)를 오프하고(t5), 또한, 웨이퍼 W 이면으로의 He 가스(14)의 공급을 정지하여(t5), 에칭이 진행되지 않고, 또한, 플라즈마 방전을 유지 가능한 범위로, 고주파 전원(11)으로부터의 RF 파워(Top RF)를 제어한 상태에서(t5), 고압 직류 전원(13)(HV)을 오프한다(t6). 이것에 의해서, 에칭량을 정확히 제어하면서, 파티클의 흡착을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060042958A

公开(公告)日：2006-05-15

申请号：KR1020050013416

申请日：2005-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사가에나오토 ,  츠치야히로시 ,  히가시우라츠토무 ,  가토히데오 ,  오타니류지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32935

Abstract: 플라즈마의 발생을 원활하게 실행함과 동시에, 피처리체에 대한 대미지(damage)를 한층 더 경감시키고, 고주파 전원, 정합기 등으로의 부하를 한층 더 경감시킨다.
처리실내에 배치되며 피처리체가 탑재되는 하부전극(4)과, 처리실내에서 하부전극에 대향하는 위치에 배치되는 상부전극(21)과, 상부전극에 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 발신기(29)와, 하부전극에 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 발진기(18)와, 각 고주파 발진기로부터의 출력을 각각, 피처리체의 처리를 하기 위한 설정 레벨까지, 적어도 3단계 이상 단계적으로 상승시키는 제어기(20)를 구비하고, 제어기는 고주파 전력을 설정 레벨까지 단계적으로 상승시키는 과정에서, 제 2 고주파 발신기로부터의 출력이 제 1 고주파 발신기로부터의 출력보다도 먼저 상승하도록 각 고주파 발신기의 출력의 상승 타이밍을 제어한다.
플라즈마 처리장치

Abstract translation: 等离子体的产生可以平稳地进行，对待处理物体的损害进一步减小，并且高频电源和匹配装置上的负载进一步减小。