公开(公告)号：KR1020150035593A

公开(公告)日：2015-04-06

申请号：KR1020147034723

申请日：2013-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쿠보타카즈히로 ,  시미즈류키치

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76816

Abstract: 불화탄소(CF)계가스를포함하는에칭가스로부터생성된플라즈마에의해, 마스크를개재하여기판상의실리콘함유막을에칭하고, 상기실리콘함유막에소정패턴을형성하는에칭공정과, 실리콘화합물가스를사용하여상기소정패턴의표면에흡착된층을, 산화성가스또는질화성가스로부터생성된플라즈마에의해산화또는질화시켜, 상기소정패턴의표면에실리콘산화막또는실리콘질화막을성막하는성막공정을포함하는것을특징으로하는패턴형성방법이제공된다.

公开(公告)号：KR102080246B1

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：KR1020147034723

申请日：2013-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쿠보타카즈히로 ,  시미즈류키치

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101725273B1

公开(公告)日：2017-04-10

申请号：KR1020100047505

申请日：2010-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈와타루 ,  쿠보타카즈히로 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

Abstract: 저유전율막의데미지회복처리를행할때에, 회복처리에기여하는처리가스의양을충분히확보하면서처리가스의사용량을감소시킬수 있는처리방법을제공하는것이다. 표면부분에데미지층이형성된저유전율막을가지는피처리기판이수용된처리용기내로메틸기를가지는처리가스를도입하여저유전율막에형성된데미지층에회복처리를실시하는처리방법으로서, 감압상태로된 처리용기내로희석가스를도입하여처리용기내의압력을회복처리시의처리압력보다저압인제 1 압력까지상승시키고(공정 3), 그후 희석가스를정지하고처리가스를처리용기내의피처리기판의존재영역으로도입하여처리용기내의압력을회복처리시의처리압력인제 2 압력까지상승시키고(공정 4), 이처리압력을유지하고피처리기판에대하여회복처리를행한다(공정 5).

公开(公告)号：KR1020100129684A

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：KR1020100047505

申请日：2010-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈와타루 ,  쿠보타카즈히로 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

Abstract: PURPOSE: A processing method and a memory medium are provided to sufficiently secure gas for recovering a low dielectric layer. CONSTITUTION: A processing device(1) includes a chamber(11) which receives a wafer(W). A loader(12) for horizontally supporting the wafer is installed inside the chamber. The loader is supported by a cylindrical supporting member which is extended from the bottom center to the upper side of the chamber. A resistance heating type heater(15) is buried in the loader.

Abstract translation: 目的：提供一种处理方法和存储介质以充分确保用于回收低介电层的气体。 构成：处理装置（1）包括容纳晶片（W）的室（11）。 用于水平支撑晶片的装载机（12）安装在室内。 装载机由从腔室的底部中心延伸到上侧的圆柱形支撑构件支撑。 电阻加热型加热器（15）埋在装载机中。