플라즈마 처리 장치의 상부 전극 구조, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 운용 방법
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    发明公开
    플라즈마 처리 장치의 상부 전극 구조, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 운용 방법 审中-实审
    用于等离子体处理装置的上电极结构等离子体处理装置和用于等离子体处理装置的操作方法

    公开(公告)号:KR1020170004964A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:KR1020167028274

    申请日:2015-04-28

    Abstract: 상부전극구조는제 1 플레이트, 제 2 플레이트및 정전흡착부를구비한다. 제 1 플레이트는동심형상으로마련된제 1 영역, 제 2 영역및 제 3 영역을가지고, 이들영역의각각에는복수의가스토출구가형성되어있다. 정전흡착부는제 1 플레이트와제 2 플레이트의사이에개재되어, 제 1 플레이트를흡착한다. 정전흡착부는제 1 ~ 제 3 영역용의제 1 ~ 제 3 히터를가진다. 정전흡착부와제 2 플레이트는제 1 ~ 제 3 영역으로가스를공급하는제 1 공급경로, 제 2 공급경로및 제 3 공급경로를제공한다. 정전흡착부에는제 1 가스확산실, 제 2 가스확산실및 제 3 가스확산실이형성되어있다.

    Abstract translation: 上电极结构包括第一板,第二板和静电吸引单元。 第一板具有同心配置的第一区域,第二区域和第三区域。 每个区域设置有多个气体排出口。 静电吸引单元设置在第一板和第二板之间,并且被配置为吸引第一板。 静电吸引单元配备有用于第一至第三区域的第一至第三加热器。 静电吸引单元和第二板提供分别向第一至第三区域供应气体的第一供应路径,第二供应路径和第三供应路径。 在静电吸引单元中形成第一气体扩散空间,第二气体扩散空间和第三气体扩散空间。

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