公开(公告)号：KR100576399B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020040070432

申请日：2004-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  다나카히데아키 ,  오카야마노부유키 ,  미야가와마사아키 ,  미즈카미순스케 ,  시미즈와타루 ,  히로세준 ,  와카키도시카츠 ,  미와도모노리 ,  오오야부준 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있음과 동시에 반도체 웨이퍼의 주연부 이면측에 대한 데포지션의 발생을 종래에 비교해서 저감할 수 있는 포커스 링 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
진공 챔버(1)내에는 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대(2)가 설치되어 있고, 이 탑재대(2)에 탑재된 반도체 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 포커스 링(8)이 설치되어 있다. 포커스 링(8)은 유전체로 이루어지는 링형상의 하측부재(9)와 이 하측부재(9)의 상부에 배치되고, 도전성 재료로 이루어지는 링형상의 상측부재(10)로 구성되어 있고, 상측부재(10)는 그 상면의 외주측이 반도체 웨이퍼(W)의 피처리면보다 높은 평탄부(10a)로 되고, 이 평탄부(10a)의 내주부가 외주측이 내주측보다 높아지도록 경사하는 경사부(10b)로 되어 있다.

公开(公告)号：KR1020050025079A

公开(公告)日：2005-03-11

申请号：KR1020040070432

申请日：2004-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  다나카히데아키 ,  오카야마노부유키 ,  미야가와마사아키 ,  미즈카미순스케 ,  시미즈와타루 ,  히로세준 ,  와카키도시카츠 ,  미와도모노리 ,  오오야부준 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642

Abstract: A focus ring and a plasma processing apparatus are provided to obtain the same uniform plasma processing of an edge as a center of wafer and to reduce a deposition in the back surface of edge. A focus ring includes a lower member and an upper member. The lower member(9) is formed with a dielectric. An upper member(10) made of a conductive material is formed on the top of the lower member. An inclined portion that an outer circumferential side thereof is higher than an inner circumferential side is formed on the top surface of the upper member. The position of end of the outer circumferential side in the inclined portion is higher than the position of a surface of the wafer(W) to be processed. The inner circumferential side of the upper member is spaced apart from a circumferential edge of the wafer by a predetermined distance.

Abstract translation: 提供聚焦环和等离子体处理装置以获得作为晶片中心的边缘的相同的均匀等离子体处理并减少边缘的后表面中的沉积。 聚焦环包括下部构件和上部构件。 下部构件（9）形成有电介质。 由导电材料制成的上部构件（10）形成在下部构件的顶部上。 在上部构件的上表面上形成有外周侧高于内周侧的倾斜部。 倾斜部分中的外周侧的端部的位置高于待处理的晶片（W）的表面的位置。 上部构件的内周侧与晶片的圆周边缘间隔预定距离。

公开(公告)号：KR101904547B1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：KR1020120029293

申请日：2012-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈와타루 ,  마에다기요시 ,  나가이와도시후미

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 본발명은저유전률막의손상회복처리를할 때에, 비유전률이나누설전류값을낮게유지하면서내부의수분을제거할수 있는처리방법을제공한다. 피처리기판에형성되고, 표면부분에손상층을갖는저유전률막에회복처리를실시함에있어서, 그분자가, 저유전률막의손상층의내부에침투할수 있을정도로작고, 손상층내의수분을제거하는것이가능한제1 처리가스와, 손상층의표면에소수성으로치밀한개질층을형성하는제2 처리가스를저유전률막의손상층에작용시킨다.

公开(公告)号：KR101725273B1

公开(公告)日：2017-04-10

申请号：KR1020100047505

申请日：2010-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈와타루 ,  쿠보타카즈히로 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

Abstract: 저유전율막의데미지회복처리를행할때에, 회복처리에기여하는처리가스의양을충분히확보하면서처리가스의사용량을감소시킬수 있는처리방법을제공하는것이다. 표면부분에데미지층이형성된저유전율막을가지는피처리기판이수용된처리용기내로메틸기를가지는처리가스를도입하여저유전율막에형성된데미지층에회복처리를실시하는처리방법으로서, 감압상태로된 처리용기내로희석가스를도입하여처리용기내의압력을회복처리시의처리압력보다저압인제 1 압력까지상승시키고(공정 3), 그후 희석가스를정지하고처리가스를처리용기내의피처리기판의존재영역으로도입하여처리용기내의압력을회복처리시의처리압력인제 2 압력까지상승시키고(공정 4), 이처리압력을유지하고피처리기판에대하여회복처리를행한다(공정 5).

