公开(公告)号：KR101110238B1

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020090024881

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리타쿠야 ,  타카하시마사히코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 실리콘 산화막에 대한 폴리 실리콘막의 선택비를 크게 할 수 있고, 또한 실리콘 기재에서의 리세스의 발생을 억제할 수 있는 에칭 방법을 제공한다. 실리콘 기재(35) 상에 게이트 산화막(36), 폴리 실리콘막(37) 및 개구부(39)를 가지는 하드 마스크막(38)이 차례대로 형성되고, 개구부(39)에 대응하는 폴리 실리콘막(37)의 트렌치(40) 내에는 자연 산화막(41)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)에 있어서, 자연 산화막(41)을 폴리 실리콘막(37)이 트렌치(40)의 저부에서 노출될 때까지 에칭하고, 분위기의 압력을 13.3 Pa로 설정하고, 처리 공간(S2)에 O
2 가스, HBr 가스 및 Ar 가스를 공급하고, 바이어스 전압의 주파수를 13.56 MHz로 설정하여 HBr 가스로부터 발생된 플라즈마에 의해 폴리 실리콘막(37)을 에칭하여 완전하게 제거한다.

Abstract translation: 可以增加多晶硅膜与氧化硅膜的选择比率并且可以抑制硅衬底中的凹陷的产生。 在硅衬底35和多晶硅膜37上依次形成具有栅氧化膜36，多晶硅膜37和开口39的硬掩模膜38 在沟槽40的沟槽40中蚀刻自然氧化膜41，直到多晶硅膜37暴露在沟槽40的底部 ，大气压力设定为13.3Pa，处理空间S2填充O.

公开(公告)号：KR1020060008952A

公开(公告)日：2006-01-27

申请号：KR1020057020693

申请日：2005-04-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마이마사루 ,  세키구치켄지 ,  오리타케히코 ,  오노히로키 ,  타나카사토루 ,  모리타쿠야

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B1/04 ,  H01L21/67046

Abstract: A board cleaning apparatus and a board processing method are provided. A brush (3) is brought into contact with a board W while the board W is being rotated, and a cleaning position Sb of the brush (3) is shifted relatively to the board W, directing to a circumference part from a center part of the board W. A process fluid composed of a liquid droplet and a gas is jetted from a two fluid nozzle (5) to the board W. A cleaning position Sn of the two fluid nozzle (5) is shifted relatively to the board W, directing to the circumference part from the center part of the board W, and while the cleaning position Sb of the brush (3) is being shifted to the circumference part from the center part, the cleaning position Sn of the two fluid nozzle (5) is arranged on a side closer to a center Po than the cleaning position Sb of the brush (3). Thus, contaminants are prevented from transferring from the brush to contaminate the wafer.

Abstract translation: 提供了一种板清洁装置和板处理方法。 在板W旋转的同时，电刷（3）与电路板W接触，并且电刷（3）的清洁位置Sb相对于电路板W移动，从电路板W的中心部分引导到周边部分 由液体液滴和气体组成的工艺流体从两个流体喷嘴（5）喷射到板W.两个流体喷嘴（5）的清洁位置Sn相对于板W移动， 从电路板W的中心部分引导到圆周部分，并且当刷子（3）的清洁位置Sb从中心部分移动到周边部分时，两个流体喷嘴（5）的清洁位置Sn， 布置在比刷子（3）的清洁位置Sb更靠近中心Po的一侧。 因此，防止污染物从刷子转移以污染晶片。

公开(公告)号：KR1020050058498A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057003123

申请日：2003-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리타쿠야

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/708 ,  G03F7/70975

Abstract: A coating/developing device can be safely operated at a distance and maintained. A substrate processing device maintenance system includes a remote operation device for transmitting remote operation information to a substrate processing device side via a communication network and providing remote operation information to the substrate processing device so as to operate the substrate processing device at a distance and a communication control device for receiving the remote operation information transmitted to the substrate processing device side and providing the remote operation information to the substrate processing device. The communication control device provides the remote operation information to the substrate processing device only when the remote operation is allowed by a staff of the substrate processing device side.

Abstract translation: 涂层/显影装置可以远程安全地操作并维护。 基板处理装置维护系统包括：远程操作装置，用于经由通信网络向基板处理装置侧发送远程操作信息，并向基板处理装置提供远程操作信息，以使基板处理装置在距离和通信 控制装置，用于接收发送到基板处理装置侧的远程操作信息，并向基板处理装置提供远程操作信息。 通信控制装置仅在基板处理装置侧的工作人员允许远程操作时才向基板处理装置提供远程操作信息。

公开(公告)号：KR101018509B1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：KR1020057003123

