公开(公告)号：KR101236160B1

公开(公告)日：2013-02-22

申请号：KR1020117006035

申请日：2009-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  카시와기유사쿠

IPC: H01L21/312 ,  C23C14/12 ,  C08G73/10

CPC classification number: H01L21/312 ,  B05D1/60 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1067 ,  C08G73/1071 ,  C08L79/08 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/481 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 원료 형성면에 중합막을 형성하기 위한 복수의 원료를 소정 패턴으로 형성한 제 1 기판(16)과, 중합막을 형성해야 할 성막면을 가지는 제 2 기판(15)을, 원료 형성면과 성막면이 마주하도록 처리 용기(2) 내에 대향하여 설치하고, 처리 용기(2) 내를 진공 분위기로 하고, 제 1 기판(16)을 상기 복수의 원료(17, 18)가 증발하는 제 1 온도로 가열하여 증발시키고 또한, 제 2 기판(15)을 복수의 원료가 중합 반응을 일으키는 제 2 온도로 가열하고, 제 1 기판(16)으로부터 증발한 복수의 원료(17, 18)를 제 2 기판(15)의 성막면에서 반응시켜 성막면에 소정의 중합막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020110051250A

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：KR1020117006035

申请日：2009-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  카시와기유사쿠

IPC: H01L21/312 ,  C23C14/12 ,  C08G73/10

CPC classification number: H01L21/312 ,  B05D1/60 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1067 ,  C08G73/1071 ,  C08L79/08 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/481 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 원료 형성면에 중합막을 형성하기 위한 복수의 원료를 소정 패턴으로 형성한 제 1 기판(16)과, 중합막을 형성해야 할 성막면을 가지는 제 2 기판(15)을, 원료 형성면과 성막면이 마주하도록 처리 용기(2) 내에 대향하여 설치하고, 처리 용기(2) 내를 진공 분위기로 하고, 제 1 기판(16)을 상기 복수의 원료(17, 18)가 증발하는 제 1 온도로 가열하여 증발시키고 또한, 제 2 기판(15)을 복수의 원료가 중합 반응을 일으키는 제 2 온도로 가열하고, 제 1 기판(16)으로부터 증발한 복수의 원료(17, 18)를 제 2 기판(15)의 성막면에서 반응시켜 성막면에 소정의 중합막을 형성한다.