公开(公告)号：KR1020120109359A

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020120029293

申请日：2012-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈와타루 ,  마에다기요시 ,  나가이와도시후미

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: PURPOSE: A processing method and a storage medium are provided to minimize moisture in a low-dielectric layer by forming a reforming layer having hydrophobic properties to prevent moisture from entering a film. CONSTITUTION: A chamber(11) receives a wafer(W). An arrangement table(12) is installed in the chamber to horizontally support the wafer. The arrangement table is supported by a cylindrical support member(13) upwardly extended from the bottom of the chamber. A heater(15) heats the wafer. A vaporizer(26), a mass flow controller(27) and a valve(28) are formed on a first processing gas pipe(23). [Reference numerals] (16) Heater power; (26) Vaporizer; (30) First chemicals reservoir; (32) Vaporizer; (36) Second chemicals reservoir; (38) Diluted gas supply source; (46) Exhaust device; (51) Process controller; (52) User interface; (53) Memory

Abstract translation: 目的：提供一种处理方法和存储介质，以通过形成具有疏水特性的重整层以防止水分进入薄膜来最小化低介电层中的水分。 构成：腔室（11）接收晶片（W）。 安装台（12）安装在腔室中以水平地支撑晶片。 安排台由从腔室底部向上延伸的圆柱形支撑构件（13）支撑。 加热器（15）加热晶片。 蒸发器（26），质量流量控制器（27）和阀（28）形成在第一处理气体管道（23）上。 （附图标记）（16）加热器功率; （26）蒸发器; （30）第一化学品库; （32）蒸发器; （36）第二化学品库; （38）稀释气体供应源; （46）排气装置; （51）过程控制器; （52）用户界面; （53）记忆

公开(公告)号：KR1020110085909A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：KR1020110004982

申请日：2011-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈와타루

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and a storage medium are provided to suppress generation of hydrophobic silanol due to the reaction between silicon and moisture, thereby preventing an electrical resistance increase of a semiconductor device. CONSTITUTION: A metal wire(2) is formed in an interlayer insulating film(1). A barrier film is formed between the interlayer insulating film and the metal wire to prevent spreading of metal. A stop film(3) prevents corrosion of the metal wire due to an organic film. An interlayer insulating film(4) is a low dielectric layer and is formed on the stop film. A damage layer(15) is formed on the surface of the interlayer insulating film.

Abstract translation: 目的：提供基板处理方法和存储介质，以抑制硅和水分之间的反应产生疏水硅烷醇，从而防止半导体器件的电阻增加。 构成：在层间绝缘膜（1）中形成金属线（2）。 在层间绝缘膜和金属线之间形成阻挡膜以防止金属的扩散。 止挡膜（3）防止由于有机膜而引起的金属丝的腐蚀。 层间绝缘膜（4）是低电介质层，并且形成在止挡膜上。 在层间绝缘膜的表面上形成损伤层（15）。

公开(公告)号：KR101671316B1

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020110004982

申请日：2011-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈와타루

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

Abstract: 저유전율막인 SiCOH막과 Cu 배선과의각각의노출면에탄소가탈락한데미지층및 산화물이각각형성된기판에대하여데미지층을회복시키고또한산화물을환원하는것이다. SiCOH를포함한층간절연막(4)과 Cu를포함한배선(2)의각각의노출면에탄소가탈락한데미지층(15) 및산불화층(16)이각각형성된웨이퍼(W)에대하여, H가스의공급과실리콘및 탄소를포함한 TMSDMA 가스의공급을동일한처리용기(51)에서이 순서로연속하여행함으로써, 산불화층(16)의환원처리및 데미지층(15)의회복처리를행한다.

公开(公告)号：KR1020100129684A

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：KR1020100047505

申请日：2010-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈와타루 ,  쿠보타카즈히로 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

Abstract: PURPOSE: A processing method and a memory medium are provided to sufficiently secure gas for recovering a low dielectric layer. CONSTITUTION: A processing device(1) includes a chamber(11) which receives a wafer(W). A loader(12) for horizontally supporting the wafer is installed inside the chamber. The loader is supported by a cylindrical supporting member which is extended from the bottom center to the upper side of the chamber. A resistance heating type heater(15) is buried in the loader.

Abstract translation: 目的：提供一种处理方法和存储介质以充分确保用于回收低介电层的气体。 构成：处理装置（1）包括容纳晶片（W）的室（11）。 用于水平支撑晶片的装载机（12）安装在室内。 装载机由从腔室的底部中心延伸到上侧的圆柱形支撑构件支撑。 电阻加热型加热器（15）埋在装载机中。