申请日：2003-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리타쿠야

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/708 ,  G03F7/70975

Abstract: 본 발명은 보수 시스템 기판 처리 장치 원격 조작 장치 및 통신 방법에 관한 것으로서 도포 현상 처리 장치를 보다 안전하게 원격 조작하여 보수하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명은 기판 처리 장치의 보수 시스템으로서 통신 네트워크를 통하여 기판 처리 장치측에 원격 조작 정보를 송신하고 기판 처리 장치에 원격 조작 정보를 제공함으로써 원격지로부터 기판 처리 장치를 조작하는 원격 조작 장치와 기판 처리 장치측에 송신된 상기 원격 조작 정보를 수신하고 해당 원격 조작 정보를 상기 기판 처리 장치에 제공하는 통신 제어장치를 구비하고 상기 통신 제어 장치는 원격 조작에 대한 기판처리 장치측의 작업원의 허가 설정이 있는 경우에만 상기 원격 조작 정보를 기판 처리 장치에 제공하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR100648165B1

公开(公告)日：2006-11-28

申请号：KR1020057020693

申请日：2005-04-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마이마사루 ,  세키구치켄지 ,  오리타케히코 ,  오노히로키 ,  타나카사토루 ,  모리타쿠야

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B1/04 ,  H01L21/67046

Abstract: 기판 세정 장치 및 기판 처리 방법은 기판(W)을 회전시키면서 브러시(3)를 기판(W)에 접촉시키고, 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 기판(W)에 대해 상대적으로 이동시키며, 이류체 노즐(5)로부터 액적과 가스로 이루어지는 처리 유체를 기판(W)에 분사시키고, 이류체 노즐(5)에 의한 세정 위치(Sn)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 기판(W)에 대해 상대적으로 이동시키며, 상기 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시키는 동안, 상기 이류체 노즐(5)에 의한 세정 위치(Sn)를 상기 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)보다 중심(P0) 측에 배치함으로써 브러시로부터 오염물이 전사되어 웨이퍼가 더러워지는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR101998943B1

公开(公告)日：2019-07-10

申请号：KR1020170009829

申请日：2017-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타케히로토 ,  모리타쿠야

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01J49/10

公开(公告)号：KR1020170087426A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：KR1020170009829

申请日：2017-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타케히로토 ,  모리타쿠야

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01J49/10

CPC classification number: H01L21/30621 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/3464 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/3065

Abstract: 기판을에칭하는방법이기술된다. 이방법은, 플라즈마처리시스템의처리공간내의제1 및제2 물질에노출되는표면을갖는기판을배치하는단계와, 상기제2 물질을제거하는속도보다큰 속도로제1 물질을선택적으로제거하도록변조플라즈마에칭공정을실행하는단계를포함한다. 상기변조플라즈마에칭공정은, 상기플라즈마처리시스템에제1 전력레벨로고주파(RF) 신호를인가하는것과, 상기플라즈마처리시스템에제2 전력레벨로 RF 신호를인가하는것과, 상기플라즈마처리시스템에제3 전력레벨로 RF 신호를인가하는것을포함하는순차적전력인가스텝을갖는전력변조사이클을포함한다. 그후, 전력변조사이클이적어도 1 사이클이상반복되며, 각변조사이클은변조시간주기를갖는다.

Abstract translation: 描述了蚀刻基板的方法。 此方法中，调节等离子体选择性地去除步骤和更大的速率升至第一材料比除去定位具有在等离子体处理系统的处理空间暴露于第一mitje第二材料的表面的基底的速度的第二材料 并执行蚀刻工艺。 调制等离子体蚀刻工艺，以及所施加的射频（RF）信号，以第一功率电平haneungeot到等离子体处理系统，并且所施加的RF信号到所述第二功率电平haneungeot的等离子体处理系统，包括：所述等离子体处理系统 并且具有顺序功率施加步骤的功率调制周期包括施加功率级别为3的RF信号。 然后，功率调制周期重复至少一个周期，并且每个调制周期具有调制时间周期。

公开(公告)号：KR1020090102668A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：KR1020090024881

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리타쿠야 ,  타카하시마사히코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: PURPOSE: An etching method and manufacturing method of semiconductor device are provided to prevent the silicon substrate from being oxidized. CONSTITUTION: The silicon oxide film and the polysilicon layer(37) and the mask film(38) having the opening are formed on the silicon substrate. The etching method has the etching step of polysilicon layer. In the polysilicon layer etching step, the polysilicon layer corresponding to an opening is etched by plasma. The process gas includes the oxygen gas. In the etching step of polysilicon layer, the pressure of an atmosphere is set up as 6.7 Pa ~, 33.3 Pa. In the etching step of polysilicon layer, the polysilicon layer corresponding to an opening is etched by the 13.56 MHz frequency of the bias voltage for introducing the plasma to a substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件的蚀刻方法和制造方法，以防止硅衬底氧化。 构成：在硅衬底上形成具有开口的氧化硅膜和多晶硅层（37）和掩模膜（38）。 蚀刻方法具有多晶硅层的蚀刻步骤。 在多晶硅层蚀刻步骤中，通过等离子体蚀刻对应于开口的多晶硅层。 工艺气体包括氧气。 在多晶硅层的蚀刻步骤中，气氛的压力设定为6.7Pa〜33.3Pa。在多晶硅层的蚀刻步骤中，对应于开口的多晶硅层被偏压的13.56MHz频率 用于将等离子体引入衬底。