-
公开(公告)号：KR1020050086831A
公开(公告)日：2005-08-30
申请号：KR1020057009444
申请日：2003-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 히로세준 , 오가사와라마사히로 , 히라노다이치 , 사사키히로미츠 , 요시다데츠오 , 사이토미치시게 , 이시하라히로유키 , 오오야부준 , 누마타고지
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32935
Abstract: In the present plasma processing method, a certain process gas is supplied into a plasma production chamber (10) in which a substrate to be processed (W) is placed, and the process gas is changed into a plasma. A certain plasma process is then conducted on the substrate (W) with this plasma. By independently controlling the spatial distribution of the plasma density and the spatial distribution of the density of radicals in the plasma in relation to the substrate (W) using an opposed portion (34) facing to the substrate (W), a certain processing state can be attained along the entire surface of the substrate (W) to be processed.
Abstract translation: 在本等离子体处理方法中，将一定的处理气体供给到其中放置有待处理基板（W）的等离子体制造室（10）中，将处理气体变更为等离子体。 然后用该等离子体在衬底（W）上进行某种等离子体处理。 通过使用面对衬底（W）的相对部分（34）独立地控制等离子体密度的空间分布和等离子体中自由基的密度相对于衬底（W）的空间分布，某一处理状态可以 沿待处理的基板（W）的整个表面获得。
-
公开(公告)号：KR100652982B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020057009444
申请日：2003-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 히로세준 , 오가사와라마사히로 , 히라노다이치 , 사사키히로미츠 , 요시다데츠오 , 사이토미치시게 , 이시하라히로유키 , 오오야부준 , 누마타고지
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32935
Abstract: 플라즈마 처리 방법은 피처리 기판(W)이 배치된 플라즈마 생성 공간(10)내에 소정의 처리 가스를 공급하고, 처리 가스를 플라즈마화한다. 그리고, 플라즈마에 의해 기판(W)에 소정의 플라즈마 처리를 수행한다. 여기서, 기판(W)에 대향하는 대향부(34)에 의해, 기판(W)에 대하여 플라즈마의 밀도의 공간 분포와 플라즈마중의 래디컬의 밀도의 공간 분포를 독립적으로 제어하여, 기판(W)의 피처리면 전체에 걸쳐서 소정의 처리 상태를 얻는다.
Abstract translation: 在等离子体处理方法中，将预定的处理气体供应到设置有基板W的等离子体生成空间10中，并且处理气体被等离子体化。 然后，通过等离子体在衬底W上执行预定的等离子体处理。 在此，等离子体的密度的空间分布和等离子体中的自由基的密度的空间分布由与基板W相对的相对部34相对于基板W独立地控制， 在整个待处理表面上获得预定的处理状态。
-
公开(公告)号：KR1020150004326A
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020147026466
申请日：2013-04-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67161 , B25J11/0095 , H01J37/32091 , H01J37/32899 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67703 , H01L21/67733 , H01L21/67736
Abstract: 복수의 처리 챔버를 구비하는 경우에 있어서, 작업 스페이스를 포함한 기판 처리 장치의 배치 스페이스를 유효 이용할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 제 1 처리 챔버, 제 2 처리 챔버, 반송 챔버, 프레임 구조체 및 승강부를 구비한다. 제 1 처리 챔버 및 제 2 처리 챔버는 본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성한다. 반송 챔버는 제 1 처리 챔버 및 제 2 처리 챔버와 접속되고, 기판을 반송하기 위한 반송 기구가 수용되어 있다. 프레임 구조체는 한쌍의 지주부, 및 한쌍의 지주부의 정부에 지지된 비임부를 구비한다. 승강부는 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 장착되고, 덮개부를 수직 방향으로 이동시킨다. 비임부는 제 1 처리 챔버, 제 2 처리 챔버 및 반송 챔버의 상방을 횡단해서 연장한다.
-
公开(公告)号：KR100642157B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020057009443
申请日：2003-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 히로세준 , 오가사와라마사히로 , 히라노다이치 , 사사키히로미츠 , 요시다데츠오 , 사이토미치시게 , 이시하라히로유키 , 오오야부준 , 누마타고지
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 플라즈마 처리 장치는 진공 분위기를 갖도록 설정가능한 처리 용기(10)를 포함한다. 처리 용기(10)내에 배치되는 피처리 기판(W)과 대향하도록 링 형상으로 배치된 제 1 상부 전극(36)이 배치된다. 제 1 상부 전극(36)의 반경방향 내측에 이와 전기적으로 절연된 상태로 배치된 제 2 상부 전극(38)이 배치된다. 제 1 급전부(50)가 제 l 고주파 전원(52)으로부터의 제 1 고주파를, 제 1 전력값으로 제 1 상부 전극(36)에 공급한다. 제 1 급전부(50)로부터 분기된 제 2 급전부(76)가 제 1 고주파 전원으로부터의 상기 제 1 고주파를, 제 1 전력값보다도 작은 제 2 전력값으로 제 2 상부 전극(38)에 공급한다.
-
-
Patent Agency Ranking6.发明公开
公开(公告)号：KR1020170004964A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020167028274
申请日：2015-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32532 , H01J2237/002
Abstract: 상부전극구조는제 1 플레이트, 제 2 플레이트및 정전흡착부를구비한다. 제 1 플레이트는동심형상으로마련된제 1 영역, 제 2 영역및 제 3 영역을가지고, 이들영역의각각에는복수의가스토출구가형성되어있다. 정전흡착부는제 1 플레이트와제 2 플레이트의사이에개재되어, 제 1 플레이트를흡착한다. 정전흡착부는제 1 ~ 제 3 영역용의제 1 ~ 제 3 히터를가진다. 정전흡착부와제 2 플레이트는제 1 ~ 제 3 영역으로가스를공급하는제 1 공급경로, 제 2 공급경로및 제 3 공급경로를제공한다. 정전흡착부에는제 1 가스확산실, 제 2 가스확산실및 제 3 가스확산실이형성되어있다.
Abstract translation: 上电极结构包括第一板，第二板和静电吸引单元。 第一板具有同心配置的第一区域，第二区域和第三区域。 每个区域设置有多个气体排出口。 静电吸引单元设置在第一板和第二板之间，并且被配置为吸引第一板。 静电吸引单元配备有用于第一至第三区域的第一至第三加热器。 静电吸引单元和第二板提供分别向第一至第三区域供应气体的第一供应路径，第二供应路径和第三供应路径。 在静电吸引单元中形成第一气体扩散空间，第二气体扩散空间和第三气体扩散空间。
-
公开(公告)号：KR1020050086834A
公开(公告)日：2005-08-30
申请号：KR1020057009448
申请日：2003-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 히로세준 , 오가사와라마사히로 , 히라노다이치 , 사사키히로미츠 , 요시다데츠오 , 사이토미치시게 , 이시하라히로유키 , 오오야부준 , 누마타고지
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01L21/31116
Abstract: A plasma processing apparatus comprises a process chamber (10) which can be set to have a vacuum atmosphere. Upper electrodes (36, 38) are so arranged as to face a substrate to be processed (W) which is placed in the process chamber (10). A power supply unit having a first cylindrical conductor member (50) continuously connected to the upper electrode (36) in the circling direction supplies a first high-frequency wave from a first high-frequency power supply (52) to the upper electrode (36).
Abstract translation: 等离子体处理装置包括可设置为具有真空气氛的处理室（10）。 上电极（36,38）被布置为面对放置在处理室（10）中的待处理基板（W）。 在第一高频电源（52）向第一高频电源（52）向第一高频电源（52）提供第一高频波的电源单元，其具有在上下方向上与上电极（36）连续地连接的第一圆筒状的导体部件 ）。
-
公开(公告)号：KR102025457B1
公开(公告)日：2019-09-25
申请号：KR1020157001213
申请日：2013-07-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 사이토미치시게
-
公开(公告)号：KR1020150036100A
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020157001213
申请日：2013-07-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 사이토미치시게
CPC classification number: H01J37/3255 , C23C4/04 , C23C4/11 , C23C4/12 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568
Abstract: 처리실(21) 내에설치된서셉터(24)와대향하여배치된상부전극(4)은, 하나의실시형태에있어서, 판형부재(41)와, 전극부(42)를구비한다. 판형부재(41)에는, 하나의실시형태에있어서, 플라즈마처리에이용되는처리가스를통류(通流)시키는가스통류구멍(43a)이형성된다. 전극부는, 판형부재(41)의가스통류구멍(43a)의유출구측의표면에대하여실리콘이용사(溶射)됨으로써막 형상으로형성된다.
-
公开(公告)号：KR100652983B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020057009448
申请日：2003-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 히로세준 , 오가사와라마사히로 , 히라노다이치 , 사사키히로미츠 , 요시다데츠오 , 사이토미치시게 , 이시하라히로유키 , 오오야부준 , 누마타고지
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01L21/31116
Abstract: 플라즈마 처리 장치는 진공 분위기를 갖도록 설정가능한 처리 용기(10)를 포함한다. 처리 용기(10)내에 배치되는 피처리 기판(W)과 대향하도록 배치된 상부 전극(36, 38)이 배치된다. 상부 전극(36)에 원주방향으로 연속적으로 배치된 제 1 원통형 도전 부재(50)를 갖는 급전부가 제 1 고주파 전원(52)으로부터의 제 1 고주파를 상부 전극(36)으로 공급한다.
Abstract translation: 等离子体处理装置具有能够设定为真空气氛的处理容器10。 设置与配置在处理容器10内的被处理基板W相对配置的上部电极36,38。 具有在上电极36上沿圆周方向连续设置的第一圆柱形导电构件50的电源单元将来自第一高频电源52的第一高频电力提供给上电极36。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.021 seconds)
